图2是图1的俯视方向示意图。附图标记列示如下：1-芯板；2-上覆铜层；3-下覆铜层；4-磁环；5-第二磁环；6-第三磁环；7-环形槽；8-第二环形槽；9-第三环形槽；10-环初级绕组外过孔；11-环初级绕组内过孔；12-环次级绕组内过孔；13-环次级绕组外过孔；14-第二环初级绕组外过孔；15-第二环初级绕组内过孔；16-第二环次级绕组内过孔；17-第二环次级绕组外过孔；18-第三环初级绕组外过孔；19-第三环初级绕组内过孔；20-第三环次级绕组内过孔；21-第三环次级绕组外过孔。具体实施方式下面结 合附图(图1-图2)对本发明进行说明。图1是实施本发明一种集成电路基板的结构示意图，图1表现的是截面结构。图2是图1的俯视方向示意图。如图1至图2所示，一种集成电路基板，包括基板本体，所述基板本体中包括覆铜芯板，所述覆铜芯板包括芯板1和结合于芯板1表面的上覆铜层2以及结合于芯板1底面的下覆铜层3，所述芯板1上设置有开口朝上的环形槽(例如环形槽7；第二环形槽8；第三环形槽9)，所述开口延伸至所述上覆铜层2之外。所述环形槽为控深铣槽(即采用铣削工艺并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述开口位于所述上覆铜层的部分为蚀刻开口(例如，蚀刻铜箔。上海海谷电子有限公司为您提供回收，有想法可以来我司咨询！湖北电子物料回收公司
示出了一个处理器1500。可选地，多个处理器可以包括在设计系统1000中。此外，处理器1500可以包括增加计算容量的高速缓存存储器。这样，根据示例实施例的集成电路和设计集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。图15是示出图14的设计系统的示例操作的流程图。参照图14和图15，设计模块1400可以接收定义集成电路的输入数据di(s11)。布局模块1200可以参照包括如上所述的多个标准单元的标准单元库1110，以便提取与输入数据di对应的标准单元，并且可以使用提取的标准单元执行单元布局(s12)。布线模块1300可以针对布局的单元执行信号布线(s13)。当信号布线不成功时(s14：否)，布局模块1200可以替换至少一个标准单元，例如，可以用另一标准单元替换至少一个标准单元，以修改单元的布局(s15)。布线模块1300可以针对修改的布局再次执行信号布线(s13)。这样，可以重复地布局和布线，直到成功完成信号布线。当信号布线成功完成时(s14：是)，设计模块1400可以生成定义集成电路的输出数据do(s16)。图16是示出根据示例实施例的集成电路的布图的示图。图16的集成电路300可以是集成电路(asic)。湖北电子元件物料回收量大从优回收，就选上海海谷电子有限公司，有想法的可以来电咨询！
四倍心轴图案qpm1、qpm2和qmp3可以布置为在方向x上具有相同的四倍心轴节距pqm，四倍心轴节距pqm可以与抗蚀剂图案的节距相同。针对单元线路结构uws4、uws5和uws6中每个，可以使用三个四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3在列导电层ccl中形成十二条列金属线ml1至ml12。每个单元线路结构的十二条列金属线ml1至ml12可以在方向x上布置成顺序地且重复地具有金属节距pm21、第二金属节距pm22、金属节距pm21和第三金属节距pm23。金属节距pm21、第二金属节距pm22和第三金属节距pm23可以由表达式4表示。表达式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlpm23＝pqm-(wqm+2wdm+wml)在表达式4中，wdm表示双倍心轴图案dpm1至dpm6的宽度，wqm表示四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3的宽度，wml表示列金属线ml1至ml12的宽度。在形成列金属线ml1至ml12之前，可以在列导电层ccl下方的栅极层gtl中形成针对每个单元线路结构的八条栅极线gl1至gl8。参照图8，每个单元线路结构uws4的八条栅极线gl1至gl8可以通过单图案化形成。在这种情况下，每个单元线路结构uws4的八条栅极线gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的栅极节距pg2。栅极节距pg2可以等于通过曝光工艺形成的抗蚀剂图案的节距。参照图9。
所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸，其中，6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构，其中，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上。根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。附图说明通过以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本公开的示例实施例。图1是示出制造集成电路的方法的流程图。图2是根据示例实施例的集成电路的截面图。图3是根据示例实施例的集成电路的图。图4a至图4i是用于描述根据示例实施例的用于制造集成电路的图案化工艺的示图。图5至图10是根据示例实施例的应用于 集成电路的单元线路结构的示例实施例的示图。图11是示出示例标准单元的布图的示图。图12a、图12b和图12c是图11的标准单元的截面图。图13是示出根据示例实施例的设计集成电路的方法的示图。图14是示出根据示例实施例的集成电路的设计系统的框图。图15是示出图14的设计系统的示例操作的流程图。图16是示出根据示例实施例的集成电路的布图的示图。图17是示出根据示例实施例的移动装置的框图。具体实施方式在下文中将参照示出一些示例实施例的附图更地描述各种示例实施例。在附图中。上海海谷电子有限公司致力于提供回收，有想法可以来我司咨询。
每个单元线路结构uws5的八条栅极线gl1至gl8可以通过sadp形成。如参照图4a至图4i所述，可以在栅极层gtl上方形成双倍心轴图案dpg1至dpg4。例如，双倍心轴图案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的双倍心轴节距pdg。在这种情况下，每个单元线路结构uws5的八条栅极线gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有栅极节距pg11和第二栅极节距pg12 。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以彼此不同。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以由表达式2表示。参照图10，每个单元线路结构uws6的八条栅极线gl1至gl8可以通过saqp形成。如参照图4a至图4i所述，可以在栅极层gtl上方顺序地形成四倍心轴图案qpg1和qpg2以及双倍心轴图案dpg1至dpg4。例如，四倍心轴图案qpg1和qpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的四倍心轴节距pqg。在这种情况下，每个单元线路结构uws6的八条栅极线gl1至gl8可以在方向x上布置成顺序地且重复地具有栅极节距pg21、第二栅极节距pg22、栅极节距pg21和第三栅极节距pg23。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以彼此不同。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以由表达式3表示。上海海谷电子有限公司是一家专业提供回收的公司，有需求可以来电咨询！上海集成电路回收公司
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四倍心轴图案qpm1、qpm2和qmp3可以布置为在方向x上具有相同的四倍心轴节距pqm，四倍心轴节距pqm可以与抗蚀剂图案的节距相同。针对单元线路结构uws4、uws5和uws6中每个，可以使用三个四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3在列导电层ccl中形成十二条列金属线 ml1至ml12。每个单元线路结构的十二条列金属线ml1至ml12可以在方向x上布置成顺序地且重复地具有金属节距pm21、第二金属节距pm22、金属节距pm21和第三金属节距pm23。金属节距pm21、第二金属节距pm22和第三金属节距pm23可以由表达式4表示。表达式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlpm23＝pqm-(wqm+2wdm+wml)在表达式4中，wdm表示双倍心轴图案dpm1至dpm6的宽度，wqm表示四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3的宽度，wml表示列金属线ml1至ml12的宽度。在形成列金属线ml1至ml12之前，可以在列导电层ccl下方的栅极层gtl中形成针对每个单元线路结构的八条栅极线gl1至gl8。参照图8，每个单元线路结构uws4的八条栅极线gl1至gl8可以通过单图案化形成。在这种情况下，每个单元线路结构uws4的八条栅极线gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的栅极节距pg2。栅极节距pg2可以等于通过曝光工艺形成的抗蚀剂图案的节距。参照图9。湖北电子物料回收公司
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