企业商机
WILLSEMI韦尔基本参数
  • 品牌
  • WILLSEMI韦尔
  • 型号
  • WILLSEMI韦尔
  • 封装形式
  • DIP,PGA,TQFP,SMD,MCM,PQFP,BGA,SDIP,TSOP,QFP,SOP/SOIC,QFP/PFP,CSP,PLCC
  • 导电类型
  • 单极型,双极型
  • 封装外形
  • 扁平型,单列直插式,双列直插式,金属壳圆形型
  • 集成度
  • 小规模(<50),中规模(50~100),大规模(100~10000),超大规模(>10000)
WILLSEMI韦尔企业商机

    WD3168:5V/300mA开关电容电压转换器,它能够从一个非稳压输入电压中产生一个稳定、低噪声、低纹波的5V输出电压。即使在VIN大于5V的情况下,它也能维持5V的稳压输出。它能够以小巧的封装提供≧300mA的电流。当负载电流在典型条件下低于4mA时,WD3168会进入跳模模式,此时其静态电流会降低到170uA。只需3个外部电容器即可产生输出电压,从而节省PCB空间。

    此外,其软启动功能在开机和电源瞬态状态下会限制涌入电流。WD3168内置了电流限制保护功能,适合HDMI、USBOTG和其他电池供电的应用。SOT-23-6L封装,并在-40℃至+85℃的环境温度范围内工作。

   其主要特性包括:

1、 输出电流为300mA

2、宽输入电压范围:2.7V至5.5V

3、固定输出电压为5.0V

4、双倍电荷泵

5、较小外部元件:无需电感器

6、高频操作:1.7MHz

7、自动软启动限制涌入电流

8、低纹波和EMI

9、过热和过流保护

10、无负载条件下典型静态电流为170uA(跳模模式)

   其应用领域包括:

1、3V至5V的升压转换

2、USBOn-The-Go或HDMI5V供电

3、从较低轨道提供的本地5V供电

4、电池备份系统

5、手持便携式设备

    WD3168是一种效率高、可靠的电源IC,适用于各种需要5V稳定输出的应用场景。如需更详细的信息或产品规格书请联系我们。 WSB5503W-2/TR 肖特基二极管 封装:SOD-323。规格书WILLSEMI韦尔WD10722D

规格书WILLSEMI韦尔WD10722D,WILLSEMI韦尔

WSB5546N-肖特基势垒二极管

特性:

· 低反向电流

· 0.2A平均整流正向电流

· 无铅和无卤素:WSB5546N是一款环保产品,不含铅和卤素。

· 快速开关和低正向电压降

· 反向阻断

应用:

· 电源管理

· 信号处理

· 电子设备保护

    总之,WSB5546N是一款具有低反向电流、0.2A平均整流正向电流以及无铅无卤素环保特性的肖特基势垒二极管。它为各种应用提供了高效、可靠且环保的解决方案WSB5546N是一款肖特基势垒二极管,具有一些明显的特点和优势。肖特基势垒二极管是一种特殊的二极管类型,它结合了肖特基二极管和势垒二极管的优点。肖特基二极管具有快速开关能力和低正向电压降,而势垒二极管则具有出色的反向阻断能力。因此,WSB5546N结合了这些特点,提供了一种高效、可靠且环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WS3226C60WAS4735Q-16/TR 模拟开关/多路复用器 封装:QFN1826-16L(1.8x2.6)。

规格书WILLSEMI韦尔WD10722D,WILLSEMI韦尔

      WPM1483是一个单P沟道、-12V、-5A的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1483为无铅、无卤素。

特性:

沟槽技术

超高密度单元设计

优异的ON电阻,适用于更高的直流电流

极低的阈值电压

小型SOT-23封装

应用:

继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器

DC-DC转换器电路

电源开关

负载开关

充电应用

    WPM1483是一款P沟道功率MOSFET,采用先进沟槽技术,具有低RDS(ON)和低栅极电荷,适用于高效、高可靠性电力管理应用。可承受-5A直流电流,极低阈值电压降低功耗。小型SOT-23封装,无铅无卤素,环保且易于集成。适用于DC-DC转换、电源开关,驱动继电器、电机等应用。详情查阅手册或联系我们。

