所述印刷电路装配件400中的每个印刷电路装配件上的散热器208a、208b的顶表面302与另一个印刷电路装配件400上的热接口材料层408接触，并且与该热接口材料层408热耦联，如在410a和410b处所指示的那样。在这种配置中，每个印刷电路装配件400上的双列直插式存储模块组件200由另一个印刷电路装配件400的冷却管406冷却。图5是移除了双列直插式存储模块组件200的印刷电路装配件400的图。参考图5，可以清楚地看到印刷电路板插座404、邻接并且平行的冷却管406以及布置在平行的冷却管406上的热接口材料层408。图6是带有已安装在印刷电路板插座404中的双列直插式存储模块组件200并且带有已附接的分流管的印刷电路装配件400的图。参考回图5，每个冷却管406的端部耦联至输入分流管606a，并且每个冷却管406的第二端部耦联至输出分流管606b。在操作中，冷却液体通过输入分流管606a进入各冷却管，并且被加热的液体通过输出分流管606b离开各冷却管。图7a和图7b示出了根据一个实施例的、特征在于外部铰链的双列直插式存储模块组件。图7b示出了分解图，而图7a示出了装配图。双列直插式存储模块组件700包括印刷电路板702，在印刷电路板702上安装有一个或多个集成电路(一般地以704示出)。上海海谷电子有限公司致力于提供电子料回收，欢迎您的来电哦！贵州三极管回收价格
侧壁间隔件261和262)的节距p3可以等于或者不同于与该心轴图案相邻的心轴图案的两个相对的侧壁间隔件(例如，侧壁间隔件262和263)的节距p4。在一些实施例中，侧壁间隔件261至266的平均节距被减小到抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3的1/2平均节距。在一些实施例中，可以以图4f的结构作为起点来按顺序应用施加空间层和重复蚀刻步骤。参照图4g，可以在介电层220上方、在侧壁间隔件261至266上方以及在侧壁间隔件261至266的侧壁上形成第二间隔层270。换言之，侧壁间隔件261至266可以用作第二心轴图案。在一些实施例中，已经制造261至266以接受材料沉积，然后将蚀刻掉261至266，在原位留下沉积的材料。在介电层220和侧壁间隔件261至266上方设置第二间隔层270。第二间隔层270包括与介电层220和侧壁间隔件261至266不同的一种或更多种材料，使得第二间隔层270针对蚀刻工艺具有不同的蚀刻选择性。可以通过cvd工艺、pvd工艺、ald工艺或其他合适的沉积技术形成第二间隔层270。参照图4h，针对第二间隔层270执行蚀刻工艺，从而定义第二侧壁间隔件271至282。参照图4i，执行具有合适的蚀刻选择性的蚀刻工艺以去除侧壁间隔件261至266，并且保留第二侧壁间隔件271至282。湖北电感元件回收网上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子料回收的公司。
所述方法包括：提供两个印刷电路装配件，每个所述印刷电路装配件包括：系统板，在所述系统板上的多个印刷电路板插座，多个液体冷却管，每个所述液体冷却管邻接于所述印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座地耦联至所述系统板，连接至所述印刷电路板插座的多个集成电路模块，和多个散热器，每个所述散热器与所述集成电路模块中的一个集成电路模块热耦联；以及将所述印刷电路装配件彼此相对地布置，使得所述两个印刷电路装配件的集成电路模块彼此交错，并且所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件的液体冷却管热耦联。附图说明参考下列附图，根据一个或多个不同实施例详细描述了本公开。附图出于说明的目的提供，并且描绘典型或示例的实施例。图1是系统的关系图，在该系统中可以实施不同实施例。图2a和图2b示出了根据一个实施例的双列直插式存储模块(dimm)组件。图3示出了图2a和图2b的双列直插式存储模块组件的一侧的视图。图4a示出了根据一个实施例的两个相同的印刷电路装配件。图4b示出了图4a的两个印刷电路装配件，所述两个印刷电路装配件相对地放置在一起。
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可以使用光刻工艺形成抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3。例如，使用旋涂工艺和软焙工艺在层250上形成抗蚀剂层。然后，使用针对图4c的心轴图案231、232和233而定义的掩模将抗蚀剂层暴露于辐射。心轴图案231、232和233将提供基于231、232和233创建图4e中所示的侧壁间隔件261至266的基础。终将蚀刻掉心轴图案231、232和233。使用曝光后烘焙、显影和硬烘焙来使曝光的抗蚀剂层显影，从而在层250上方形成抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3。抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3在方向x上具有节距p1和宽度w1。参照图4c，通过抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3的开口蚀刻层250、240和230以形成心轴图案231、232和233。蚀刻工艺可以包括干法(或等离子体)蚀刻、湿法蚀刻或其他合适的蚀刻方法。之后使用合适的工艺(诸如，湿法剥离或等离子体灰化)去除抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3。还使用一个或更多个蚀刻工艺去除层250和层240，从而在中间层220上方产生图4c中所示的心轴图案231、232和233。考虑到通过上述图案化工艺的特征变化，心轴图案231、232和233在方向x上具有分别与节距p1和宽度w1基本匹配的节距p2和宽度w2。参照图4d，在介电层220上方、在心轴图案231、232和233上方以及在心轴图案231、232和233的侧壁上形成间隔层260。上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收，有需求可以来电咨询！浙江电子物料回收公司
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本实用新型涉及集成电路芯片技术领域，尤其涉及一种组合式集成电路芯片。背景技术：集成电路是一种微型电子器件或部件，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步，而集成电路芯片是包括一硅基板、至少一电路、一固定封环、一接地环及至少一防护环的电子元件，其电路形成于硅基板上，电路具有至少一输出/输入垫，固定封环形成于硅基板上，并围绕电路及输出/输入垫，接地环形成于硅基板及输出/输入垫之间，并与固定封环电连接，防护环设置于硅基板之上，并围绕输出/输入垫，用以与固定封环电连接。目前集成电路芯片在使用的时候会散发大量的热量，但现有的芯片散热效率较低，导致芯片长时间处于高温环境中，高温不光影响芯片运行的流畅度，还会损伤芯片，进而影响芯片的使用寿命。技术实现要素：本实用新型的目的是为了解决现有技术中集成电路芯片的散热效率较低，导致芯片长时间处于高温环境中，高温不光影响芯片运行的流畅度，还会损伤芯片，进而影响芯片使用寿命的问题，而提出的一种组合式集成电路芯片。为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：一种组合式集成电路芯片，包括芯片本体。贵州三极管回收价格
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