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图2是图1的俯视方向示意图。附图标记列示如下:1-芯板;2-上覆铜层;3-下覆铜层;4-磁环;5-第二磁环;6-第三磁环;7-环形槽;8-第二环形槽;9-第三环形槽;10-环初级绕组外过孔;11-环初级绕组内过孔;12-环次级绕组内过孔;13-环次级绕组外过孔;14-第二环初级绕组外过孔;15-第二环初级绕组内过孔;16-第二环次级绕组内过孔;17-第二环次级绕组外过孔;18-第三环初级绕组外过孔;19-第三环初级绕组内过孔;20-第三环次级绕组内过孔;21-第三环次级绕组外过孔。具体实施方式下面结合附图(图1-图2)对本发明进行说明。图1是实施本发明一种集成电路基板的结构示意图,图1表现的是截面结构。图2是图1的俯视方向示意图。如图1至图2所示,一种集成电路基板,包括基板本体,所述基板本体中包括覆铜芯板,所述覆铜芯板包括芯板1和结合于芯板1表面的上覆铜层2以及结合于芯板1底面的下覆铜层3,所述芯板1上设置有开口朝上的环形槽(例如环形槽7;第二环形槽8;第三环形槽9),所述开口延伸至所述上覆铜层2之外。所述环形槽为控深铣槽(即采用铣削工艺并控制槽深,保持一定的槽底厚度),所述开口位于所述上覆铜层的部分为蚀刻开口(例如,蚀刻铜箔。回收,就选上海海谷电子有限公司,让您满意,欢迎您的来电哦!海南二极管回收价格

电脑显示工作状态及数据,与现有技术相比,本实用新型的有益效果在于:本实用新型所述集成电路软件快速录入装置,可随时查看工作状态及各项监测数据 ,方便操作者使用,使得产品调试快捷。附图说明图1是本实用新型集成电路软件快速录入装置的原理结构示意图。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。如图1所示,一种集成电路软件快速录入装置,包括远程后台服务器、录入终端装置和显示器,其中:所述录入终端装置包括微处理器、高频读卡模块、数据监测模块和通讯模块,所述录入终端装置通过数据线与远程后台服务器连接。所述数据监测模块包括下载判断模块、校准综测模块、开机模块、拍照模块、声音模块和按键模块。其中,下载判断模块、开机模块、拍照模块、声音模块和按键模块均为手机监测的常用模块,采用现有的技术。校准综测模块包括对主板的校准,主板校准主要包括发射机和接收机的射频指标校准。集成电路回收联系方式上海海谷电子有限公司为您提供回收,欢迎您的来电!

所述基板包括覆铜芯板,通过在覆铜芯板中设置容纳磁环的环形槽,有利于提高或扩展集成电路封装基板的电路功能,例如能够通过对沿磁环内外分布的过孔进行绕制连接以将变压器集成在集成电路基板内。本发明技术方案如下:一种集成电路基板,其特征在于,包括基板本体,所述基板本体中包括覆铜芯板,所述覆铜芯板包括芯板和结合于芯板表面的上覆铜层以及结合于芯板底面 的下覆铜层,所述芯板上设置有开口朝上的环形槽,所述开口延伸至所述上覆铜层之外。所述环形槽为控深铣槽,所述开口位于所述上覆铜层的部分为蚀刻开口。所述环形槽中固定有磁环。沿所述环形槽的外圈外侧设置有若干外过孔,沿所述环形槽的内圈内侧设置有若干内过孔。所述外过孔和内过孔均采用激光打孔。所述若干外过孔包括初级绕组外过孔和次级绕组外过孔,所述若干内过孔包括初级绕组内过孔和次级绕组内过孔。初级绕组和次级绕组均采用印制线连接过孔的方式形成。所述上覆铜层上压合有半固化片。所述半固化片的压合面朝向所述环形槽的对应处设置有开窗。由印制线连接过孔绕制的磁环变压器内置于所述基板本体的绝缘体内,没有空气爬电距离的路径,能达到。本发明技术效果如下:本发明一种集成电路基板。