    WAS7227Q是一款高性能、双刀双掷(DPDT)CMOS模拟开关,可在+2.5V至+5.5V的单一电源供电下工作。它专为在手持设备和消费电子产品中切换高速USB2.0信号而设计,如手机、数码相机和带有集线器或有限USBI/O控制器的笔记本电脑。WAS7227Q具有低比特间偏斜和高通道间噪声隔离,并与各种标准兼容,如高速USB2.0(480Mbps)。每个开关都是双向的,对高速信号的输出衰减很小。其带宽足以传递高速USB2.0差分信号(480Mbps)并保持信号完整性。

特性:

D+/D-上的特殊电路设计,使设备能够承受VBUS短路到D+或D-,无论USB设备是关闭还是开启。

SEL/OE引脚具有过压保护,允许电压高于VCC,高达7.0V存在于引脚上,而不会损坏或中断部件的操作,无论工作电压如何。

还具有智能电路,用于小化VCC泄漏电流,即使SEL/OE控制电压低于VCC电源电压也是如此。换句话说,在实际应用中,无需额外设备将SEL/OE电平与VCC电平相同。

应用:

· 手机

· MID(移动设备)

· 路由器

· 其他电子设备

    WAS7227Q是专为高速USB2.0设计的稳定、高效CMOS开关,适用于手持和消费电子产品,确保数据传输顺畅。独特电路和过压保护增强其可靠性,环保封装易集成。是高速数据传输的理想选择。详情请查数据手册或联系我们。 ESD56101D05-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1610-2。

规格书WILLSEMI韦尔WD10722D,WILLSEMI韦尔

WAS4729QB:低导通电阻(0.8Ω)双SPDT模拟开关,具有负摆幅音频功能

产品描述:

    WAS4729QB是一款高性能的双单极双掷(SPDT)模拟开关,具有负摆幅音频功能,其典型导通电阻Ron为0.8Ω(在3.6VVCC下)。该开关在2.3V至5.5V的宽VCC范围内工作,并设计为先断后通的操作模式。选择输入与TTL电平兼容。WAS4729QB还配备了智能电路,即使在控制电压低于VCC电源电压时,也能小化VCC泄漏电流。这一特性非常适合移动手机应用,因为它允许直接与基带处理器的通用I/O接口,同时极大限度地减少电池消耗。换句话说,在实际应用中,无需额外的设备来将控制电平调整到与VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性

供电电压:2.3V~5.5V

极低导通电阻:0.8Ω(在3.6V下)

高关断隔离度:-81dB@1KHz

串扰抑制:-83dB@1KHz-3dB带宽:80MHz

轨到轨信号范围

先断后通开关

HBM JEDEC:JESD22-A114IO至GND:±8KV

电源至GND:±5KV

应用领域

手机、PDA、数码相机和笔记本电脑

LCD显示器、电视和机顶盒

音频和视频信号路由

     WAS4729QB是高性能模拟开关,专为移动设备设计,适合音频和视频信号路由,性能优越可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。 ESD56151W05-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOD-323。代理分销商WILLSEMI韦尔WS3240C

ESD5431Z-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN0603-2L。规格书WILLSEMI韦尔WD10722D

    WL2811EA系列是一款高精度、低噪声、高速、高电源抑制比(PSRR)、低压降的CMOS线性稳压器,具有出色的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。所有标准产品均不含铅和卤素,符合环保要求。

特点与优势:

· 输出电流折返

· 宽输入电压范围:2V至5.5V

· 可调输出电压:0.8V至5V

· 输出电流:300mA

· 低功耗:静态电流典型值为75μA,关机电流小于1μA

· 低压降:在输出电流为0.3A时,压降为141mV。

· 电源抑制比:在1kHz、输出电压为3V时,PSRR高达70dB

· 低输出电压噪声:典型值为12μVRMS

· 输出电压容差:±2%

· 推荐电容器:建议使用1μF的电容器以优化性能

· 封装与环保:SOT-23-5L

应用领域:

· MP3/MP4播放器

· 手机、无线电话、数码相机

· 蓝牙、无线手持设备

· 其他便携式电子设备

    WL2811EA系列以其出色的性能、灵活的输出电压调整、高效的电流管理以及环保的封装特性,成为便携式电子设备的理想电源解决方案。无论是音频播放、通信还是无线连接,它都能为设备提供稳定、高效的电源支持。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WD10722D

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