除了枝状分子之外，环状单分子树脂近年来也得到了迅速发展。这些单分子树脂的环状结构降低了分子的柔性，从而通常具有较高的玻璃化转变温度和热化学稳定性。由于构象较多，此类分子也难以结晶，往往具有很好的成膜性。起初将杯芳烃应用于光刻的是东京科技大学的Ueda课题组，2002年起，他们报道了具有间苯二酚结构的杯芳烃在365nm光刻中的应用。2007年，瑞士光源的Solak等利用对氯甲氧基杯芳烃获得了线宽12.5nm、占空比1∶1的密集线条，但由于为非化学放大光刻胶，曝光机理为分子结构被破坏，灵敏度较差，为PMMA的1/5。国内光刻胶市场增速远高于全球，国内企业投入加大，未来有望实现技术赶超。浦东负性光刻胶显影
利用基团变化导致光刻胶溶解性变差构建负性光刻胶的，还有日本日立公司的Kojima等，他们与日本东京应化工业的研发人员开发了一种枝状单分子树脂分子3M6C-MBSA-BL。3M6C-MBSA-BL内含有γ-羟基羧酸基团，在强酸的作用下，可以发生分子内脱水，由易溶于碱性显影液的羧酸变为难溶于羧酸显影液的内酯，因而可作为负胶使用。Kojima等只检测了其作为电子束光刻胶的性能，获得了40nm线宽的线条，呈现出较好的抗刻蚀性，但它作为EUV光刻胶的能力还有待验证。江浙沪化学放大型光刻胶显影按曝光波长可分为紫外光刻胶、深紫外光刻胶、极紫外光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。
化学放大型光刻胶体系中有一个比较大的问题，就是光酸的扩散问题。光酸的扩散会增加光刻过程的图案的粗糙度，进而影响光刻结果的分辨率。而将光致产酸剂与光刻胶主体材料聚合在一起，则有可能解决这一问题。此外，光致产酸剂（特别是离子型光致产酸剂）的化学结构与主体材料相差较大，极易在成膜时发生聚集，导致微区分相现象；而光致产酸剂与光刻胶主体材料共价键合后，分布均匀性可以得到改善，这也有利于获得质量更好的光刻图案。
KrF光刻时期，与ESCAP同期发展起来的还有具有低活化能的酸致脱保护基团的光刻胶，业界通称低活化能胶或低温胶。与ESCAP相比，低活化能胶无需高温后烘，曝光能量宽裕度较高，起初由日本的和光公司和信越公司开发，1993年，IBM公司的Lee等也研发了相同机理的光刻胶KRS系列，商品化版本由日本的JSR公司生产。其结构通常为缩醛基团部分保护的对羟基苯乙烯，反应机理如图12所示。2004年，IBM公司的Wallraff等利用电子束光刻比较了KRS光刻胶和ESCAP在50nm线宽以下的光刻性能，预示了其在EUV光刻中应用的可能性。一旦达成合作，光刻胶厂商和下游集成电路制造商会形成长期合作关系。
2005 年起，Gonsalves 课题组将阳离子基团（硫鎓盐等）修饰的甲基丙烯酸酯与其他光刻胶单体共聚，制备了一系列侧基连接光致产酸剂的光刻胶，聚合物中金刚烷基团的引入可以有效提升抗刻蚀性。这类材料与主体材料和产酸剂简单共混的配方相比，呈现出更高的灵敏度和对比度。2009年起，Thackeray等则将阴离子基团连接在高分子主链上，通过EUV曝光可以得到的光刻图形分辨率为22nm光刻图形，其对应的灵敏度和线边缘粗糙度分别为12mJ·cm−2和4.2nm。2011年，日本富士胶片的Tamaoki等也报道了一系列对羟基苯乙烯型主链键合光致产酸剂的高分子光刻胶，并研究了不同产酸剂基团、高分子组成对分辨率、灵敏度和粗糙度的影响，最高分辨率可达17.5nm。从化学组成来看，金属氧化物光刻胶主要为稀土和过渡金属有机化合物。嘉定ArF光刻胶溶剂
半导体光刻胶的涂敷方法主要是旋转涂胶法，具体可以分为静态旋转法和动态喷洒法。浦东负性光刻胶显影
正性光刻胶，树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛，提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性，当没有溶解抑制剂存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液中；感光剂是光敏化合物（PAC，Photo Active Compound），常见的是重氮萘醌（DNQ），在曝光前，DNQ 是一种强烈的溶解抑制剂，降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后，DNQ 在光刻胶中化学分解，成为溶解度增强剂，大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种曝光反应会在 DNQ 中产生羧酸，它在显影液中溶解度很高。正性光刻胶具有很好的对比度，所以生成的图形具有良好的分辨率。浦东负性光刻胶显影
