除了使用小分子作为金属氧化物配体的光刻胶之外，Gonsalves课题组还报道了一种以聚合物作为配体的体系。他们以甲基丙烯酸配体的HfO2纳米颗粒和带有硫鎓盐的甲基丙烯酸酯为原料，进行自由基聚合反应，使HfO2纳米颗粒的配体变为侧基带有硫鎓盐的聚甲基丙烯酸甲酯，光照后，硫鎓盐变成硫醚，在水性显影液中无法溶解，从而实现负性光刻。金属纳米颗粒一方面作为天线，有助于提高光刻胶的灵敏度；另一方面也可以提高抗刻蚀性。但是该光刻胶未获得分辨率优于40nm的图形，可能是因为该体系与基底的黏附力不佳。在集成电路制造领域，如果说光刻机是推动制程技术进步的“引擎”，光刻胶就是这部“引擎”的“燃料”。正性光刻胶树脂
2015年，Brainard课题组设计并制备了一系列金属配合物［RnM（O2CR′）2］，其中R基团可为苯基、2-甲氧基苯基、3-乙烯基苯基等，M可为锑、锡、铋，O2CR′可为丙烯酸根、甲基丙烯酸根、3-乙烯基苯甲酸根等。对上述光刻胶进行电子束光刻，经过对R基团数目、各基团种类的筛选后，得到了灵敏度较高的锑配合物JP-20。JP-20可能发生了双键聚合反应，从而发生溶解度变化。而以锡为中心的配合物，尽管能在22nm分辨率时获得很低的LER（1.4nm以下），但其灵敏度太差，需要剂量高达600mJ·cm−2。昆山TFT-LCD正性光刻胶溶剂光刻胶属于技术和资本密集型行业，目前主要技术主要掌握在日、美等国际大公司手中，全球供应市场高度集中。
起初发展起来的单分子树脂材料是具有三苯基取代的枝状分子。三苯基取代主要具有刚性的非平面结构，不易结晶且性质稳定，具有较高的玻璃化转变温度。1996年，日本大阪大学的Shirota课题组首度发表了单分子树脂材料作为光刻胶的报道。他们制备的枝状小分子TsOTPB和ASITPA可作为非化学放大型光刻胶，利用电子束光刻形成线条。TsOTPB在曝光过程中分解，可形成150nm宽的正性线条；ASITPA在曝光过程中双键聚合，可形成70nm宽的负性线条。随后，他们又在以三苯基苯为主要的树枝状分子末端引入了叔丁氧羰基，构建了的正性化学放大光刻胶体系，灵敏度与原始的材料相比提高。t-Boc基团遇到光致产酸剂产生的酸后发生离去反应，露出酚羟基，从而可溶解于碱性显影液中。
尽管高分子体系一直是前代光刻胶的发展路线，但随着光刻波长进展到EUV阶段，高分子体系的缺点逐渐显露出来。高分子化合物的分子量通常较大，链段容易发生纠缠，因此想要实现高分辨率、低粗糙度的光刻线条，必须降低分子量，从而减少分子体积。随着光刻线条越来越精细，光刻胶的使用者对光刻胶的性能要求也越来越高，其中重要的一条便是光刻胶的质量稳定性。由于高分子合成很难确保分子量分布为1，不同批次合成得到的主体材料都会有不同程度的成分差异，这就使得高分子光刻胶难以低成本地满足关键尺寸均一性等批次稳定性要求。一旦达成合作，光刻胶厂商和下游集成电路制造商会形成长期合作关系。
1999年，美国3M公司Kessel等率先制备了侧基含硅的高分子光刻胶PRB和PRC。他们利用含硅的酸敏基团代替t-Boc基团，构建了正性化学放大光刻胶体系。在EUV光下，PRC可在≤10mJ·cm−2的剂量下获得0.10μm的光刻图案。2002年起，Ober课题组合成了一系列侧基带有含硅基团和含硼基团的共聚物。两类光刻胶除了满足光刻胶应用的基本理化条件之外，都具有较高的EUV透光性，以及对氧等离子体的抗刻蚀性。其中含硅的光刻胶可获得线宽180nm、占空比1∶1的密集线条，且具有较高的对比度，抗刻蚀性与酚醛树脂相当；而含硼高分子的光刻性能还有待于进一步优化。此后，Ober课题组还报道了一种使用开环异位聚合（ROMP）制备的含硅高分子，此类光刻胶对EUV透光度较高，但由于含硅基团的存在，他们在TMAH中的溶解性较差，因此需要在显影液中加入30%的异丙醇，可得到150nm的光刻线条。按显示效果分类：光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。浙江TFT-LCD正性光刻胶印刷电路板
光刻胶下游为印刷电路板、显示面板和电子芯片，广泛应用于消费电子、航空航天等领域。正性光刻胶树脂
由于EUV光刻胶膜较薄，通常小于100nm，对于精细的线条，甚至不足50nm，因此光刻胶顶部与底部的光强差异便显得不那么重要了。而很长一段时间以来，限制EUV光刻胶发展的都是光源功率太低，因此研发人员开始反过来选用对EUV光吸收更强的元素来构建光刻胶主体材料。于是，一系列含有金属的EUV光刻胶得到了发展，其中含金属纳米颗粒光刻胶是其中的典型。2010年，Ober课题组和Giannelis课题组首度报道了基于HfO2的金属纳米颗粒光刻胶，并研究了其作为193nm光刻胶和电子束光刻胶的可能性。随后，他们将这一体系用于EUV光刻，并将氧化物种类拓宽至ZrO2。他们以异丙醇铪（或锆）和甲基丙烯酸（MAA）为原料，通过溶胶-凝胶法制备了稳定的粒径在2~3nm的核-壳结构纳米颗粒。纳米颗粒以HfO2或ZrO2为核，具有很高的抗刻蚀性和对EUV光的吸收能力；而有机酸壳层不但是光刻胶曝光前后溶解度改变的关键，还能使纳米颗粒稳定地分散于溶剂之中，确保光刻胶的成膜性。ZrO2-MAA纳米材料加入自由基引发剂后可实现负性光刻，在4.2mJ·cm−2的剂量下获得22nm宽的线条；而加入光致产酸剂曝光并后烘，利用TMAH显影则可实现正性光刻。正性光刻胶树脂
