ESD5301N:低电容单线单向瞬态电压抑制器
产品描述:
ESD5301N是一款低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,免受由静电放电(ESD)引起的过度应力影响。
包含一对低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。
采用DFN1006-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性:
1、截止电压:5V
2、根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)
3、 IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
4、 IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)
5、低电容:CJ=0.4pFtyp.
6、低漏电流:IR<1nAtyp.
7、低钳位电压:VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)
8、固态硅技术
应用领域:
1、USB2.0和USB3.0
2、HDMI1.3和HDMI1.4
3、SATA和eSATA
4、DVI
5、IEEE1394
6、PCIExpress
7、便携式电子产品和笔记本电脑
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5301N这款TVS,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持,请随时联系我们。 WSB5524D-2/TR 肖特基二极管 封装:FBP1608-2L。代理分销商WILLSEMI韦尔SPD82152BH
WS4603E:可调电流限制、电源分配开关
描述
WS4603E是一款具有高侧开关和低导通电阻P-MOSFET的开关。其集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入,从而保护电源。此外,WS4603E还集成了反向保护功能,当设备关闭时,可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时,输出自动放电,使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4603E采用SOT-23-5L封装。标准产品无铅且不含卤素。
特性
1、输入电压范围:2.5~5.5V
2、主开关RON:80mΩ@VIN=5V
3、调整电流限制范围:0.4~2A(典型值)
4、电流限制精度:±20%
5、自动放电
6、反向阻断(无“体二极管”)
7、过温保护
应用
· USB外设
· USB Dongle
· USB 3G数据卡
· 3.3V或5V电源开关
· 3.3V或5V电源分配
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销,可以提供样品供您测试。如有关于WS4603E的进一步问题或需求,请随时与我们联系。我们期待与您合作,为您提供优异的产品和服务。 规格书WILLSEMI韦尔ESD56151W05ESD5611N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。
ESD5341N:单线、单向、低电容瞬态电压抑制器
ESD5341N是一款低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它被特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,以防止由静电放电(ESD)引起的过度压力。ESD5341N包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5341N采用DFN1006-2L封装,为标准产品,无铅且不含卤素。
其主要特性包括:
· 截止电压:5V
· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电)
· 根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:40A(5/50ns)
· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:4A(8/20μs)
· 低电容:CJ=1.0pF(典型值)
· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位电压:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域包括:
· USB接口
· HDMI接口
· DVI
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD5341N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护,特别适用于需要高数据传输速率和严格ESD防护的应用。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系制造商。
WPM3401:单P沟道、-30V、-4.6A功率MOSFET
WPM3401是一种P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别定制于极小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用、笔记本电脑的电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。
其主要特性包括:
· 沟槽技术
· 超高密度的单元设计
· 优异的导通电阻,适用于更高的直流电流
· 小型SOT-23-3L封装
应用领域包括:
· 笔记本电脑的电源管理
· 便携式设备
· 电池供电系统
· DC/DC转换器
· 负载开关
WPM3401是一种高性能的功率MOSFET,专为需要高效、紧凑和可靠功率管理的应用而设计。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WL2836D18-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装:XDFN-4-EP(1x1)。
ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器
产品描述:
ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器(TVS)阵列,专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受静电放电(ESD)引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD73034D可用于提供高达±10kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性
截止电压:±3.3VMax
根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路瞬态保护:±10kV(接触放电)
根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:40A(5/50ns)
根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:5.5A(8/20μs)
极低电容:CJ=0.2pFtyp
低漏电流
低箝位电压:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
固态硅技术
应用领域
USB3.0和USB3.1
HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
便携式电子设备
笔记本电脑
ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,保护敏感元件免受静电放电损害,适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备,紧凑且环保。详情查阅数据手册或联系我们。 WNM2046-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:DFN-3L(1x0.6)。代理分销商WILLSEMI韦尔WS4671Dxx
WPM1483-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-23。代理分销商WILLSEMI韦尔SPD82152BH
WD3139:高效38V升压型白色LED驱动器
产品描述
WD3139是一款恒定电流、高效率的LED驱动器。其内部MOSFET可以驱动高达10个串联的白色LED,电流限制为1.2A,过压保护为38V。可以将脉冲宽度调制(PWM)信号应用于EN引脚以实现LED调光。该设备以1MHz的固定开关频率运行,以减少输出纹波、提高转换效率,并允许使用小型外部组件。
封装与环保信息:WD3139采用TSOT-23-6L封装,标准产品为无铅和无卤素。
产品特性:
输入电压范围:2.7~5.5V
开路LED保护:38V(典型值)
参考电压:200mV(±5%)
开关频率:1MHz(典型值)
效率:高达92%
主开关电流限制:1.2A(典型值)
PWM调光频率:5KHz至200KHzPWM
调光占空比:0.5%~100%
应用领域:
智能手机
平板电脑
便携式游戏机
WD3139是一款专为串联白色LED设计的高效驱动器。提供1.2A电流限制和38V过压保护,确保LED稳定安全。支持PWM调光,1MHz开关频率提升转换效率并减少输出纹波。适用于智能手机、平板等便携设备的LED背光或指示灯。小巧封装且环保,是理想选择。详情请查阅数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔SPD82152BH