群芯微代理基本参数
  • 品牌
  • 群芯微
  • 型号
  • 全系列光耦
群芯微代理企业商机

•个性化:光耦接收芯片和热电堆芯片的设计和制造有别于其它标准的芯片设计和制造,其没有标准的成熟工艺,晶圆代工厂没有标准的IP可以提供,完全依赖***工程师多年的工艺积淀,使得**终的产品参数符合设计要求;•比肩国际:群芯微的产品参数已经达到国外博通和东芝的芯片参数,性能上达到国际前列水平。•群芯用集成电路封装测试的理念,使用***型号设备,通过对每个工艺节点、每颗芯片的加工过程进行监控,实现出厂的成品达到无缺陷的目标;•公司采用多芯片封装的先进封装技术,把传感器芯片整合到一个封装体中,实现SIP封装,**降低了成本,提高了可靠性,从而扩大了产品应用范围。这是一种有效、简单易行的模拟量传输方式。安徽高速光耦群芯微代理价格

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•晶体管光耦:将从晶体管光耦拓展至高放大倍数光耦,并根据客户的具体需求定制化光耦产品;•高速光耦:不断提升传输速率,将从10M以下逐步提升至15,25MHZ,并向百兆级通讯光耦迈进;•高压光耦:不断提升电压,将从400V/800V逐步提升至1200V,并在2023-2024年达到1500V及以上;•门驱动光耦:电流将从0.6A-2.5A提升至4A,并逐步升级为智能门驱动光耦与高隔离门驱动光耦;•光继电器:优化灵敏度,提高电压值及开关速度等性能指标。北京光继电器群芯微代理现货在计算机数字通信及实时控制中作为信号隔离的接口器件,可以**提高计算机工作的可靠性。

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1、共模抑制比很高在光电耦合器内部,由于发光管和受光器之间的耦合电容很小(2pF以内)所以共模输入电压通过极间耦合电容对输出电流的影响很小,因而共模抑制比很高。2、输出特性光电耦合器的输出特性是指在一定的发光电流IF下,光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的关系,当IF=0时,发光二极管不发光,此时的光敏晶体管集电极输出电流称为暗电流,一般很小。当IF>0时,在一定的IF作用下,所对应的IC基本上与VCE无关。IC与IF之间的变化成线性关系,用半导体管特性图示仪测出的光电耦合器的输出特性与普通晶体三极管输出特性相似。

伺服电机控制器是数控系统及其他相关机械控制领域的关键器件,一般是通过位置、速度和力矩三种方式对伺服马达进行控制,实现高精度的传动系统定位。伺服器上需要用到晶体管光耦、光继电器、高速光耦、栅极驱动光耦、IPM接口光耦、光隔离运算放大器等隔离器件。常用光耦型号:1.晶体管光耦:QX81x、QX101x、QX35x、QX3Hx、QX85x;2.高速光耦:QX6N13x、QXM6xx、QX053x、QX063x;3.栅极驱动光耦:QX314、QX34x、QX350、QX31xx;4.光继电器:QX2xx、QX17x;5.IPM接口光耦:QX48x、QX450x、QXM48x;6.光隔离运算放大器:QXC790、QXC78、QX7840.光电可控硅驱动器,特点是耐压高,驱动电流不大,当交流负载电流较小时,可以直接用它来驱动。

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以下为光电耦合器的常用参数:反向电流IR:在被测管两端加规定反向工作电压VR时,二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR:被测管通过的反向电流IR为规定值时,在两极间所产生的电压降。正向压降VF:二极管通过的正向电流为规定值时,正负极之间所产生的电压降。正向电流IF:在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。结电容CJ:在规定偏压下,被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO:发光二极管开路,集电极电流IC为规定值,集电极与发射集间的电压降。输出饱和压降VCE(sat):发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时,并保持IC/IF≤CTRmin时(CTRmin在被测管技术条件中规定)集电极与发射极之间的电压降。反向截止电流ICEO:发光二极管开路,集电极至发射极间的电压为规定值时,流过集电极的电流为反向截止电流。电流传输比CTR:输出管的工作电压为规定值时,输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。 它在长线传输信息中作为终端隔离元件可以**提高信噪比。山东隔离运算放大器群芯微代理技术支持

当需要对输出功率进行控制时,可以采用光电双向可控硅驱动器。安徽高速光耦群芯微代理价格

光耦合器的输出特性实际也就是其内部光敏三极管的特性,与普通的三极管类似。常见的参数有:1.集电极电流Ic(CollectorCurrent)光敏三极管集电极所流过的电流,通常表示其最大值。2.集电极-发射极电压Vceo(C-EVoltage)集电极-发射极所能承受的电压。3.发射极-集电极电压Veco(E-CVoltage)发射极-集电极所能承受的电压4.反向截止电流Iceo5.C-E饱和电压Vce(sat)(C-ESaturationVoltage)四、传输特性:1.电流传输比CTR(CurrentTransferRadio)2.上升时间Tr(RiseTime)&下降时间Tf(FallTime)其它参数诸如工作温度、耗散功率等不再一一敷述。三、隔离特性1.入出间隔离电压Vio(IsolationVoltage)光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。2.入出间隔离电容Cio(IsolationCapacitance):光耦合器件输入端和输出端之间的电容值3.入出间隔离电阻Rio:(IsolationResistance) 安徽高速光耦群芯微代理价格

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