企业商机
WILLSEMI韦尔基本参数
  • 品牌
  • WILLSEMI韦尔
  • 型号
  • WILLSEMI韦尔
  • 封装形式
  • DIP,PGA,TQFP,SMD,MCM,PQFP,BGA,SDIP,TSOP,QFP,SOP/SOIC,QFP/PFP,CSP,PLCC
  • 导电类型
  • 单极型,双极型
  • 封装外形
  • 扁平型,单列直插式,双列直插式,金属壳圆形型
  • 集成度
  • 小规模(<50),中规模(50~100),大规模(100~10000),超大规模(>10000)
WILLSEMI韦尔企业商机

WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升压转换器

产品描述:

     WD3133是一款高效率、高功率的峰值电流模式升压转换器。内部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET,小电流限制为1A。对于使用锂离子电池的便携式设备,WD3133可以从3.3V~5V的输入电压输出典型的12V/200mA~300mA。这款升压转换器WD3133采用脉冲宽度调制(PWM)模式,固定开关频率为1.2MHz,以减少输出纹波并提高转换效率。它还允许使用小型外部组件。在轻负载电流下,转换器进入跳过模式,以在绝大部分的负载电流范围内保持高效率。内置的软启动电路可以小化启动时的涌入电流。WD3133采用SOT-23-5L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性:

宽输入电压范围:2.7V至5.5V1.25V(±2%)

高精度参考电压1.2MHz开关频率

高达93%的效率

超过1A(小值)的功率开关电流限制

从3.3V~5V的输入提供典型的12V/200mA~300mA输出

内置软启动


应用领域:

智能手机

平板电脑

便携式游戏机

平板电脑(PADs)

      WD3133是专为便携式设备设计的高效升压转换器,1.2MHz开关频率和宽输入电压范围使其适用于多种场景,如智能手机、平板电脑和游戏机等。其软启动电路和电流限制功能增强了安全性和可靠性,是电源管理的理想选择。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 WL2803E18-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5L。规格书WILLSEMI韦尔WCL120N10S

规格书WILLSEMI韦尔WCL120N10S,WILLSEMI韦尔

    WS4508E是一款针对单节锂离子电池的完整恒流/恒压线性充电器。其内部采用MOSFET架构,无需外部感测电阻和阻断二极管。热反馈机制可以调节充电电流,以在高功率操作或高环境温度下限制芯片温度。充电电压固定为4.2V,而充电电流可以通过一个外部电阻进行编程。

特性:

· 可编程充电电流高达600mA

· 过温保护

· 欠压锁定保护

· 自动再充电阈值典型值为4.05V

· 充电状态输出引脚

· 2.9V涓流充电阈值

· 软启动限制浪涌电流

应用:

· 无线电话

· MP3/MP4播放器

· 蓝牙设备

    WS4508E是一款锂离子电池充电器,适用于便携式电子产品。其内置MOSFET简化了电路设计,降低了成本。其热反馈机制确保了在各种环境下的安全充电。充电电压固定为4.2V,电流可编程,至高600mA,适应不同电池和充电需求。充电结束和电源移除时,自动进入低电流和关机模式,降低功耗。采用SOT-23-5L封装,符合无铅标准,适用于各种电子设备。提供可靠、高效的充电解决方案。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WNM02143DNESD54231N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。

规格书WILLSEMI韦尔WCL120N10S,WILLSEMI韦尔

WNM2021:单N沟道、20V、0.6A功率MOSFET

产品描述

    WNM2021是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2021为无铅产品。小型SOT-323封装

产品特性:

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域:

· DC/DC转换器

· 电源转换器电路

· 便携式设备的负载/电源切换

     WNM2021是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷。其先进的沟槽技术和高密度单元设计使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用中表现出色。极低的阈值电压和小型SOT-323封装使其成为便携式设备负载/电源切换的理想选择。此外,WNM2021作为无铅产品,符合环保要求。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。

WPM1481:单P沟道、-12V、-5.1A功率MOSFET

产品描述:

    WPM1481是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1481为无铅产品。小型DFN2*2-6L封装。

产品特性:

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 适用于更高的直流电流

· 极低的阈值电压

应用领域:

· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器

· DC-DC转换电路

· 电源开关

· 负载开关

· 充电应用  

     WPM1481是一款高性能的P沟道功率MOSFET,专为高电流应用而设计。其出色的RDS(ON)和极低的阈值电压使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。同时,其小型DFN2*2-6L封装使得它在空间受限的应用中也能发挥出色。WPM1481作为无铅产品,还符合环保要求。无论是用于驱动继电器、电磁阀、电机还是LED,WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WMM7037ATSN0-4/TR MEMS麦克风(硅麦)封装:LGA-4(3x3.8)。

规格书WILLSEMI韦尔WCL120N10S,WILLSEMI韦尔

    WS4665是一个单通道负载开关,提供可配置的上升时间以极小化涌流。该设备包含一个N型MOSFET,可以在0.8V至5.5V的输入电压范围内工作,并支持连续电流上线为6A。开关由开/关输入(ON)控制,该输入能够直接与低电压控制信号接口。在WS4665中,增加了一个230Ω的片上负载电阻,用于在开关关闭时进行快速输出放电。WS4665采用小型、节省空间的2.00mmx2.00mm8引脚DFN封装。标准产品为无铅且无卤素。

主要特性:

· 集成单通道负载开关

· 输入电压范围:0.8V至5.5V

· 极低导通电阻(RON)RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)

· 连续开关上限电流为6A

· 低控制输入阈值,支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V逻辑

· 可配置的上升时间

· 快速输出放电(QOD)

· ESD性能经过JESD22测试2000VHBM和1000VCDM


应用领域:

· 超极本TM

· 笔记本电脑/上网本

· 平板电脑

· 消费电子产品

· 机顶盒/住宅网关

· 电信系统

    WS4665适用于多种应用场合,如超极本、笔记本电脑/上网本、平板电脑、消费电子产品、机顶盒/住宅网关以及电信系统等。如需更多信息或技术规格,请查阅相关数据手册或与我们联系。 ESD5441N02-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。中文资料WILLSEMI韦尔WNM65627DV

ESD63011N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。规格书WILLSEMI韦尔WCL120N10S

ESD73011N:单线、双向、极低电容瞬态电压抑制器

     ESD73011N是一款极低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,以防止由静电放电(ESD)引起的过度压力。ESD73011N包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD73011N采用DFN1006-2L封装,为标准产品,无铅且不含卤素。

其主要特性包括:

· 截止电压:5V

· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电)

· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:5.5A(8/20μs)

· 极低电容:CJ=0.40pF(典型值)

· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位电压:VCL=9.5V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

应用领域包括:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

     ESD73011N为需要高速数据传输和严格ESD防护的应用提供了出色的保护。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系制造商。 规格书WILLSEMI韦尔WCL120N10S

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