集成电路300可以包括在方向x上重复布置的多个单元线路结构uws。每个单元线路结构uws包括如上所述的6n条列金属线和4n条栅极线。图17是示出根据示例实施例的移动装置的框图。参照图17，移动装置4000可以包括至少一个应用处理器4100、通信模块4200、显示/触摸模块4300、存储装置4400和缓冲ram4500。应用处理器4100可以控制移动装置4000的操作。通信模块4200被实现为与外部装置执行无线或有线通信。显示/触摸模块4300被实现为显示由应用处理器4100处理的数据和/或通过触摸板接收数据。存储装置4400被实现为存储用户数据。存储装置4400可以是嵌入式多媒体卡(emmc)、固态驱动器(ssd)、通用闪存(ufs)装置等。如上所述，存储装置4400可以执行映射数据和用户数据的高速缓存。缓冲ram4500可以临时地存储用于处理移动装置4000的操作的数据。例如，缓冲ram4500可以是易失性存储器，诸如，双倍数据速率(ddr)同步动态随机存取存储器(sdram)、低功率双倍数据速率(lpddr)sdram、图形双倍数据速率(gddr)sdram、rambus动态随机存取存储器(rdram)等。根据如上所述的示例实施例，移动装置4000中的至少一个组件可以包括具有单元线路结构的集成电路。这样。上海海谷电子有限公司致力于提供回收，有需求可以来电咨询！湖北废弃电子料回收价格
图2是图1的俯视方向示意图。附图标记列示如下：1-芯板；2-上覆铜层；3-下覆铜层；4-磁环；5-第二磁环；6-第三磁环；7-环形槽；8-第二环形槽；9-第三环形槽；10-环初级绕组外过孔；11-环初级绕组内过孔；12-环次级绕组内过孔；13-环次级绕组外过孔；14-第二环初级绕组外过孔；15-第二环初级绕组内过孔；16-第二环次级绕组内过孔；17-第二环次级绕组外过孔；18-第三环初级绕组外过孔；19-第三环初级绕组内过孔；20-第三环次级绕组内过孔；21-第三环次级绕组外过孔。具体实施方式下面结 合附图(图1-图2)对本发明进行说明。图1是实施本发明一种集成电路基板的结构示意图，图1表现的是截面结构。图2是图1的俯视方向示意图。如图1至图2所示，一种集成电路基板，包括基板本体，所述基板本体中包括覆铜芯板，所述覆铜芯板包括芯板1和结合于芯板1表面的上覆铜层2以及结合于芯板1底面的下覆铜层3，所述芯板1上设置有开口朝上的环形槽(例如环形槽7；第二环形槽8；第三环形槽9)，所述开口延伸至所述上覆铜层2之外。所述环形槽为控深铣槽(即采用铣削工艺并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述开口位于所述上覆铜层的部分为蚀刻开口(例如，蚀刻铜箔。山西电子料上门回收市场上海海谷电子有限公司是一家专业提供回收的公司，有想法的可以来电咨询！
每个单元线路结构uws5的八条栅极线gl1至gl8可以通过sadp形成。如参照图4a至图4i所述，可以在栅极层gtl上方形成双倍心轴图案dpg1至dpg4。例如，双倍心轴图案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的双倍心轴节距pdg。在这种情况下，每个单元线路结构uws5的八条栅极线gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有栅极节距pg11和第二栅极节距pg12 。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以彼此不同。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以由表达式2表示。参照图10，每个单元线路结构uws6的八条栅极线gl1至gl8可以通过saqp形成。如参照图4a至图4i所述，可以在栅极层gtl上方顺序地形成四倍心轴图案qpg1和qpg2以及双倍心轴图案dpg1至dpg4。例如，四倍心轴图案qpg1和qpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的四倍心轴节距pqg。在这种情况下，每个单元线路结构uws6的八条栅极线gl1至gl8可以在方向x上布置成顺序地且重复地具有栅极节距pg21、第二栅极节距pg22、栅极节距pg21和第三栅极节距pg23。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以彼此不同。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以由表达式3表示。
