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TO 封装。TO 封装是典型的金属封装。TO 封装具有高速、高导热的优良性能。对于光通信中的高速器件，使用金属 TO 外壳封装可实现 25Gbit/s 以上传输速率；对于需要散热效率高的电子器件或模块，使用高导热 TO 外壳封装能够达到更好的散热效果，该类外壳以无氧铜代替传统可伐合金，导热速率是传统外壳的 10 倍以上。常见的TO规格有TO-18、TO-46、TO-56、TO-8、TO-9、TO-10等，如图1所示为多种规格型号的TO元器件。上述各类TO元器件的封装，可采用储能式封焊机进行封装，例如北京科信机电技术研究所（以下简称北京科信）生产的FHJ-3自动储能式封焊机。储能式封焊机，其工作原理主要是采用一定的充电电路对电容进行充电，由电容先将能量储存起来，当储存的能量达到可以使被焊接器件接触面焊点熔化的能量值时，控制系统控制电容瞬时放电，向焊接区提供集中能量，从而得到表面质量好、变形小的焊件。D-PAK 封装主要用于高频、高功率的场合，如通信设备、计算机硬盘等。湖北防爆特种封装服务商

而表面贴片封装的集成电路只须将它放置在PCB板的一面，并在它的同一面进行焊接，不需要专孔，这样就降低了PCB电路板设计的难度。表面贴片封装的主要优点是降低其本身的尺寸，从而加大了：PCB上IC的密集度。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专门使用工具是很难拆卸下来的。表面贴片封装根据引脚所处的位置可分为：Single-ended（引脚在一面）、Dual（引脚在两边）、Quad（引脚在四边）、Bottom（引脚在下面）、BGA（引脚排成矩正结构）及其它。福建PCBA板特种封装流程不同的封装、不同的设计，MOS 管的规格尺寸、各类电性参数等都会不一样。

表面贴片QFP封装，四边引脚扁平封装（QFP：PlasticQuadFlatPockage）。QFP是由SOP发展而来，其外形呈扁平状，引脚从四个侧面引出呈海鸥翼（L）型。鸟翼形引脚端子的一端由封装本体引出，而另一端沿四边布置在同一平面上。它在印刷电路板（PWB）上不是靠引脚插入PWB的通孔中，所以不必在主板上打孔，而是采用SMT方式即通过焊料等贴附在PWB上，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点，将封装各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。因此，PWB两面可以形成不同的电路，采用整体回流焊等方式可使两面上搭载的全部元器件一次键合完成，便于自动化操作，实装的可靠性也有保证。这是目前较普遍采用的封装形成。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专门使用工具是很难拆卸下来的。

IGBT被称成为“功率半导体皇冠上的明珠”，普遍应用于光伏电力发电、新能源汽车、轨道交通、配网建设、直流输电、工业控制等行业，下游需求市场巨大。IGBT的主要应用产品类型为IGBT模块。IGBT模块的市占率能够达到50%以上，而IPM模块和IGBT单管分别只有28%左右和20%左右。从产品的投资价值来看，由于IGBT模块的价值量较大，有利于企业快速提升产品规模，其投资价值较大。实现IGBT国产化，不只需要研发出一套集芯片设计、晶圆制造、封装测试、可靠性试验、系统应用等于一体的成熟工艺技术，更需要先进的工艺设备。BOX封装通常由一个硅基底上的多个直插式器件组成，并通过压轴或贴片方式固定在导热介质上。

半导体封装根据封装互连的不同，半导体封装可分为引线键合（适用于引脚数 3-257）、载带自动焊（适 用于引脚数 12-600）、倒装焊（适用于引脚数 6-16000）和埋入式。引线键合是用金属焊线连接 芯片电极和基板或引线框架等。载带自动焊是将芯片上的凸点与载带上的焊点焊接在一起，再对 焊接后的芯片进行密封保护的一种封装技术。倒装焊是在芯片的电极上预制凸点，再将凸点与基 板或引线框架对应的电极区相连。埋入式是将芯片嵌入基板内层中。在制作 MOS 管之后，需要给 MOS 管芯片加上一个外壳，这就是 MOS 管封装。贵州防震特种封装技术

TO 封装是典型的金属封装。湖北防爆特种封装服务商

电源制作所需器件封装种类详解：一、晶体管封装，晶体管封装种类有SOT-23、TO-92、TO-126、TO-220、TO-247等。其中，SOT-23适合制作小功率的电源；TO-92适合制作低压降的电源；TO-126适合功率较大的交流电源；TO-220和TO-247适合制作高电压高功率的电源。在选择晶体管封装时，需要注意其较大电压和较大电流。二、二极管封装，二极管封装种类有SMD、DO-35、DO-41、DO-201等。其中，DO-35适合制作小功率的电源；DO-41适合低压降的电源；DO-201和SMD适合制作大功率电源。在选择二极管封装时，需要注意其较大反向电压和较大正向电流。湖北防爆特种封装服务商