上海 PA8005-CC-PCC20A加热板说明书

    当***分区和第二分区之间的温度值差值超过℃时，控制模块降低温度较高的分区的功率继电器的输出功率，或者控制模块提高温度降低的分区的功率继电器的输出功率。本领域普通技术人员可根据实际需求设置该阶段的精度值。通过对热盘进行分区化的温度管理，使得各个分区之间的温度差一直处在合理范围内，进而可以提高升温速率，不用担心热盘温度不均匀而损坏晶圆，**终达到了缩短晶圆加工时间，提高产量的目的。实施例3：本实施与实施例1的不同点是晶圆加热处于冷却降温阶段，在该阶段控制模块的精度值设置为℃，当***分区和第二分区之间的温度值差值超过℃时，控制模块降低温度较高的分区的功率继电器的输出功率，或者控制模块提高温度降低的分区的功率继电器的输出功率。本领域普通技术人员可根据实际需求设置该阶段的精度值。以上实施方式*用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的**保护范围应由权利要求限定。主要涉及一种电磁感应加热单元结构。上海 PA8005-CC-PCC20A加热板说明书

    本发明具如下有益于效用：通过将轴对称改成中心对称、将ω形状的加热板中心改成单独分体或封闭环形的构造，以及合理配置留置区和电压位置的安装，化解了传统加热板的构造的缺点，提高了采用的稳定性，增加了加热板的寿命。附图说明图1为传统加热片的构造示意图；图2为传统加热片的一种损坏方法；图3为传统加热片的另一个损坏方法；图4为本发明的一种加热板构造；图5为本发明的另一种加热板构造。图中，o中心点、1热弧板、2半圆形热片、21拐点、22空隙、3左电极、4右电极、5热环、6***加热片、60***热弧片、61***迂回端、7第二加热片、70第二热弧片、71第二迂回端、8留置区、91***电极、92第二电极。实际实施方法下面结合附图和实际实施例对本发明作更进一步详尽解释。为了化解现有技术存在的三个技术疑问，本发明提供一种加热板，包括，数目为偶数的若干组加热片。在实际使用中，偶数组加热片需将加热片分为两组，每组并联着分别联接到电源的两极。一般，还可以将加热片的数目设成4组或6组等，虽然分组越多，越易于致使加热的不平稳，但是对于需加热的较大面积，可以通过多组加热片实现延长加热片的寿命。所有加热片均为中心对称布置。上海 PA8015-CC-PCC200V加热板价格多少为了保证测控精度，采用红外线温度测控模块作为温度测控模块。

    第四加热区域、第五加热区域、第六加热区域和第七加热区域设置于第二加热区域和第三加热区域外圆周；每个加热区域上均设置有若干弧形凹槽，且每个加热区域内的弧形凹槽均与相邻的弧形凹槽连接，使每个加热区域内的弧形凹槽形成串联；每个加热区域内均设置有一根加热丝，加热丝嵌于弧形凹槽内；底板与加热盘扣合；若干垫柱设置于加热盘上。其中，加热盘上还设有限位柱，限位柱用于限定晶圆在加热盘上的位置。其中，底板上均设置有温度传感器。其中，底板上设置有过温保护器。其中，垫柱为peek材料，高度为。其中，加热器外圆周上还套设有隔热环。三、本发明的有益效果与现有技术相比，本发明的晶圆加热器具通过七个加热区域，且每个加热区域为**加热单元的设计，使整个加热盘能够均匀的发热，达到了对晶圆均匀加热的效果，通过隔热环的设计，有效的加热区域内的热量过快的散发，提高了保温效果，同时隔热环还可以有效的避免烫伤周围人员，提高了安全性能。附图说明图1为本发明的晶圆加热器的图；图2为本发明的晶圆加热器的背面结构示意图；图3为本发明的晶圆加热器的正面结构示意图；图4为本发明的晶圆加热器的加热盘的背面结构示意图；图中：1为加热盘；2为底板；3为垫柱。

