在图5中的具有n＝1的单元线路结构中，存在六条金属线和四条栅极线。图5包括多个单元线路结构，多个单元线路结构包括图5的左侧的单元线路结构以及图5的右侧的第二单元线路结构，第二单元线路结构在x方向(在此也称为方向x)上与单元线路结构相邻，并且第二单元线路结构的形貌与单元线路结构的形貌相同。参照图6，每个单元线路结构uws2的四条栅极线gl1至gl4可以通过sadp形成。如参照图4a至图4i所述，可以在栅极层gtl上方形成双倍心轴图案dpg1和dpg2。标签“dpg”可以理解如下：“d”表示双倍，“p”表示图案，“g”表示栅极。例如，双倍心轴图案dpg1和dpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的双倍心轴节距pdg。在这种情况下，每个单元线路结构uws2的四条栅极线gl1至gl4可以在方向x上布置成交替地具有栅极节距pg11和第二栅极节距pg12。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以由表达式2表示。表达式2pg11＝wdg+wglpg12＝pdg-(wdg+wgl)在表达式2中，wdg表示双倍心轴图案dpg1和dpg2的宽度，wgl表示栅极线gl1至gl4的宽度。参照图7，每个单元线路结构uws3的四条栅极线gl1至gl4可以通过saqp形成。如参照图4a至图4i所述。上海海谷电子有限公司为您提供回收，有需求可以来电咨询！甘肃批量电子物料回收平台
在半导体基底200上方形成中间层210、220和230。半导体基底200包括作为半导体晶圆的硅。在各种实施例中，半导体基底200可以包括另一元素半导体(诸如，锗)、化合物半导体(诸如，碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟)、合金半导体(诸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它们的组合。半导体基底200可以包括有源区、外延特征、隔离结构、鳍状半 导体区域和/或其他合适的特征。在一些示例实施例中，半导体基底200包括多晶硅层，该多晶硅层可被用于形成多晶硅栅电极或者用于在栅极替换工艺中形成虚设栅电极。中间层210、220和230可以是介电层，可以通过诸如热氧化、化学气相沉积(cvd)、物相沉积(pvd)、等离子体增强cvd(pecvd)和原子层沉积(ald)的一种或更多种沉积技术形成所述介电层。参照图4b，在设置在介电层230上方的层240和层250上方对光致抗蚀剂(或抗蚀剂图案)pr1、pr2和pr3进行图案化。例如，层250可以是含硅硬掩模层，层240可以是抗反射涂层。可以使用cvd、pvd或其他合适的方法形成层240和层250。在一些示例实施例中，可以在介电层230上方直接形成抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3而没有层240和层250。山东收购电子元器件回收回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，有想法的不要错过哦！
工作mtj器件通过设置在衬底上方的介电结构与调节mtj器件横向分隔开。在一些实施例中，集成芯片还包括布置在位于工作mtj器件正上方的存储单元内的第二工作mtj器件，第二工作mtj器件被配置为存储第二数据状态。在一些实施例中，工作mtj器件通过不延伸穿过衬底的连续导电路径连接在位线和字线之间。在其它实施例中，本发明涉及集成电路。集成电路包括布置在衬底上方的介电结构内的互连层，互连层通过介电结构与衬底分隔开；以及调节mtj器件，布置在互连层正上方并且被配置为存储数据状态，工作mtj器件通过包括多个互连层并且不延伸穿过衬底的连续导电路径电连接在位线和字线之间。在一些实施例中，集成电路还包括调节访问装置，其具有连接在字线和工作mtj器件之间的调节mtj器件，调节mtj器件具有通过介电阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中，互连层从工作mtj器件正下方连续延伸至调节mtj器件正下方。在一些实施例中，集成电路还包括连接在第二字线和工作mtj器件之间的第二调节mtj器件，字线和第二字线连接至字线解码器。在一些实施例中，调节mtj器件与第二调节mtj器件具有不同的尺寸。在一些实施例中。