具备以下有益效果：该组合式集成电路芯片，通过设置有空心导热块、空心散热块和第二空心散热块，当芯片本体与集尘电路板安装的时候，首先把l形杆插入螺纹块的凹槽中，接着通过螺母与螺纹块连接，达到固定散热机构的目的，之后打开管盖，并通过导管向空心导热块内加注部分纯净水，接着盖上管盖，在芯片本体工作散发热量的时候，热量被空心导热块吸收，同时空心导热块内部的纯净水受热蒸发，并通过连通管和第二连接管进入到空心散热块和第二散热块中，利用空心散热块和第二空心散热块较 大的散热面积快速的把热量导出，然后水蒸汽凝结成水珠，水珠回到空心导热块中继续吸收热量，该结构能够有效提高芯片的散热效率，同时提高了芯片运行的流畅性，以及避免芯片因高温而损伤，提高了芯片的使用寿命。该装置中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现，本实用新型能够有效提高芯片的散热效率，同时提高了芯片运行的流畅性，以及避免芯片因高温而损伤，提高了芯片的使用寿命。附图说明图1为本实用新型提出的一种组合式集成电路芯片的结构示意图；图2为本实用新型提出的一种组合式集成电路芯片a部分的结构示意图。回收，就选上海海谷电子有限公司，让您满意，期待您的光临！
可以通过执行标准单元sc1至sc12的上述布局和布线来确定集成电路300的布图。可以通过电力轨311至316向标准单元sc1至sc12提供电力。电力轨311至316可以包括用于提供电源电压vdd的高电力轨311、313和315，以及用于提供比电源电压vdd低的第二电源电压vss的低电力轨312、314和316。例如，电源电压vdd可以具有正电压电平，第二电源电压vss可以具有地电平(例如，0v)或负电压电平。高电力轨311、313和315以及低电力轨312、314和316在方向x上延伸并且逐一交替地布置在第二方向y上，以形成与由布置在第二方向y上的电力轨311至316定义的区域对应的多个电路行cr1至cr5的边界。根据一些示例实施例，可以通过在第二方向y上延伸的电力网线路321至324将电力分配到电力轨311至316。一些电力网线路322和324可以提供电源电压vdd，并且其他电力网线路321和323可以提供第二电源电压vss。电力网线路321至324可以通过竖直接触件vc(诸如，通孔接触件)连接到电力轨311至316。通常，电路行cr1至cr5中的每个可以连接到位于其边界的两个相邻的电力轨以便被供电。例如，电路行cr1中的标准单元sc1和sc2可以连接到包括高电力轨311和低电力轨312的相邻的且相应的电力轨对。根据示例实施例，如图16中所示。回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选。福建电子元件物料回收
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可以在栅极层gtl上方顺序地形成四倍心轴图案qpg以及双倍心轴图案dpg1和dpg2。例如，四倍心轴图案qpg可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的四倍心轴节距pqg。在这种情况下，每个单元线路结构uws3的四条栅极线gl1至gl4可以在方向x上布置成顺序地具有栅极节距pg21、第二栅极节距pg22、栅极节距pg21和第三栅极节距pg23。在一些实施例中，第三栅极节距pg23是距下一个单元线路结构的距离。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以彼此不同。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以由表达式3表示。表达式3pg21＝wdg+wglpg22＝wqg-wglpg23＝pqg-(wqg+2wdg+wgl)在表达式3中，wdg表示双倍心轴图案dpg1和dpg2的宽度，wqg表示四倍心轴图案qpg的宽度，wgl表示栅极线gl1至gl4的宽度。在下文中，将参照图8、图9和图10描述通过saqp形成多条列金属线的示例实施例。参照图8、图9和图10，单元线路结构uws4、uws5和uws6中的每个可以包括分别布置在方向x上的十二条列金属线ml1至ml12和八条栅极线gl1至gl8。如参照图4a至图4i所述，可以在列导电层ccl上方顺序地形成四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3以及双心轴图案dpm1至dmp6。例如。湖北废弃电子料回收价格
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