在半导体基底200上方形成中间层210、220和230。半导体基底200包括作为半导体晶圆的硅。在各种实施例中,半导体基底200可以包括另一元素半导体(诸如,锗)、化合物半导体(诸如,碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟)、合金半导体(诸如,gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它们的组合。半导体基底200可以包括有源区、外延特征、隔离结构、鳍状半导体区域和/或其他合适的特征。在一些示例实施例中,半导体基底200包括多晶硅层,该多晶硅层可被用于形成多晶硅栅电极或者用于在栅极替换工艺中形成虚设栅电极。中间层210、220和230可以是介电层,可以通过诸如热氧化、化学气相沉积(cvd)、物相沉积(pvd)、等离子体增强cvd(pecvd)和原子层沉积(ald)的一种或更多种沉积技术形成所述介电层。参照图4b,在设置在介电层230上方的层240和层250上方对光致抗蚀剂(或抗蚀剂图案)pr1、pr2和pr3进行图案化。例如,层250可以是含硅硬掩模层,层240可以是抗反射涂层。可以使用cvd、pvd或其他合适的方法形成层240和层250。在一些示例实施例中,可以在介电层230上方直接形成抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3而没有层240和层250。电子料回收,请选择上海海谷电子有限公司,用户的信赖之选。江苏电子元器件回收量大从优
集成电路还包括连接在第二位线和工作mtj器件之间的第二调节mtj器件,字线连接至字线解码器并且第二位线连接至位线解码器。在一些实施例中,集成电路还包括连接在调节mtj器件和工作mtj器件之间的偏置电压线,偏置电压线连接至偏置电路,偏置电路被配置为选择性地将偏置电压施加至偏置电压线。在又一些其它实施例中,本发明涉及一种形成集成电路的方法。该方法包括在衬底上方形成互连层;在互连层正上方形成多个mtj器件,多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件,调节mtj器件被配置为选择性地控制流至工作mtj器件的电流;以及在多个mtj器件上方形成第二互连层,互连层和第二互连层中的一个或两个限定位线和一条或多条字线。在一些实施例中,一个或多个调节mtj器件分别包括固定层、自由层和设置在固定层和自由层之间的介电阻挡层。在一些实施例中,该方法还包括同时形成工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件。上面概述了若干实施例的特征,使得本领域人员可以更好地理解本发明的方面。本领域人员应该理解,它们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实施与本文所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其它工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到。中国台湾电子料库存回收行情电子料回收,请选择上海海谷电子有限公司,用户的信赖之选,有想法的不要错过哦!
示出了一个处理器1500。可选地,多个处理器可以包括在设计系统1000中。此外,处理器1500可以包括增加计算容量的高速缓存存储器。这样,根据示例实施例的集成电路和设计集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。图15是示出图14的设计系统的示例操作的流程图。参照图14和图15,设计模块1400可以接收定义集成电路的输入数据di(s11)。布局模块1200可以参照包括如上所述的多个标准单元的标准单元库1110,以便提取与输入数据di对应的标准单元,并且可以使用提取的标准单元执行单元布局(s12)。布线模块1300可以针对布局的单元执行信号布线(s13)。当信号布线不成功时(s14:否),布局模块1200可以替换至少一个标准单元,例如,可以用另一标准单元替换至少一个标准单元,以修改单元的布局(s15)。布线模块1300可以针对修改的布局再次执行信号布线(s13)。这样,可以重复地布局和布线,直到成功完成信号布线。当信号布线成功完成时(s14:是),设计模块1400可以生成定义集成电路的输出数据do(s16)。图16是示出根据示例实施例的集成电路的布图的示图。图16的集成电路300可以是集成电路(asic)。
每个单元线路结构的八条栅极线通过自对准双倍图案化(sadp)形成,并且每个单元线路结构的八条栅极线在方向上布置成交替地具有栅极节距和第二栅极节距。在又一实施例中,每个单元线路结构包括十二条金属线和八条栅极线,每个单元线路结构的十二条金属线通过自对准四倍图案化(saqp)形成,并且每个单元线路结构的十二条金属线在方向上布置成顺序地且重复地具有金属节距、第二金属节距、金属节距和第三金属节距。在这个实施例中,每个单元线路结构的八条栅极线通过saqp形成,并且每个单元线路结构的八条栅极线在方向上布置成顺序地且重复地具有栅极节距、第二栅极节距、栅极节距和第三栅极节距。还提供一种制造集成电路的方法。所述方法包括:在半导体基底上方的栅极层中形成多条栅极线,所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸;以及在栅极层上方的导电层中形成多条金属线,所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸,使得包括在所述多条金属线中的6n条金属线和包括在所述多条栅极线中的4n条栅极线形成单元线路结构,其中,n是正整数,并且多个单元线路结构布置在方向上。在所述方法的一些实施例中。上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子料回收的公司,欢迎新老客户来电!
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