在图5中的具有n＝1的单元线路结构中，存在六条金属线和四条栅极线。图5包括多个单元线路结构，多个单元线路结构包括图5的左侧的单元线路结构以及图5的右侧的第二单元线路结构，第二单元线路结构在x方向(在此也称为方向x)上与单元线路结构相邻，并且第二单元线路结构的形貌与单元线路结构的形貌相同。参照图6，每个单元线路结构uws2的四条栅极线gl1至gl4可以通过sadp形成。如参照图4a至图4i所述，可以在栅极层gtl上方形成双倍心轴图案dpg1和dpg2。标签“dpg”可以理解如下：“d”表示双倍，“p”表示图案，“g”表示栅极。例如，双倍心轴图案dpg1和dpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的双倍心轴节距pdg。在这种情况下，每个单元线路结构uws2的四条栅极线gl1至gl4可以在方向x上布置成交替地具有栅极节距pg11和第二栅极节距pg12。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以由表达式2表示。表达式2pg11＝wdg+wglpg12＝pdg-(wdg+wgl)在表达式2中，wdg表示双倍心轴图案dpg1和dpg2的宽度，wgl表示栅极线gl1至gl4的宽度。参照图7，每个单元线路结构uws3的四条栅极线gl1至gl4可以通过saqp形成。如参照图4a至图4i所述。回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，欢迎新老客户来电！山东电子料高价回收
所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸，其中，6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构，其中，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上。根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。附图说明通过以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本公开的示例实施例。图1是示出制造集成电路的方法的流程图。图2是根据示例实施例的集成电路的截面图。图3是根据示例实施例的集成电路的图。图4a至图4i是用于描述根据示例实施例的用于制造集成电路的图案化工艺的示图。图5至图10是根据示例实施例的应用于 集成电路的单元线路结构的示例实施例的示图。图11是示出示例标准单元的布图的示图。图12a、图12b和图12c是图11的标准单元的截面图。图13是示出根据示例实施例的设计集成电路的方法的示图。图14是示出根据示例实施例的集成电路的设计系统的框图。图15是示出图14的设计系统的示例操作的流程图。图16是示出根据示例实施例的集成电路的布图的示图。图17是示出根据示例实施例的移动装置的框图。具体实施方式在下文中将参照示出一些示例实施例的附图更地描述各种示例实施例。在附图中。收购电子元器件回收收购上海海谷电子有限公司为您提供回收，有想法的可以来电咨询！
等的半导体或者例如sige、sic、gaas、inas、inp等的化合物半导体。在一些示例实施例中，基底110可以具有绝缘体上硅(soi)结构。基底110可以包括导电区域，例如，掺杂杂质的阱或掺杂杂质的结构。标准单元可以包括器件区rx1、第二器件区rx2以及使器件区rx1和第二器件区rx2沿第二方向y分离的有源切口区acr。器件区rx1和第二器件区rx2中的每个可以包括从基底110沿第三方向z突出的多个鳍型有源区ac(参见图12c)。多个有源区ac可以在方向x上彼此平行地延伸。器件隔离层112可以沿着第二方向y在基底110上位于多个有源区ac之间。多个有源区ac以鳍的形式沿着第三方向z从器件隔离层112突出。多个栅极绝缘层118和多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以形成在基底110上。栅极线pc11、12、13、14、15和16可以在与多个有源区ac交叉的第二方向y上延伸。多个栅极绝缘层118和多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以覆盖每个有源区ac的上表面和侧壁以及器件隔离层112的上表面。多个金属氧化物半导体(mos)晶体管可以沿着多条栅极线pc11、12、13、14、15和16形成。mos晶体管可以具有在有源区ac的上表面和两个侧壁中形成沟道的三维结构。图11提供了图例：“pc”表示栅极线，“ca”表示接触件。
