接收关于一参考分类的信息，该参考分类是通过人工比较该预设电压和该实际电压获得的；基于该不成熟分类和该参考分类，将该预设电压更新为一经学习电压；以及基于该经学习电压，产生经配置以调整回转率的预测。本公开还提供一种集成电路元件。该集成电路元件包括一比较器以及一减法器电路。该比较器包括一输入端耦合到一实际电压。该减法器电路包括一输入端耦合到该比较器的一输出端，以及另一输入端耦合到一参考电压，其中因应于该参考电压和该减法器电路的一输出端的一电压之间的一差值的存在，该比较器的该另一输入端从耦合一预设电压改为耦合到一经学习电压。本公开还提供一种电路。该电路包括一驱动器以及一机器学习电路。该驱动器经配置以驱动一信号。该机器学习电路包括一比较器。该比较器包括一输入端，其中该输入端因应于一不成熟分类和一参考分类之间的一差异而耦合到一经学习电压，其中该机器学习电路经配置以基于该经学习电压来调整该信号的一回转率。虽然已详述本公开及其优点，然而应理解可进行各种变化、取代与替代而不脱离权利要求所定义的本公开的精神与范围。例如，可用不同的方法实施上述的许多工艺，并且以其他工艺或其组合替代上述的许多工艺。再者。上海海谷电子有限公司是一家专业提供回收的公司，欢迎新老客户来电！贵州电子物料回收联系方式
可以在多个mtj器件106、204和206上方沉积第二ild层1102，并且然后选择性地图案化第二ild层1102以限定顶电极通孔开口。然后通过沉积工艺在顶电极通孔开口内形成多个顶电极通孔410。在各个实施例中，第二ild层1102可以包括一种或多种介电材料，诸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃(例如，硼磷硅酸盐玻璃)等。在各个实施例中，多个顶电极通孔410可以包括导电材料，诸如钛、氮化钛、钽等。在多个mtj器件106、204和206上方的第三ild层1104内形成第二互连层406b。在一些实施例中，第二互连层406b包括限定存储单元202a,1的位线bl1和一条或多条字线wl1至wl2的多个互连结构。在一些实施例中，第三ild层1104可以包括通过一个或多个沉积工艺(例如，pvd、cvd、pe-cvd等)形成的电介质(例如，氧化物、低k电介质或k电介质)。可以通过选择性地蚀刻第三ild层1104以在第三ild层1104内形成开口来形成第二互连层406b。然后在开口内沉积导电材料(例如，铜和/或铝)，以及随后的平坦化工艺(例如，化学机械平坦化工艺)以形成第二互连层406b。如图12的截面图1200所示，可以在存储单元202a,1上方形成第二存储单元202b,1。第二存储单元202b。江西电子料库存回收厂家上海海谷电子有限公司致力于提供回收，有想法的不要错过哦！
根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构uws1至uws6来提高集成电路的设计效率和性能。在下文中，参照可以支持根据示例实施例的集成电路的布图的理解的图11、图12a、图12b和图12c描述标准单元的示例结构。图11实质上是示意的，图11中未示出上述实施例的所有特征。图2示出在一些实施例中金属线“ml”相对于栅极线“gl”以6比4的比率出现。图5和图7示出单个单元线路结构(uws)中存在六条金属线和四条栅极线的实施例。图8示出在具有八条栅极线(“gl”)的单个单元线路结构(uws)中存在十二条金属线(“ml”)的实施例。图11是示出示例标准单元的布图的示图，图12a、12b和12c是图11的标准单元的截面图。图12a、12b和12c示出包括鳍式场效应晶体管(finfet)的标准单元scl的一部分。图12a是图11的标准单元scl沿线a-a'的截面图。图12b是图11的标准单元scl沿b-b'线的截面图。图12c是图11的标准单元scl沿线c-c'的截面图。参照图11、图12a、图12b和图12c，标准单元可以形成在具有上表面110a的基底110上，该上表面110a在水平方向(例如，方向x和第二方向y)上延伸。在一些示例实施例中，基底110可以包括例如硅(si)、锗。
其中形成线路图案的至少一个导电层可以插入在栅极层gtl与列导电层ccl之间，和/或至少一个导电层可以设置在列导电层ccl上方。在一些示例实施例中，集成电路还可以包括形成在栅极层gtl与列导电层ccl之间的行导电层中的多条行金属线，使得行金属线布置在第二方向y上并且在方向x上延伸。在栅极层gtl上方依次设置的导电层可以称为m1层、m2层、m3层、m4层等。行导电层可以对应于m1层或m2层，列导电层ccl可以对应于m2层或m3层。图4a至图4i是用于描述根据示例实施例的用于制造集成电路的图案化工艺的示图。可以参照图4a至图4i描述与单图案化、sadp和saqp相关联的单元线路结构的节距。参照图4a至图4i描述心轴间隔件图案化(themandrelspacerpatterning)作为示例，但是示例实施例不限于特定的图案化工艺。在本公开中，单图案化、sadp和saqp定义如下。单图案化或直接图案化表示形成与光刻工艺中的曝光图案具有相同的平均节距的目标图案。这里，目标图案包括根据示例实施例的单元线路结构中所包含的栅极线和列金属线。sadp表示形成具有与所述曝光图案的1/2平均节距对应的平均节距的目标图案。saqp表示形成具有与所述曝光图案的1/4平均节距对应的平均节距的目标图案。参照图4a。回收，就选上海海谷电子有限公司，有需求可以来电咨询！
三星始终关注商务人士的使用环境，2006年三星从产品层面的衍生，提升到关注商务人士的生活方式，体现了三星笔记本电脑的人文关怀。尤其值得注意的是：1999年，三星决策加入奥林匹克TOP计划（TheOlympicPlan，全球赞助商计划）以提高品牌形象。自此，三星将奥运理念融入企业品牌。三星坚信，三星品牌与体育休闲产业是一种完美的结合。通过三星（SAMSUNG）韩国品牌三星为自己的定位是：数字融合的**；其品牌内涵是：数字世三星设计研究所怎么样韩三星韩语说能走高层领导比较困难待遇看具体技术类员技术类能些说比般企些欧美企业能比有谁了解在集成电路中大的展会是什么时候的哪家举办的谢谢有谁了解在集成电路中大的展会是什么时候的,哪家举办的。 回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，有需要可以联系我司哦！北京废弃电子料回收市场
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集成电路还包括连接在第二位线和工作mtj器件之间的第二调节mtj器件，字线连接至字线解码器并且第二位线连接至位线解码器。在一些实施例中，集成电路还包括连接在调节mtj器件和工作mtj器件之间的偏置电压线，偏置电压线连接至偏置电路，偏置电路被配置为选择性地将偏置电压施加至偏置电压线。在又一些其它实施例中，本发明涉及一种形成集成电路的方法。该方法包括在衬底上方形成互连层；在互连层正上方形成多个mtj器件，多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件，调节mtj器件被配置为选择性地控制流至工作mtj器件的电流；以及在多个mtj器件上方形成第二互连层，互连层和第二互连层中的一个或两个限定位线和一条或多条字线。在一些实施例中，一个或多个调节mtj器件分别包括固定层、自由层和设置在固定层和自由层之间的介电阻挡层。在一些实施例中，该方法还包括同时形成工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件。上面概述了若干实施例的特征，使得本领域人员可以更好地理解本发明的方面。本领域人员应该理解，它们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实施与本文所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其它工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到。贵州电子物料回收联系方式
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