等的半导体或者例如sige、sic、gaas、inas、inp等的化合物半导体。在一些示例实施例中，基底110可以具有绝缘体上硅(soi)结构。基底110可以包括导电区域，例如，掺杂杂质的阱或掺杂杂质的结构。标准单元可以包括器件区rx1、第二器件区rx2以及使器件区rx1和第二器件区rx2沿第二方向y分离的有源切口区acr。器件区rx1和第二器件区rx2中的每个可以包括从基底110沿第三方向z突出的多个鳍型有源区ac(参见图12c)。多个有源区ac可以在方向x上彼此平行地延伸。器件隔离层112可以沿着第二方向y在基底110上位于多个有源区ac之间。多个有源区ac以鳍的形式沿着第三方向z从器件隔离层112突出。多个栅极绝缘层118和多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以形成在基底110上。栅极线pc11、12、13、14、15和16可以在与多个有源区ac交叉的第二方向y上延伸。多个栅极绝缘层118和多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以覆盖每个有源区ac的上表面和侧壁以及器件隔离层112的上表面。多个金属氧化物半导体(mos)晶体管可以沿着多条栅极线pc11、12、13、14、15和16形成。mos晶体管可以具有在有源区ac的上表面和两个侧壁中形成沟道的三维结构。图11提供了图例：“pc”表示栅极线，“ca”表示接触件。上海海谷电子有限公司致力于提供回收，期待您的光临！
本实用新型涉及集成电路芯片技术领域，尤其涉及一种组合式集成电路芯片。背景技术：集成电路是一种微型电子器件或部件，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步，而集成电路芯片是包括一硅基板、至少一电路、一固定封环、一接地环及至少一防护环的电子元件，其电路形成于硅基板上，电路具有至少一输出/输入垫，固定封环形成于硅基板上，并围绕电路及输出/输入垫，接地环形成于硅基板及输出/输入垫之间，并与固定封环电连接，防护环设置于硅基板之上，并围绕输出/输入垫，用以与固定封环电连接。目前集成电路芯片在使用的时候会散发大量的热量，但现有的芯片散热效率较低，导致芯片长时间处于高温环境中，高温不光影响芯片运行的流畅度，还会损伤芯片，进而影响芯片的使用寿命。技术实现要素：本实用新型的目的是为了解决现有技术中集成电路芯片的散热效率较低，导致芯片长时间处于高温环境中，高温不光影响芯片运行的流畅度，还会损伤芯片，进而影响芯片使用寿命的问题，而提出的一种组合式集成电路芯片。为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：一种组合式集成电路芯片，包括芯片本体。回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，有需求可以来电咨询！青海呆滞料回收平台
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图2是图1的俯视方向示意图。附图标记列示如下：1-芯板；2-上覆铜层；3-下覆铜层；4-磁环；5-第二磁环；6-第三磁环；7-环形槽；8-第二环形槽；9-第三环形槽；10-环初级绕组外过孔；11-环初级绕组内过孔；12-环次级绕组内过孔；13-环次级绕组外过孔；14-第二环初级绕组外过孔；15-第二环初级绕组内过孔；16-第二环次级绕组内过孔；17-第二环次级绕组外过孔；18-第三环初级绕组外过孔；19-第三环初级绕组内过孔；20-第三环次级绕组内过孔；21-第三环次级绕组外过孔。具体实施方式下面结合附图(图1-图2)对本发明进行说明。图1是实施本发明一种集成电路基板的结构示意图，图1表现的是截面结构。图2是图1的俯视方向示意图。如图1至图2所示，一种集成电路基板，包括基板本体，所述基板本体中包括覆铜芯板，所述覆铜芯板包括芯板1和结合于芯板1表面的上覆铜层2以及结合于芯板1底面的下覆铜层3，所述芯板1上设置有开口朝上的环形槽(例如环形槽7；第二环形槽8；第三环形槽9)，所述开口延伸至所述上覆铜层2之外。所述环形槽为控深铣槽(即采用铣削工艺并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述开口位于所述上覆铜层的部分为蚀刻开口(例如，蚀刻铜箔。甘肃批量电子物料回收平台
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