企业商机
WILLSEMI韦尔基本参数
  • 品牌
  • WILLSEMI韦尔
  • 型号
  • WILLSEMI韦尔
  • 封装形式
  • DIP,PGA,TQFP,SMD,MCM,PQFP,BGA,SDIP,TSOP,QFP,SOP/SOIC,QFP/PFP,CSP,PLCC
  • 导电类型
  • 单极型,双极型
  • 封装外形
  • 扁平型,单列直插式,双列直插式,金属壳圆形型
  • 集成度
  • 小规模(<50),中规模(50~100),大规模(100~10000),超大规模(>10000)
WILLSEMI韦尔企业商机

  WPM2015xx是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管(MOSFET)。它采用先进的沟槽技术和设计,具有出色的RDS(ON)(导通电阻)和低栅极电荷。这使得WPM2015xx在中等电源电流和电流产出量的应用中表现出色,尤其适用于电池管理、电机控制和高速开关等场景。

  WPM2015xx的主要特点包括:

1:稳定的走电电压和出色的导电电阻,这有助于在电子设备中实现高效、稳定的性能。

2:适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用,这些应用需要精确控制电流和电压。

3:采用无铅、无卤的环保封装,符合现代电子产品的环保要求。

4:具有超高密度电池设计,适用于需要高效率和高稳定性的电池管理系统。

5:极低的阈值电压和小型化的SOT-23封装使得WPM2015xx在空间受限的应用中也能发挥出色的性能。

  在实际应用中,WPM2015xx可以用于继电器、电磁铁和电机等设备的驱动和控制。通过控制栅极电压,WPM2015xx可以实现对电流的精确调节,从而实现对电机等设备的控制。

  安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐WPM2015xx这款MOS,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持,请随时联系我们。 WL2803E28-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5L。中文资料WILLSEMI韦尔WMM7018ABRN0-3/TR

中文资料WILLSEMI韦尔WMM7018ABRN0-3/TR,WILLSEMI韦尔

ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器

产品描述:

     ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器(TVS)阵列,专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受静电放电(ESD)引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD73034D可用于提供高达±10kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。

产品特性

截止电压:±3.3VMax

根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路瞬态保护:±10kV(接触放电)

根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:40A(5/50ns)

根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:5.5A(8/20μs)

极低电容:CJ=0.2pFtyp

低漏电流

低箝位电压:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

固态硅技术


应用领域

USB3.0和USB3.1

HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

便携式电子设备

笔记本电脑

     ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,保护敏感元件免受静电放电损害,适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备,紧凑且环保。详情查阅数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WNMD2202WL2862E33-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5L。

中文资料WILLSEMI韦尔WMM7018ABRN0-3/TR,WILLSEMI韦尔

    WL2803E系列是一款极低压差、低静态电流、高电源抑制比(PSRR)的CMOS低压差线性稳压器(LDO)。在500mA负载电流下,其压差电压典型值为130mV。采用CMOS结构,WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA,这使得它对于要求高输出电流的消费者、网络应用具有吸引力。WL2803E系列提供了从1.2V到3.3V的宽输出电压范围版本,步长为0.1V。WL2803E系列提供了过热保护(OTP)和电流限制功能,以确保芯片和电源系统在错误条件下的稳定性,并采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。WL2803E稳压器采用SOT-23-5L封装,为标准无铅且无卤素产品。

主要特性:

· 输入电压范围:2.5V至5.5V

· 输出电压范围:1.2V至3.3V

· 输出电流:500mA

· PSRR:在1KHz时为65dB

· 压差电压:在IOUT=0.5A时为130mV

· 输出噪声:100μV

· 静态电流:典型值为150μA

应用领域:

· 液晶电视(LCD TV)

· 机顶盒(STB)

· 计算机、显卡

· 网络通信设备

· 其他便携式电子设备

    WL2803E系列适用于电源管理,具有极低压差、低电流和高PSRR特性,确保灵活和准确的电压输出。紧凑环保,易于集成,适用于多种电子设备。提供稳定电源输出。详情查阅手册或联系我们。

    ESD5304D是一个专为保护连接到数据和传输线的敏感电子组件免受静电放电(ESD)引起的过应力而设计的极低电容瞬态电压抑制器(TVS)阵列。它结合了四对极低电容转向二极管和一个TVS二极管,旨在提供优异的ESD保护。

特性:

· 截止电压:5V

· 根据IEC61000-4-2标准的每线瞬态保护:±20kV(接触放电)

· 根据IEC61000-4-4标准的EFT保护:40A(5/50ns)

· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护:4A(8/20μs)

· 极低电容:CJ=0.4pF(典型值)

· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位电压:VCL=14V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

应用:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子产品

· 笔记本电脑

    ESD5304D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,保护接口免受静电放电和其他瞬态事件损害。利用先进固态硅技术,结合极低电容转向二极管和TVS二极管,提供优异保护。能承受±20kV接触放电和其他瞬态事件。极低电容和漏电流不影响数据传输。适用于USB、HDMI、SATA等接口,是电子设备中的关键保护组件。小巧封装且环保,易于集成。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 WSB5546N-2/TR 肖特基二极管 封装:DFN1006-2L。

中文资料WILLSEMI韦尔WMM7018ABRN0-3/TR,WILLSEMI韦尔

    WNM2030是一种N型增强型MOS场效应晶体管,采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2030为无铅产品。小型SOT-723封装。

主要特性:

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 优异的开启电阻

· 极低的阈值电压

应用领域:

· DC/DC转换器

· 电源转换器电路

· 便携式设备的负载/电源切换

   WNM2030是专为现代电子系统电源管理设计的高性能MOS场效应晶体管。其RDS(ON)和低栅极电荷特性使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路中表现出色。采用先进沟槽技术,提供高密度和低功耗。快速开关操作适用于高频电源管理。小型SOT-723封装适合便携式设备,且无铅设计满足环保要求。WNM2030为现代电源管理提供高效、可靠和环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WL2801E18-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5。中文资料WILLSEMI韦尔WMM7018ABRN0-3/TR

WL2815D33-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装:XDFN-4-EP(1x1)。中文资料WILLSEMI韦尔WMM7018ABRN0-3/TR

      WPM1483是一个单P沟道、-12V、-5A的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1483为无铅、无卤素。

特性:

沟槽技术

超高密度单元设计

优异的ON电阻,适用于更高的直流电流

极低的阈值电压

小型SOT-23封装

应用:

继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器

DC-DC转换器电路

电源开关

负载开关

充电应用

    WPM1483是一款P沟道功率MOSFET,采用先进沟槽技术,具有低RDS(ON)和低栅极电荷,适用于高效、高可靠性电力管理应用。可承受-5A直流电流,极低阈值电压降低功耗。小型SOT-23封装,无铅无卤素,环保且易于集成。适用于DC-DC转换、电源开关,驱动继电器、电机等应用。详情查阅手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WMM7018ABRN0-3/TR

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