PH132-PCC10A加热板代理商

    本实用新型涉及等离子体cvd晶圆加热器的领域，尤其涉及一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置。背景技术：随着半导体技术的不断飞速发展,单个芯片上所承载的晶体管数量以惊人的速度增长,与此同时,半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片,这要求更加精细的制造工艺.一种常用的工艺是等离子体化学汽相淀积(pecvd).化学汽相淀积(pecvd)一般用来在半导体晶圆衬底上淀积薄膜,气体起反应在晶圆加热器表面形成一层材料；等离子体cvd晶圆加热器是半导体芯片加工的关键设备，起承载吸附晶圆及提供加热的作用,随着使用次数增加,晶圆在工艺过程中和等离子体cvd晶圆加热器表面接触,高温状态晶圆加热表面的铝材会被晶圆不停磨损,导致晶圆加热器表面平整度及吸附区域尺寸变差,吸附力下降,导致工艺无法正常完成,工艺结果变差。因此就需要将等离子体cvd晶圆加热器表面进行修复,保证表面的平整度和吸附区域尺寸,保证工艺正常进行；现有技术的修复方法是使用数控机床或手工进行修复,但是存在材料去除量较大，数控机床一次去除量为，导致晶圆加热器的可修磨次数少，使用成本高；另外晶圆加热器表面沟槽多、材料太软，导致不好控制表面平整度。沉积利用PECVD沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。PH132-PCC10A加热板代理商

    EvaporationDeposition）采用电阻加热或感应加热或者电子束等加热法将原料蒸发淀积到基片上的一种常用的成膜方法。蒸发原料的分子（或原子）的平均自由程长（10-4Pa以下，达几十米），所以在真空中几乎不与其他分子碰撞可直接到达基片。到达基片的原料分子不具有表面移动的能量，立即凝结在基片的表面，所以，在具有台阶的表面上以真空蒸发法淀积薄膜时，一般，表面被覆性（覆盖程度）是不理想的。但若可将Crambo真空抽至超高真空（<10–8torr），并且控制电流，使得欲镀物以一颗一颗原子蒸镀上去即成所谓分子束磊晶生长（MBE：MolecularBeamEpitaxy）。（3）溅镀（SputteringDeposition）所谓溅射是用高速粒子（如氩离子等）撞击固体表面，将固体表面的4004的50mm晶圆和Core2Duo的300mm晶圆原子撞击出来，利用这一现象来形成薄膜的技术即让等离子体中的离子加速，撞击原料靶材，将撞击出的靶材原子淀积到对面的基片表面形成薄膜。溅射法与真空蒸发法相比有以下的特点：台阶部分的被覆性好，可形成大面积的均质薄膜，形成的薄膜，可获得和化合物靶材同一成分的薄膜，可获得绝缘薄膜和高熔点材料的薄膜，形成的薄膜和下层材料具有良好的密接性能。因而。上海 PA6025-PCC200V加热板代理该锅炉因不易发生、不易泄漏有害气体、噪音小而普遍使用。

    膜厚与时间的平方根成正比。因而，要形成较厚SiO2膜，需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时，因在于OH基SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应，Si表面向深层移动，距离为SiO2膜厚的。因此，不同厚度的SiO2膜，去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜为透明，通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm，如果预告知道是几次干涉，就能正确估计。对其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式计算出(dSiO2)/(dox)=(nox)/(nSiO2)。SiO2膜很薄时，看不到干涉色，但可利用Si的疏水性和SiO2的亲水性来判断SiO2膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。SiO2和Si界面能级密度和固定电荷密度可由MOS二极管的电容特性求得。(100)面的Si的界面能级密度**低，约为10E+10--10E+11/cm?数量级。(100)面时，氧化膜中固定电荷较多，固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。晶圆热CVD热CVD(HotCVD)/(thermalCVD)，此方法生产性高，梯状敷层性佳(不管多凹凸不平，深孔中的表面亦产生反应，及气体可到达表面而附着薄膜)等，故用途极广。膜生成原理，例如由挥发性金属卤化物(MX)及金属有机化合物。

