ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器
产品描述:
ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器(TVS)阵列,专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受静电放电(ESD)引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD73034D可用于提供高达±10kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性
截止电压:±3.3VMax
根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路瞬态保护:±10kV(接触放电)
根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:40A(5/50ns)
根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:5.5A(8/20μs)
极低电容:CJ=0.2pFtyp
低漏电流
低箝位电压:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
固态硅技术
应用领域
USB3.0和USB3.1
HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
便携式电子设备
笔记本电脑
ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,保护敏感元件免受静电放电损害,适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备,紧凑且环保。详情查阅数据手册或联系我们。 ESD5431Z-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN0603-2L。中文资料WILLSEMI韦尔ESD56101D05
WS4601是一款具有极低导通电阻的P-MOSFET高侧开关。集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入,从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能,当设备关闭时,可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时,输出自动放电,使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4601采用SOT-23-5L封装。标准产品是无铅且无卤素的。
特性:
· 输入电压范围:2.5~5.5V
· 主开关RON:80mΩ@VIN=5V
· 持续输出电流:1.0A
· 电流限制阈值:1.5A(典型值)
· 电流限制精度:±20%
· 输出短路电流:0.7A(典型值)
· 自动放电反向阻断(无“体二极管”)
· 过温保护
应用:
· USB外设USB Dongle
· USB 3G数据卡
· 3.3V或5V电源开关
· 3.3V或5V电源分配
WS4601是一款专为现代电子设备设计的高性能高侧开关。其极低导通电阻的P-MOSFET结构使其在处理大电流时高效且节能。集成的电流限制功能保护电源免受过大电流损害,确保系统稳定可靠。自动放电功能和反向保护功能进一步增强系统安全性。适用于USB外设、USB Dongle等需要高效电源管理的场合。无论3.3V还是5V系统,WS4601都提供出色的性能和保护机制,确保设备正常运行。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔ESD73391CZWL2836D18-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装:XDFN-4-EP(1x1)。
ESD5451X是一款双向瞬态电压抑制器(TVS)。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电(ESD)、电气快速瞬态(EFT)和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准,ESD5451X可提供高达±30kV(接触和空气放电)的ESD保护,并可根据IEC61000-4-5标准承受高达8A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5451X采用FBP-02C封装。标准产品为无铅、无卤素。
特点:
· 反向截止电压:±5V
· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±30kV(接触和空气放电)
· IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
· IEC61000-4-5(浪涌):8A(8/20μs)
· 电容:CJ=17.5pFtyp
· 低漏电流:IR<1nAtyp
· 低钳位电压:VCL=9Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用:
· 手机
· 平板
· 电脑
· 笔记本电脑
· 其他便携式设备
· 网络通信设备
ESD5451X是高性能瞬态电压抑制器,保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬态和雷电等过应力影响。适用于手机、平板、笔记本等便携式设备,双向保护,应对极端电气环境。低漏电流、低钳位电压,不影响设备正常工作。固态硅技术,稳定可靠。各方面保护现代电子设备,消费者和制造商的理想选择。详情查阅手册或联系我们。
ESD5641DXX是一款专为保护电源接口设计的瞬态电压抑制器。它非常适合用于替代便携式电子产品中的多个离散组件。ESD5641DXX特别为USB端口设计,采用了具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。封装与环保:ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品为无铅和无卤素。
技术特性:
· 反向截止电压:7.5V~15V
· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护8/20μs
· 根据IEC61643-321标准的浪涌保护10/1000μs
· 低钳位电压
· 固态硅技术
应用领域:
· 电源保护
· 电源管理
ESD5641DXX瞬态电压抑制器以其出色的浪涌保护能力和低钳位电压,为电源接口提供了可靠的防护。特别适合用于USB端口保护,其紧凑的封装和环保特性使其成为便携式电子产品的理想选择。无论是在电源保护还是电源管理方面,ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WCM2001-6/TR 场效应管(MOSFET) 封装:DFN-6L-EP(2x2)。
WS4603E:可调电流限制、电源分配开关
描述
WS4603E是一款具有高侧开关和低导通电阻P-MOSFET的开关。其集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入,从而保护电源。此外,WS4603E还集成了反向保护功能,当设备关闭时,可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时,输出自动放电,使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4603E采用SOT-23-5L封装。标准产品无铅且不含卤素。
特性
1、输入电压范围:2.5~5.5V
2、主开关RON:80mΩ@VIN=5V
3、调整电流限制范围:0.4~2A(典型值)
4、电流限制精度:±20%
5、自动放电
6、反向阻断(无“体二极管”)
7、过温保护
应用
· USB外设
· USB Dongle
· USB 3G数据卡
· 3.3V或5V电源开关
· 3.3V或5V电源分配
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销,可以提供样品供您测试。如有关于WS4603E的进一步问题或需求,请随时与我们联系。我们期待与您合作,为您提供优异的产品和服务。 WPM2341A-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-23。规格书WILLSEMI韦尔WL2836E
WMM7040DTHN0-8/TR MEMS麦克风(硅麦)封装:SMD-8P,3x4mm。中文资料WILLSEMI韦尔ESD56101D05
WAS7227Q是一款高性能、双刀双掷(DPDT)CMOS模拟开关,可在+2.5V至+5.5V的单一电源供电下工作。它专为在手持设备和消费电子产品中切换高速USB2.0信号而设计,如手机、数码相机和带有集线器或有限USBI/O控制器的笔记本电脑。WAS7227Q具有低比特间偏斜和高通道间噪声隔离,并与各种标准兼容,如高速USB2.0(480Mbps)。每个开关都是双向的,对高速信号的输出衰减很小。其带宽足以传递高速USB2.0差分信号(480Mbps)并保持信号完整性。
特性:
D+/D-上的特殊电路设计,使设备能够承受VBUS短路到D+或D-,无论USB设备是关闭还是开启。
SEL/OE引脚具有过压保护,允许电压高于VCC,高达7.0V存在于引脚上,而不会损坏或中断部件的操作,无论工作电压如何。
还具有智能电路,用于至小化VCC泄漏电流,即使SEL/OE控制电压低于VCC电源电压也是如此。换句话说,在实际应用中,无需额外设备将SEL/OE电平与VCC电平相同。
应用:
· 手机
· MID(移动设备)
· 路由器
· 其他电子设备
WAS7227Q是专为高速USB2.0设计的稳定、高效CMOS开关,适用于手持和消费电子产品,确保数据传输顺畅。独特电路和过压保护增强其可靠性,环保封装易集成。是高速数据传输的理想选择。详情请查数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔ESD56101D05
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