四倍心轴图案qpm1、qpm2和qmp3可以布置为在方向x上具有相同的四倍心轴节距pqm,四倍心轴节距pqm可以与抗蚀剂图案的节距相同。针对单元线路结构uws4、uws5和uws6中每个,可以使用三个四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3在列导电层ccl中形成十二条列金属线ml1至ml12。每个单元线路结构的十二条列金属线ml1至ml12可以在方向x上布置成顺序地且重复地具有金属节距pm21、第二金属节距pm22、金属节距pm21和第三金属节距pm23。金属节距pm21、第二金属节距pm22和第三金属节距pm23可以由表达式4表示。表达式4pm21=wdm+wmlpm22=wqm-wmlpm23=pqm-(wqm+2wdm+wml)在表达式4中,wdm表示双倍心轴图案dpm1至dpm6的宽度,wqm表示四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3的宽度,wml表示列金属线ml1至ml12的宽度。在形成列金属线ml1至ml12之前,可以在列导电层ccl下方的栅极层gtl中形成针对每个单元线路结构的八条栅极线gl1至gl8。参照图8,每个单元线路结构uws4的八条栅极线gl1至gl8可以通过单图案化形成。在这种情况下,每个单元线路结构uws4的八条栅极线gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的栅极节距pg2。栅极节距pg2可以等于通过曝光工艺形成的抗蚀剂图案的节距。参照图9。回收,就选上海海谷电子有限公司,让您满意,有想法可以来我司咨询!

导电覆盖层可以由金属氮化物(例如,tin、tan、它们的组合等)形成。间隙填充金属层可以填充有源区ac之间的空间并且在导电覆盖层上延伸。间隙填充金属层可以由w(例如,钨)层形成。间隙填充金属层可以例如通过使用ald方法、cvd方法或物相沉积(pvd)方法形成。多个导电接触件ca和cb可以位于有源区ac上的层ly1上。多个导电接触件ca和cb包括连接到有源区ac的源区/漏区116的多个接触件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(参见图12b)和连接到栅极线pc11、12、13、14、15和16的多个第二接触件cb41、42和43(参见图12a和12c)。多个导电接触件ca和cb可以通过覆盖有源区 ac和栅极线pc的层间绝缘层132彼此绝缘。多个导电接触件ca和cb可以具有与层间绝缘层132的上表面基本处于同一水平处的上表面。层间绝缘层132可以是氧化硅层。第二层间绝缘层134和穿过第二层间绝缘层134的多个下通孔接触件v051、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61和62位于层间绝缘层132上。第二层间绝缘层134可以是氧化硅层。在高于层ly1(例如,沿着第三方向z距基底110更远)的第二层ly2上沿方向x延伸的多条线路m171、72、73、74、75、76、77和78可以位于第二层间绝缘层134上。回收,就选上海海谷电子有限公司,让您满意,欢迎您的来电!福建高价电子元器件回收中心

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存储介质1100(例如,存储装置)可以存储标准单元库sclb1110。标准单元库1110可以从存储介质1100被提供给设计模块1400。标准单元库1110可以包括多个标准单元,并且标准单元可以是用于设计块、器件和/或芯片的小的(例如,小的)单元。存储介质1100可以包括用于将命令和/或数据提供给计算机作为计算机可读存储介质的任何计算机可读存储介质。例如,计算机可读存储介质可以包括诸如随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)等的易失性存储器,以及诸如闪存、磁阻ram(mram)、相变ram(pram)、电阻式ram(rram)等的非易失性存储器。计算机可读存储介质可以入到计算机中,可以被集成在计算机中,或者可以通过诸如网络和/或无线链接的通信介质连接到计算机。设计模块1400可以包括布局模块plmd1200和布线模块rtmd1300。在此,术语“模块”可以指示但不限于执行特定任务的软件和/或硬件组件(诸如,现场可编程门阵列(fpga)或集成电路(asic))。模块可以驻留在有形的、可寻址的存储介质中,并且可以在一个或多个处理器上执行。例如。海南二极管回收价格

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