平板探测器基本参数
  • 品牌
  • 煜影
  • 型号
  • 4343SA;3543SA;4343WA;
  • 类型
  • X射线探测器
  • 加工定制
平板探测器企业商机

CR和DR存在一些共同点。1、DR和CR将X射线图像信息转换成数字图像信息。与传统的X射线相比,工作量,工作效率和胶片消耗都具有明显的优势。CR和DR技术不仅省去了薄膜冲洗工艺,而且减少了化学药品的消耗,并且可以很好地控制质量。2、DR和CR都具有较宽的动态范围和较宽的曝光范围。当X射线曝光参数不足时,可以获得良好的图像。透照的成功率很高,可以有效地减少回收率,并减少废品率。3、DR和CR获取数字信号图像,并根据需要通过图像处理系统实现图像优化,改善图像细节,达到比较好视觉效果,提高图像质量。 无损检测技术(NDT)正在应用于汽车、科学研究、增材制造、智能手机等工业领域。南京乳腺平板探测器

非晶硅、IGZO、CMOS、柔性基板、非晶硒等五种技术适合于不同的应用场景:1)非晶硅探测器,因具有出色的成本优势,短时间内仍会是平板探测器的主流技术平台。2)IGZO探测器,因采集时间短,信噪比高等特点,在动态平板上有很大优势。未来随着技术更趋成熟,IGZO替代非晶硅(至少在动态平板领域),应该是大势所趋。3)CMOS探测器,虽然主要应用在中小尺寸动态成像领域,但因其高分辨率、高帧速率和低剂量性能,在牙科、乳腺、外科及介入等场合,CMOS平板也是主流技术平台。4)柔性基板探测器,具有超窄边框、轻便、抗冲撞、不易破损等特点。不过目前成本较高,随着工艺不断改善,未来在部分特殊应用场景将取代传统的非晶硅探测器。5)非晶硒探测器,因为更高的性能和成本,非晶硒在很长时间内仍会继续统治乳腺机,直到光子计数探测器普及。 定制平板探测器技术指导X射线是管道焊缝无损检测技术中的一种,它以检测图像的形式可以直观的反映管道焊缝处的缺陷。

为了保证图像的稳定性,消除电子学、温漂等噪声,需要在某一剂量下多次采集原始亮场图像(一般为5帧),取得平均图像。当采集原始亮场图像时,首先需要对原始亮场图像进行偏置校正(offset校正),将原始亮场图像的本底部分减去,然后将偏置校正后的平均图像进行光电转换特性的归一化处理,以生成静态增益校正模板(gainmap)。当平板探测器与球管之间的相对位置发生改变时,如平板探测器发生平移、旋转、倾斜,需要调整静态增益校正模板里的校正系数。

像素是一个面积单位,相当于每个薄膜晶体管单元为139微米×139微米,整块43厘米×43厘米的面积布满了944万像素单元,清晰度非常高。像素太大,则无法看到病灶点的细节,而像素太小,则需要提高每个像素的入射光子数量,则提高了X光的剂量,对被照体产生伤害。139微米的比较好设计即保障了清晰度,同时也充分利用了入射剂量,减少了对被照体的伤害。除了薄膜晶体管阵列对应的单元,芯片设计的是否直接bonding在TFT上也是一个**工艺,一般分为直接bonding在TFT上,该技术为CHIPONGLASS。该技术无中间层,提高了转换率无中间层衰减。其它技术则通过软性电路板中间层连接,提高了损耗。总结来看,直接生长工艺的碘化铯非晶硅TFT平板、具备毫秒级反应的工作流、139微米的像素单元设计和芯片直接bonding在TFT上,为目前平板的**设计和比较好设计。 常用NDT方法有:超声,射线,涡流、磁粉、渗透等。

直接式平板探测器主要由集电矩阵、硒层、电介层、顶层电极和保护层等构成。集电矩阵由按阵元方式排列的薄膜晶体管(TFT)组成。非晶硒半导体材料在薄膜晶体管阵列上方通过真空蒸镀生成约、38mm×45mm见方的薄膜,它对X线很敏感,并有很高的图像解析能力。顶层电极接高压电源,当有X线入射时,由于高压电源在非晶硒表面形成的电场,它们只能沿电场方向垂直穿过绝缘层、X射线半导体、电子封闭层,到达非晶硒,不会出现横向偏离从而出现光的散射。 Binning劣势:降低输出图像解析力,只能输出单色图像。青岛静态平板探测器技术参数

辐射剂量率系指单位时间内的照射剂量。南京乳腺平板探测器

间接转换平板探测器由碘化铯等闪烁晶体涂层与薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)或电荷耦合器件(Charge Coupled Device, CCD)或互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)构成。间接转换平板探测器的工作过程一般分为两步,首先闪烁晶体涂层将X线的能量转换成可见光;其次TFT或CCD或CMOS将可见光转换成电信号。由于在这过程中可见光会发生散射,对空间分辨率产生一定的影响。虽然新工艺中将闪烁体加工成柱状以提高对X线的利用及降低散射,但散射光对空间分辨率的影响不能完全消除。 南京乳腺平板探测器

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