辽宁电子元器件特种封装技术

目前许多单片机和集成芯片都在使用这种封装，由于此封装自带突出引脚，在运输焊接过程中需要小心，防止引脚弯曲或损坏。QFN封装，QFN是一种无引线四方扁平封装，是具有外设终端垫以及一个用于机械和热量完整性暴露的芯片垫的无铅封装。在芯片底部大多数会设计一块较大的地平面，对于功率型IC，该平面会很好的解决散热问题，通过PCB的铜皮设计，可以将热量更快的传导出去，该封装可为正方形或长方形。封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP小，高度比QFP低，为目前比较流行的封装类型。IC封装的特点是器件密度高，可靠性好，耐热性能好，体积小。辽宁电子元器件特种封装技术

类载板，类载板（SubstrateLike-PCB，简称SLP）：顾名思义是类似载板规格的PCB，它本是HDI板，但其规格已接近IC封装用载板的等级了。类载板仍是PCB硬板的一种，只是在制程上更接近半导体规格，目前类载板要求的线宽/线距为≤30μm/30μm，无法采用减成法生产，需要使用MSAP（半加成法）制程技术，其将取代之前的HDIPCB技术。即将封装基板和载板功能集于一身的基板材料。但制造工艺、原材料和设计方案（一片还是多片）都还没有定论。类载板的催产者是苹果新款手机，在2017年的iPhone8中，首度采用以接近IC制程生产的类似载板的HDI板，可让手机尺寸更轻薄短小。类载板的基材也与IC封装用载板相似，主要是BT树脂的CCL与ABF*树脂的积层介质膜。甘肃电子元器件特种封装价格D-PAK 封装的优点是体积小、重量轻、高频性能好，缺点是散热性能较差。

这里用较简单的方式带你了解 MOS 管的几大封装类型！在制作 MOS 管之后，需要给 MOS 管芯片加上一个外壳，这就是 MOS 管封装。MOS 管封装不只起着支撑、保护和冷却的作用，同时还可以为芯片提供电气连接和隔离，从而将管器件与其他元件构成完整的电路。为了更好地应用 MOS 管，设计者们研发了许多不同类型的封装，以适应不同的电路板安装和性能需求。下面，我们将向您介绍常见的七种 MOS 管封装类型：DIP、TO、PGA、D-PAK、SOT、SOP 和 QFP，并探讨它们的应用情况、优点和缺点，让你更加深入地了解 MOS 管的封装技术。

IC设计趋势大致朝着高集成化、快速化、多功能化、低耗能化及高频化发展，对应的半导体封装基板呈现出“四高一低”的发展趋势，即高密度布线、高速化和高频化、高导通性、高绝缘可靠性、低成本性。在近年的电子线路互连结构制造领域，相比于蚀刻铜箔技术（减成法），半加成法主要采用精确度更高、绿色的电沉积铜技术制作电子电路互连结构。近十几年来，在封装基板或者说整个集成电路行业，互连结构主要是通过电沉积铜技术实现的，其原因在于金属铜的高性能和低价格，避免了蚀刻铜流程对互连结构侧面蚀刻，铜的消耗量减少，互连结构的精细度和完整性更好，故电沉积铜技术是封装基板制作过程中极其重要的环节。QFP 封装的优点是体积小、重量轻、高频性能好，缺点是散热性能较差。

VQFN，一种应用于微电子元器件上的封装方法，VQFN（Very-thin quad flat no-lead），译为超薄无引线四方扁平封装，是一种应用于微电子元器件上的封装方法（基于QFN）。德州仪器公司和部分公司（如艾特梅尔公司）作为其主要生产商。其特点正如其译名：减少了铅的使用、准芯片级的封装、厚度小、重量轻，极适合那些对尺寸重量有苛刻需求的厂家。VQFN的优点是无铅使用、体积小、薄、重量轻，热性能、导电性能稳定理想。这种封装技术的缺点依赖于其特性。小体积的焊点和大面积的裸露焊盘使得装配过程中元件部分很容易浮在焊盘下融化的大量焊锡中。这会导致虚焊。而又由于VQFN出色的导热性能，返修重焊是很困难的。所以VQFN封装技术的制造成功率低，返修维护困难。SOP 封装的优点是体积小、重量轻、安装方便，缺点是散热性能较差。防爆特种封装供应商

TO 封装是典型的金属封装。辽宁电子元器件特种封装技术

半导体产品在由二维向三维发展，从技术发展方向半导体产品出现了系统级封装（SiP）等新的封装方式，从技术实现方法出现了倒装（FlipChip），凸块（Bumping），晶圆级封装（Waferlevelpackage），2.5D封装（interposer，RDL等），3D封装（TSV）等先进封装技术。先进封装技术在提升芯片性能方面展现的巨大优势，吸引了全球各大主流IC封测厂商在先进封装领域的持续投资布局。近些年，先进封装技术不断涌现，新名词也层出不穷，让人有些眼花缭乱，目前可以列出的先进封装相关的名称至少有几十种。说到这里需要简单介绍一下所谓的“BGA焊球”。辽宁电子元器件特种封装技术