企业商机
WILLSEMI韦尔基本参数
  • 品牌
  • WILLSEMI韦尔
  • 型号
  • WILLSEMI韦尔
  • 封装形式
  • DIP,PGA,TQFP,SMD,MCM,PQFP,BGA,SDIP,TSOP,QFP,SOP/SOIC,QFP/PFP,CSP,PLCC
  • 导电类型
  • 单极型,双极型
  • 封装外形
  • 扁平型,单列直插式,双列直插式,金属壳圆形型
  • 集成度
  • 小规模(<50),中规模(50~100),大规模(100~10000),超大规模(>10000)
WILLSEMI韦尔企业商机

ESD5451N:双向瞬态电压保护神

     ESD5451N是一款高效的双向瞬态电压抑制器,专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压侵害而设计。它能承受高达±30kV的接触和空气放电,以及峰值脉冲电流达8A(8/20μs),为低速数据线和控制线提供强大的保护

    这款抑制器采用DFN1006-2L封装,具有无铅和无卤素等环保特性。其反向截止电压为±5VMax,电容典型值为17.5pF,漏电流极低,典型值小于1nA。此外,其低钳位电压特性使其在电流脉冲下仍能保持稳定的电压输出。

    ESD5451N适用于多种应用场景,包括手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备,以及网络通信设备等。其出色的瞬态电压抑制能力和稳定性,为电子设备提供了可靠的保障。

    安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销,可以提供样品供您测试。如有关于ESD5451N的进一步问题或需求,请随时与我们联系。我们期待与您合作,为您提供优异的产品和服务。 ESD56201D12-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD) 封装:DFN1610-2。规格书WILLSEMI韦尔WMM7040DTHN0-8/TR

规格书WILLSEMI韦尔WMM7040DTHN0-8/TR,WILLSEMI韦尔

WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升压转换器

产品描述:

     WD3133是一款高效率、高功率的峰值电流模式升压转换器。内部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET,小电流限制为1A。对于使用锂离子电池的便携式设备,WD3133可以从3.3V~5V的输入电压输出典型的12V/200mA~300mA。这款升压转换器WD3133采用脉冲宽度调制(PWM)模式,固定开关频率为1.2MHz,以减少输出纹波并提高转换效率。它还允许使用小型外部组件。在轻负载电流下,转换器进入跳过模式,以在绝大部分的负载电流范围内保持高效率。内置的软启动电路可以小化启动时的涌入电流。WD3133采用SOT-23-5L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性:

宽输入电压范围:2.7V至5.5V1.25V(±2%)

高精度参考电压1.2MHz开关频率

高达93%的效率

超过1A(小值)的功率开关电流限制

从3.3V~5V的输入提供典型的12V/200mA~300mA输出

内置软启动


应用领域:

智能手机

平板电脑

便携式游戏机

平板电脑(PADs)

      WD3133是专为便携式设备设计的高效升压转换器,1.2MHz开关频率和宽输入电压范围使其适用于多种场景,如智能手机、平板电脑和游戏机等。其软启动电路和电流限制功能增强了安全性和可靠性,是电源管理的理想选择。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WMM7037AT7-4/TRESD54151N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006。

规格书WILLSEMI韦尔WMM7040DTHN0-8/TR,WILLSEMI韦尔

WPM1481:单P沟道、-12V、-5.1A功率MOSFET

产品描述:

    WPM1481是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1481为无铅产品。小型DFN2*2-6L封装。

产品特性:

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 适用于更高的直流电流

· 极低的阈值电压

应用领域:

· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器

· DC-DC转换电路

· 电源开关

· 负载开关

· 充电应用  

     WPM1481是一款高性能的P沟道功率MOSFET,专为高电流应用而设计。其出色的RDS(ON)和极低的阈值电压使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。同时,其小型DFN2*2-6L封装使得它在空间受限的应用中也能发挥出色。WPM1481作为无铅产品,还符合环保要求。无论是用于驱动继电器、电磁阀、电机还是LED,WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。

WPM3401:单P沟道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一种P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别定制于小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用、笔记本电脑的电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。

其主要特性包括:

· 沟槽技术

· 超高密度的单元设计

· 优异的导通电阻,适用于更高的直流电流

· 小型SOT-23-3L封装

应用领域包括:

· 笔记本电脑的电源管理

· 便携式设备

· 电池供电系统

· DC/DC转换器

· 负载开关

      WPM3401是一种高性能的功率MOSFET,专为需要高效、紧凑和可靠功率管理的应用而设计。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WL2803E28-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5L。

规格书WILLSEMI韦尔WMM7040DTHN0-8/TR,WILLSEMI韦尔

    WAS3157B是一款高性能的单刀双掷(SPDT)CMOS模拟开关,专为总线切换或音频切换应用设计。它具备高达400MHz的-3dB带宽和低导通电阻(典型值为5.5Ω)。此外,其SEL引脚具有过压保护功能,允许引脚上的电压超过VCC,至高可达7.0V,而不会损坏部件或影响其操作,无论工作电压如何。WAS3157B还配备了智能电路,以小化VCC泄漏电流,即使在SEL控制电压低于VCC电源电压时也是如此。简而言之,在实际应用中,无需额外的设备来使SEL电平与VCC电平保持一致。WAS3157B采用标准的SOT-363(SC-70-6L)封装,标准产品为无铅和无卤素。

特性:

· 电源电压:1.5~5.5V

· 导通电阻:在VCC=4.5V时为5.5Ω-3dB

· 带宽:在CL=5pF时为400MHz

· 断开隔离度:在10MHz时为-69dB

· 低静态电流:<1uA

· 先断后合功能ESD保护:HBM为±8000V,MM为±600V

应用领域:

· 手机

· MID(移动互联网设备)

· 其他便携式设备

    WAS3157B是一款功能强大且易于集成的模拟开关解决方案,适用于需要高效、可靠的切换功能的各种便携式设备。其优异的性能和多种保护功能使其成为现代电子设备中的理想选择。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WS74199Q-10/TR 电流感应放大器 封装:WQFN-10(1.4x1.8)。规格书WILLSEMI韦尔WMM7040DTHN0-8/TR

SPD9811B-2/TR 半导体放电管(TSS)封装:SMB。规格书WILLSEMI韦尔WMM7040DTHN0-8/TR

WNMD2171双N沟道、20V、6.0A功率MOSFET

产品描述:

     WNMD2171是一款双N沟道增强型MOSFET场效应晶体管。这款MOSFET的特殊设计使得在电路板上连接其漏极变得不必要,因为MOSFET1和MOSFET2的漏极是内部连接的。该产品采用先进的沟槽技术和设计,提供了出色的导通电阻(RSS(ON))和低栅极电荷。这款器件专为锂离子电池保护电路而设计。WNMD2171采用CSP-4L封装。标准产品WNMD2171是无铅和无卤素的。小型CSP4L封装。

产品特性:

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域:

· 锂离子电池保护电路

       WNMD2171是一款采用先进技术的双N沟道MOSFET,特别适用于锂离子电池保护电路。其内部连接的漏极设计简化了电路布局,而优异的导通电阻和极低的阈值电压则提供了高效的电池管理。这款产品的小型CSP-4L封装使其成为空间受限应用中的理想选择。此外,其无铅和无卤素的特点也符合现代环保标准。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WMM7040DTHN0-8/TR

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