    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆加热装置。背景技术：随着科技进步，晶片的加工工艺越来越复杂，要求在单位晶圆面积内制作的器件更多，致使晶圆内线路的宽度变得更窄，晶圆在热盘上加热时，对热盘温度的均匀性要求更高。晶圆加热中使用的热盘都是由上盘和压片中夹一块加热片，或是在上盘中埋入几个加热管构成，通过一个温度传感器和一个控制器控制热盘的温度。使得热盘表面温度并不均匀，不能满足高精度晶圆的加工需求。再如中国实用新型u所公开的一种电控晶圆加热盘，包括硅橡胶电热圈、热导金属板、晶圆托盘、电子显示盒和屏蔽罩。所述硅橡胶电热圈与热导金属板连接；所述热导金属板与电子显示盒连接；所述晶圆托盘放置在热导金属板上方，并与电子显示盒相连；所述的屏蔽罩与电子显示盒相连，该实用新型只使用一个电热圈，会出现加热不均匀的情况。技术实现要素：一、要解决的技术问题针对现有技术所存在的上述缺陷，现有的晶圆加热方法存在的均匀性不佳的问题。二、技术方案为解决上述问题，特提供一种晶圆加热装置，晶圆加热装置包括控制模块和多分区热盘，多分区热盘包括***分区和第二分区；***分区包括***加热模块和***温度检测模块。导致国内对氮化铝陶瓷加热盘的需求变得紧张起来。

    本发明具如下有益于效用：通过将轴对称改成中心对称、将ω形状的加热板中心改成单独分体或封闭环形的构造，以及合理配置留置区和电压位置的安装，化解了传统加热板的构造的缺点，提高了采用的稳定性，增加了加热板的寿命。附图说明图1为传统加热片的构造示意图；图2为传统加热片的一种损坏方法；图3为传统加热片的另一个损坏方法；图4为本发明的一种加热板构造；图5为本发明的另一种加热板构造。图中，o中心点、1热弧板、2半圆形热片、21拐点、22空隙、3左电极、4右电极、5热环、6***加热片、60***热弧片、61***迂回端、7第二加热片、70第二热弧片、71第二迂回端、8留置区、91***电极、92第二电极。实际实施方法下面结合附图和实际实施例对本发明作更进一步详尽解释。为了化解现有技术存在的三个技术疑问，本发明提供一种加热板，包括，数目为偶数的若干组加热片。在实际使用中，偶数组加热片需将加热片分为两组，每组并联着分别联接到电源的两极。一般，还可以将加热片的数目设成4组或6组等，虽然分组越多，越易于致使加热的不平稳，但是对于需加热的较大面积，可以通过多组加热片实现延长加热片的寿命。所有加热片均为中心对称布置。碳和沙石中的二氧化硅进行化学反应。上海 PA6025-PCC200V加热板代理

传统加热板留置区分配不合理引致加热不平衡，也易于引致局部变形等疑问。PH132-PCC10A加热板代理商

    实际关乎一种mocvd反应腔用加热板。背景技术：半导体芯片在发育时，对温场的均匀性要求较高，因此一种加热均匀且使用寿命较久的加热板对半导体芯片的制作具有至关关键的效用。通过检索，在**称谓：一种用以mocvd装置的钨涂层加热片及其制备方式（cnb）中公开了一种加热片，但是这种加热片由于中心为镂空构造并不适合半导体领域的芯片发育采用。在目前，芯片生长中用到到的加热板的构造如附图1所示，中间是形状为ω的热弧板1，在热弧板1的两侧分别连通两组拱形热片2，两组半圆形热片2是直线对称的，在半圆形热片2的自由端是分别接着电源的左电极和右电极。将这种传统的加热片放在陶瓷上通电后给上方的芯片提供平稳的热源。这种平板型加热板是一种电阻式加热方法，通过热辐射的方法，给上方的生长芯片的载体（石墨盘）加热，提供芯片生长所需的热能和温场。由于加热板的空隙22部分对应上方的载盘位置的是从未直接热辐射加热的，石墨盘此部分的受热能量是靠其他部分的热传导。另外，石墨盘是通过高速转动的（1000rpm）实现载体（石墨盘）的表面温场的均匀性（±℃）。传统的对称式构造加热片中，加热板的空隙22部分是分布在同一个同心圆圆弧上。PH132-PCC10A加热板代理商

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