    这也使得控制温度在目标温度士20°C范围内波动，波动范围较大。发明内容本发明所要解决的技术问题是提供一种能够在高频加热时将工件温度控制在目标温度士5°C范围内的温度控制装置及方法。为达到上述目的，本发明提供一种高频加热时精确控制温度的装置及方法，其中，装置包括有对物件进行升温的高频机，监测物件温度并反馈正比电压信号的温度测控模块和接收电压信号并控制高频机输出功率的信号调理模块。加热方法，包括有如下步骤第一步，开始高频加热，高频机满负荷加热升温，温度测控模块监测物件温度，当物件温度距目标温度80120°C时，改为动态功率加热；第二步，温度测控模块根据不同温度，反馈与温度成正比的电压值，信号调理模块根据电压值的大小反比例调节高频机的功率输出，使其越接近目标温度，输出功率越小；第三步，信号调理模块动态调节高频机的功率输出，物件温度保持在目标温度值的士5°c的范围内。采用上述技术方案所达到的技术效果是信号调理模块接受温度测控模块的信号，动态调节高频机的功率输出，使得物件温度越接近目的温度时，高频机的输出功率越小，减小因高频时间断开滞后造成的误差，可将工件温度控制在目标温度的士5°C范围内。进一步。每组加热片的自由端分别连结电源的两极。

    同时，氮化铝耐熔融状态下金属的侵蚀，几乎不受酸的稳定。因氮化铝表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜，人们利用此特性，将它用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。也因为氮化铝陶瓷的金属化性能较好，可替代有毒性的氧化铍陶瓷在电子工业中广泛应用。氮化铝的化学式为AlN，化学组成AI约占，N约占。它的粉体为一般是白色或灰白色，单晶状态下则是无色透明的，常压下的升华分解温度达到2450℃。氮化铝陶瓷导热率在170~210W/()之间，而单晶体更可高达275W/()以上。热导率高(＞170W/m·K)，接近BeO和SiC；热膨胀系数(×10-6℃)与Si(×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良；机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结；可采用流延工艺制作。氮化铝陶瓷作为一种硬脆材料，烧结后的氮化铝陶瓷加工起来十分的困难，它的各种性质优异于其他的陶瓷材料也意味着它的加工难度比其他陶瓷高，并且氮化铝陶瓷加工还有一个致命难点，它脆性大，十分容易白边。在此情况下，用氮化铝制作陶瓷加热盘也变得分外艰难。8英寸的氮化铝陶瓷加热盘约莫是315mm直径、19mm厚度的圆盘。 在高温下加热器周围形成油脂或石灰石，从而降低热导率、缩短加热器的寿命、增大耗电率。苏州PH121-PCC10A加热板

每一个芯片的电性能力和电路机能都被检测到。上海 PA8005-CC-PCC20A加热板说明书

    MR)等在高温中气相化学反应(热分解，氢还原、氧化、替换反应等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔点金属、金属、半导体等薄膜方法。因只在高温下反应故用途被限制，但由于其可用领域中，则可得致密高纯度物质膜，且附着强度很强，若用心控制，则可得安定薄膜即可轻易制得触须(短纤维)等，故其应用范围极广。热CVD法也可分成常压和低压。低压CVD适用于同时进行多片基片的处理，压力一般控制在。作为栅电极的多晶硅通常利用HCVD法将SiH4或Si2H。气体热分解（约650oC）淀积而成。采用选择氧化进行器件隔离时所使用的氮化硅薄膜也是用低压CVD法，利用氨和SiH4或Si2H6反应面生成的，作为层间绝缘的SiO2薄膜是用SiH4和O2在400--4500oC的温度下形成SiH4+O2-SiO2+2H2或是用Si(OC2H5)4(TEOS:tetraethoxysilanc)和O2在750oC左右的高温下反应生成的，后者即采用TEOS形成的SiO2膜具有台阶侧面部被覆性能好的优点。前者，在淀积的同时导入PH3气体，就形成磷硅玻璃（PSG：phosphorsilicateglass）再导入B2H6气体就形成BPSG(borro?phosphorsilicateglass)膜。这两种薄膜材料，高温下的流动性好，***用来作为表面平坦性好的层间绝缘膜。上海 PA8005-CC-PCC20A加热板说明书

上海九展自动化技术有限公司主要经营范围是机械及行业设备，拥有一支专业技术团队和良好的市场口碑。公司自成立以来，以质量为发展，让匠心弥散在每个细节，公司旗下温控器，冷水机，仪器，无尘室用品深受客户的喜爱。公司将不断增强企业重点竞争力，努力学习行业知识，遵守行业规范，植根于机械及行业设备行业的发展。上海九展凭借创新的产品、专业的服务、众多的成功案例积累起来的声誉和口碑，让企业发展再上新高。