•晶体管光耦:将从晶体管光耦拓展至高放大倍数光耦,并根据客户的具体需求定制化光耦产品;•高速光耦:不断提升传输速率,将从10M以下逐步提升至15,25MHZ,并向百兆级通讯光耦迈进;•高压光耦:不断提升电压,将从400V/800V逐步提升至1200V,并在2023-2024年达到1500V及以上;•门驱动光耦:电流将从0.6A-2.5A提升至4A,并逐步升级为智能门驱动光耦与高隔离门驱动光耦;•光继电器:优化灵敏度,提高电压值及开关速度等性能指标。光电耦合器在多种电子设备中的应用非常常见。上海IPM光耦群芯微代理
仪器仪表可以分为通用型仪器仪表和**仪器仪表,通用型仪器仪表主要包括工业自动控制系统装臵制造、电工仪器仪表、绘图、计算及测量仪器、实验分析仪器、试验机制造、供应用仪器仪表、其他通用仪器;**仪器仪表主要包括环境监测**仪器仪表制造、运输设备及生产用计数仪表制造、导航、测绘、气象及海洋**仪器制造、农林牧渔**仪器仪表制造、地质勘探和地震**仪器制造、教学**仪器制造、核子及核辐射测量仪器制造、电子测量仪器制造、其他**仪器制造等。此类设备使用2类光耦较多:其一,用于设备供电区域做电压信号反馈用的晶体管类光耦,如:QX816、QX357、QX1018、QX4Nxx(带外部使能控制脚);其二,用于中速信号隔离通讯的光MOS,如QX17x,和用于高速信号隔离通讯的高速光耦,如,QX6N137、QX074L、QX0631等上海智能栅极驱动光耦群芯微代理库存光电耦合器应用于数字电路,可以将脉冲信号进行放大。
群芯微电子有限公司目前的产品包括:晶体管光耦、高速光耦、高压光耦、栅极驱动光耦、光继电器、MCU、电源管理芯片、MOSFET等产品,有自己的晶元封装工厂,广泛应用于家电,工控,光伏储能和新能源汽车。群芯微电子有着技术共享、平台开放、合作创新、共同发展的经营理念,推进各行业电子产品向高度智能化方向发展。在应用上可以根据客户的产品进行功能定义、系统集成、技术创新,并提供方案参考。让我们携起手来,共建美好的未来!
光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%~200%。这是因为当CTR<50%时,光耦中的LED就光纤耦合器需要较大的工作电流(IF>5.0mA),才能正常控制单片开关电源IC的占空比,这会增大光耦的功耗。若CTR>200%,在启动电路或者当负载发生突变时,有可能将单片开关电源误触发,影响正常输出。2、若用放大器电路去驱动光电耦合器,必须精心设计,保证它能够补偿耦合器的温度不稳定性和漂移。2、推荐采用线性光耦合器,其特点是CTR值能够在一定范围内做线性调整。 耦合器以光为媒介传输电信号。它对输入、输出电信号有良好的隔离作用。
光耦合器的输出特性实际也就是其内部光敏三极管的特性,与普通的三极管类似。常见的参数有:1.集电极电流Ic(CollectorCurrent)光敏三极管集电极所流过的电流,通常表示其最大值。2.集电极-发射极电压Vceo(C-EVoltage)集电极-发射极所能承受的电压。3.发射极-集电极电压Veco(E-CVoltage)发射极-集电极所能承受的电压4.反向截止电流Iceo5.C-E饱和电压Vce(sat)(C-ESaturationVoltage)四、传输特性:1.电流传输比CTR(CurrentTransferRadio)2.上升时间Tr(RiseTime)&下降时间Tf(FallTime)其它参数诸如工作温度、耗散功率等不再一一敷述。三、隔离特性1.入出间隔离电压Vio(IsolationVoltage)光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。2.入出间隔离电容Cio(IsolationCapacitance):光耦合器件输入端和输出端之间的电容值3.入出间隔离电阻Rio:(IsolationResistance) 光电耦合器分为两种:一种为非线性光耦,另一种为线性光耦。广东高电压可控硅光耦群芯微代理定制
开关电源中常用的光耦是线性光耦。上海IPM光耦群芯微代理
1、共模抑制比很高在光电耦合器内部,由于发光管和受光器之间的耦合电容很小(2pF以内)所以共模输入电压通过极间耦合电容对输出电流的影响很小,因而共模抑制比很高。2、输出特性光电耦合器的输出特性是指在一定的发光电流IF下,光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的关系,当IF=0时,发光二极管不发光,此时的光敏晶体管集电极输出电流称为暗电流,一般很小。当IF>0时,在一定的IF作用下,所对应的IC基本上与VCE无关。IC与IF之间的变化成线性关系,用半导体管特性图示仪测出的光电耦合器的输出特性与普通晶体三极管输出特性相似。上海IPM光耦群芯微代理
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