图2是图1的俯视方向示意图。附图标记列示如下：1-芯板；2-上覆铜层；3-下覆铜层；4-磁环；5-第二磁环；6-第三磁环；7-环形槽；8-第二环形槽；9-第三环形槽；10-环初级绕组外过孔；11-环初级绕组内过孔；12-环次级绕组内过孔；13-环次级绕组外过孔；14-第二环初级绕组外过孔；15-第二环初级绕组内过孔；16-第二环次级绕组内过孔；17-第二环次级绕组外过孔；18-第三环初级绕组外过孔；19-第三环初级绕组内过孔；20-第三环次级绕组内过孔；21-第三环次级绕组外过孔。具体实施方式下面结合附图(图1-图2)对本发明进行说明。图1是实施本发明一种集成电路基板的结构示意图，图1表现的是截面结构。图2是图1的俯视方向示意图。如图1至图2所示，一种集成电路基板，包括基板本体，所述基板本体中包括覆铜芯板，所述覆铜芯板包括芯板1和结合于芯板1表面的上覆铜层2以及结合于芯板1底面的下覆铜层3，所述芯板1上设置有开口朝上的环形槽(例如环形槽7；第二环形槽8；第三环形槽9)，所述开口延伸至所述上覆铜层2之外。所述环形槽为控深铣槽(即采用铣削工艺并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述开口位于所述上覆铜层的部分为蚀刻开口(例如，蚀刻铜箔。上海海谷电子有限公司是一家专业提供回收的公司，有想法的不要错过哦！
存储介质1100(例如，存储装置)可以存储标准单元库sclb1110。标准单元库1110可以从存储介质1100被提供给设计模块1400。标准单元库1110可以包括多个标准单元，并且标准单元可以是用于设计块、器件和/或芯片的小的(例如，小的)单元。存储介质1100可以包括用于将命令和/或数据提供给计算机作为计算机可读存储介质的任何计算机可读存储介质。例如，计算机可读存储介质可以包括诸如随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)等的易失性存储器，以及诸如闪存、磁阻ram(mram)、相变r am(pram)、电阻式ram(rram)等的非易失性存储器。计算机可读存储介质可以入到计算机中，可以被集成在计算机中，或者可以通过诸如网络和/或无线链接的通信介质连接到计算机。设计模块1400可以包括布局模块plmd1200和布线模块rtmd1300。在此，术语“模块”可以指示但不限于执行特定任务的软件和/或硬件组件(诸如，现场可编程门阵列(fpga)或集成电路(asic))。模块可以驻留在有形的、可寻址的存储介质中，并且可以在一个或多个处理器上执行。例如。上海海谷电子有限公司致力于提供回收，有想法的可以来电咨询！吉林废弃电子料回收收购
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可以是诸如或/与/反相器(oai)或者与/或/反相器(aoi)的复合单元，还可以是诸如主从触发器或锁存器的存储单元。标准单元库可以包括关于多个标准单元的信息。例如，标准单元库可以包括标准单元的名称和功能，以及标准单元的时序信息、功率信息和布图信息。标准单元库可以存储在存储装置中，并且标准单元库可以通过访问存储装置来设置。基于输入数据和标准单元库执行布局和布线(s30)，并且基于布局和布线的结果设置定义集成电路的输出数据(s40)。在一些示例实施例中，当接收的输入数据是诸如通过将集成电路合成而生成的比特流或网表的数据时，输出数据可以是比特流或网表。在其他示例实施例中，当接收的输入数据是定义集成电路的布图的数据(例如，具有图形数据系统ii(gdsii)格式的数据)时，输出数据的格式也可以是定义集成电路的布图的数据。通过图13的方法设计和制造的集成电路可以包括半导体基底、多条栅极线和多条列金属线。如参照图1至图10所述，6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构，其中，n是正整数并且多个单元线路结构布置在方向上。图14是示出根据示例实施例的集成电路的设计系统的框图。参照图14，设计系统1000可以包括存储介质1100、设计模块1400和处理器1500。山东电子料高价回收
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