2010年，美国英特尔公司的Masson报道了一种含有Co的聚合物光刻胶，由Co2（CO）8与高分子链中的炔烃部分络合反应生成。EUV曝光后，在光酸的作用下发生高分子断链反应，溶解度发生变化，可形成30nm的光刻线条，具有较高的灵敏度，但LER较差。2014年，课题组报道了一种铋化合物，并将其用于极紫外光刻。这种由氯原子或酯键配合的铋寡聚物可在EUV光照后发生分子间交联反应。不过尽管铋的EUV吸收能力很强，但此类配合物的灵敏度并不高，氯配合铋寡聚物能实现分辨率21nm，所需剂量高达120mJ·cm−2。中国半导体光刻胶的快速崛起离不开中国整体半导体产业的发展。江苏ArF光刻胶光引发剂
2005年，IBM公司的Naulleau等利用MET@ALS评测了KRS光刻胶的EUV性能，可获得线宽35nm、占空比1∶1的图案和线宽28.3nm、占空比1∶4的图案（图13。不过，KRS在曝光过程中需要有少量的水参与，因此其曝光设备中需要引入水蒸气。由于EUV光刻需要在高真空环境中进行，任何气体的引入都会导致真空环境的破坏、光路和掩模版的污染，所以尽管KRS呈现出比MET-1K更高的分辨率，但依然未能广泛应用于EUV光刻技术中。上述化学放大光刻胶基本沿用了KrF光刻胶的材料，随着EUV光刻技术的不断进展，旧材料已不能满足需求。苏州光分解型光刻胶显示面板材料在半导体集成电路制造行业：主要使用g线光刻胶、i线光刻胶、KrF光刻胶、ArF光刻胶等。
从光刻设备角度来看，EUV光刻与其他波长光刻关键的两点差异是光源强度和散粒噪声。尽管有多种方式可获得EUV光，商用EUV光刻机使用的是激光激发的等离子体（LPP）发光，其输出功率曾长期是制约EUV光刻技术商用的瓶颈问题；另外，EUV光刻使用的是反射镜成像系统，而非传统的透过折射镜片组，且效率不高。因此在EUV光刻发展的早期，通常都要求EUV光刻胶具有较高的灵敏度。同时，EUV光子能量（约为92eV）远高于以前几代光刻技术光源的光子能量（是193nm光子能量的14.4倍），也就是说，对于同样的曝光能量，光子数目远少于前几代的光刻技术，这就导致散粒噪声增加，从而造成线宽/线边缘粗糙度的升高。而灵敏度过高并不利于克服散粒噪声的影响，所以随着EUV光源功率不断提升，业界对EUV光刻胶的要求从“提高灵敏度”逐渐变为“利用一定程度的灵敏度来降低粗糙度”。
光刻胶的两大主要研究小组：杨国强课题组和李嫕课题组，分别设计并制备了双酚A型和螺双芴型的单分子树脂化学放大光刻胶，前者可通过调节离去基团的数量来改变光刻胶的灵敏度，后者则通过螺双芴结构降低材料的结晶性，提高了成膜性性能。两种光刻胶都可以实现小于25nm线宽的光刻线条。随后，杨国强课题组还报道了一种可作为负性光刻胶的双酚A单分子树脂光刻胶，该分子中具有未经保护的酚羟基，在光酸的作用下可以与交联剂四甲氧基甲基甘脲反应形成交联网状结构，从而无法被碱性显影液洗脱，可在电子束光刻下实现80nm以下的线条，在EUV光刻中有潜在的应用。此外，两个课题组还分别就两个系列光刻胶的产气情况开展研究。光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。
在Shirota等的工作基础之上，2005年起，美国康奈尔大学的Ober课题组将非平面树枝状连接酸敏基团的策略进一步发展，设计并合成了一系列用于EUV光刻的单分子树脂光刻胶，这些光刻胶分子不再局限于三苯基取代主要，具有更复杂的枝状拓扑结构。三级碳原子的引入使其更不易形成晶体，有助于成膜性能的提高；更复杂的拓扑结构，也便于在分子中设置数量不同的酸敏基团，有利于调节光刻胶的灵敏度。他们研究了后烘温度、显影剂浓度等过程对单分子树脂材料膨胀行为的影响，获得20nm分辨率的EUV光刻线条，另外，他们也研究了利用超临界CO2作为显影剂的可能性。在PCB行业：主要使用的光刻胶有干膜光刻胶、湿膜光刻胶、感光阻焊油墨等。华东干膜光刻胶显示面板材料
有机-无机杂化光刻胶结合了有机和无机材料的优点，在可加工性、抗蚀刻性、极紫外光吸收具有优势。江苏ArF光刻胶光引发剂
全息光刻-单晶硅各向异性湿法刻蚀是制作大高度比硅光栅的一种重要且常用的方法，全息光刻用来产生光刻胶光栅图形，单晶硅各向异性湿法刻蚀将图形转移到硅基底中形成硅光栅。这种方法制作的硅光栅质量非常高，侧壁可以达到原子级光滑，光栅线条的高度比可以高达160。但由于单晶硅各向异性湿法刻蚀在垂直向下刻蚀的同时存在着横向钻蚀，所以要获得大高度比的硅光栅，光刻胶光栅图形的占宽比要足够大，且越大越好。占宽比越大，单晶硅各向异性湿法刻蚀的工艺宽容度越大，成功率越高，光栅质量越好。江苏ArF光刻胶光引发剂
