代理分销商WILLSEMI韦尔WD10721D

WD1502F：28V,2A降压型（Step-Down）直流/直流（DC/DC）转换器

    WD1502F是一款高效率、同步降压型DC-DC转换器。它可以在4.5V至28V的输入电压范围内工作，并提供高达2A的连续输出电流。内部同步功率开关可在不使用外部肖特基二极管的情况下提供高效率。WD1502F以650kHz的固定开关频率工作，并采用脉冲宽度调制（PWM）。在轻负载电流时，它会进入脉冲跳变调制（PSM）操作，以在整个负载电流范围内保持高效率和低输出纹波。WD1502F具有短路保护、热保护和输入欠压锁定功能。它采用TSOT-23-6L封装，为标准无铅和无卤素产品。

其主要特性包括：

· 宽范围4.5V~28V的工作输入电压

· 典型的650kHz开关频率

· 2A连续输出电流

· 低至2μA的关机电流，60μA的静态电流

· 内部5mS软启动

· 峰值效率>94%

· 150mΩ内部功率HSMOSFET开关

· 75mΩ内部同步LSMOSFET开关

· 逐周期过流保护

应用领域包括：

· 12V、24V分布式电源总线供电

· 工业应用

· 白色家电

· 消费类应用

     WD1502F适用于需要高效、紧凑和可靠电源转换的多种应用。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WS72358M-8/TR 运算放大器 封装：MSOP-8。代理分销商WILLSEMI韦尔WD10721D

ESD56151Wxx：电源保护新选择

     ESD56151Wxx双向瞬态电压抑制器，是为现代电子设备中的电源接口设计。它的反向截止电压范围是4.5V至5V，有效保护电路免受过高电压的损害。这款抑制器符合IEC61000-4-5标准，为电路提供强大的浪涌保护，同时遵循IEC61000-4-2标准，提供±30kV的ESD保护。 

     ESD56151Wxx的特点在于其低钳位电压设计，能迅速将电压限制在安全范围内，减少对敏感电子元件的损害。其采用的固态硅技术确保了出色的稳定性和可靠性，确保在长期使用中仍能保持优异的性能。 

     这款ESD适用于各种需要电源保护和管理的应用场景，如便携式电子设备、通信设备、医疗设备以及工业控制系统等。它能从各方面保护电源接口，提高设备稳定性和可靠性，延长使用寿命，降低维修和更换成本。 

     安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD56151Wxx这款ESD，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持，请随时联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WMM7027ATENH0-4/TRWD1035DH-8/TR DC-DC电源芯片 封装：DFN-8-EP(2x2)。

    WS4508E是一款针对单节锂离子电池的完整恒流/恒压线性充电器。其内部采用MOSFET架构，无需外部感测电阻和阻断二极管。热反馈机制可以调节充电电流，以在高功率操作或高环境温度下限制芯片温度。充电电压固定为4.2V，而充电电流可以通过一个外部电阻进行编程。

特性：

· 可编程充电电流高达600mA

· 过温保护

· 欠压锁定保护

· 自动再充电阈值典型值为4.05V

· 充电状态输出引脚

· 2.9V涓流充电阈值

· 软启动限制浪涌电流

应用：

· 无线电话

· MP3/MP4播放器

· 蓝牙设备

    WS4508E是一款锂离子电池充电器，适用于便携式电子产品。其内置MOSFET简化了电路设计，降低了成本。其热反馈机制确保了在各种环境下的安全充电。充电电压固定为4.2V，电流可编程，至高600mA，适应不同电池和充电需求。充电结束和电源移除时，自动进入低电流和关机模式，降低功耗。采用SOT-23-5L封装，符合无铅标准，适用于各种电子设备。提供可靠、高效的充电解决方案。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。

    WAS7227Q是一款高性能、双刀双掷（DPDT）CMOS模拟开关，可在+2.5V至+5.5V的单一电源供电下工作。它专为在手持设备和消费电子产品中切换高速USB2.0信号而设计，如手机、数码相机和带有集线器或有限USBI/O控制器的笔记本电脑。WAS7227Q具有低比特间偏斜和高通道间噪声隔离，并与各种标准兼容，如高速USB2.0（480Mbps）。每个开关都是双向的，对高速信号的输出衰减很小。其带宽足以传递高速USB2.0差分信号（480Mbps）并保持信号完整性。

特性：

D+/D-上的特殊电路设计，使设备能够承受VBUS短路到D+或D-，无论USB设备是关闭还是开启。

SEL/OE引脚具有过压保护，允许电压高于VCC，高达7.0V存在于引脚上，而不会损坏或中断部件的操作，无论工作电压如何。

还具有智能电路，用于至小化VCC泄漏电流，即使SEL/OE控制电压低于VCC电源电压也是如此。换句话说，在实际应用中，无需额外设备将SEL/OE电平与VCC电平相同。

应用：

· 手机

· MID（移动设备）

· 路由器

· 其他电子设备

    WAS7227Q是专为高速USB2.0设计的稳定、高效CMOS开关，适用于手持和消费电子产品，确保数据传输顺畅。独特电路和过压保护增强其可靠性，环保封装易集成。是高速数据传输的理想选择。详情请查数据手册或联系我们。 ESD5305F-6/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOT-23-6。

WNM2021：单N沟道、20V、0.6A功率MOSFET

产品描述

    WNM2021是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2021为无铅产品。小型SOT-323封装

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· DC/DC转换器

· 电源转换器电路

· 便携式设备的负载/电源切换

     WNM2021是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷。其先进的沟槽技术和高密度单元设计使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用中表现出色。极低的阈值电压和小型SOT-323封装使其成为便携式设备负载/电源切换的理想选择。此外，WNM2021作为无铅产品，符合环保要求。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD5341N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。规格书WILLSEMI韦尔WS726052

ESD5311N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：X1-DFN1006-2。代理分销商WILLSEMI韦尔WD10721D

  WPM2015xx是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管（MOSFET）。它采用先进的沟槽技术和设计，具有出色的RDS(ON)（导通电阻）和低栅极电荷。这使得WPM2015xx在中等电源电流和电流产出量的应用中表现出色，尤其适用于电池管理、电机控制和高速开关等场景。

  WPM2015xx的主要特点包括：

1：稳定的走电电压和出色的导电电阻，这有助于在电子设备中实现高效、稳定的性能。

2：适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用，这些应用需要精确控制电流和电压。

3：采用无铅、无卤的环保封装，符合现代电子产品的环保要求。

4：具有超高密度电池设计，适用于需要高效率和高稳定性的电池管理系统。

5：极低的阈值电压和小型化的SOT-23封装使得WPM2015xx在空间受限的应用中也能发挥出色的性能。

  在实际应用中，WPM2015xx可以用于继电器、电磁铁和电机等设备的驱动和控制。通过控制栅极电压，WPM2015xx可以实现对电流的精确调节，从而实现对电机等设备的控制。

  安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐WPM2015xx这款MOS，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WD10721D