贴片电容基本参数
  • 品牌
  • 三星,村田,太诱,国巨
  • 型号
  • 全系列
  • 介质材料
  • 高频瓷介,低频瓷介
  • 工作电压
  • 高压,中压,低压
  • 用途
  • 谐振,温度补偿,滤波,旁路,隔直流,耦合,放大信
  • 调节方式
  • 固定
  • 外形
  • 叠片
贴片电容企业商机

贴片电容是运用在电子设备中的关键电子器件,主要用途普遍,当许多对贴片电容不了解的人不了解的时候,要如何判断贴片电容的主要参数才好呢,贴片电容体型小,因为它不像其它电容器一样能够把主要参数印在机壳,那么***就为大家详细介绍一下如何判断贴片电容的主要参数吧。贴片电容的主要参数可以参考以下几点:***、体积和泄漏量、以及实际电容和较大泄漏量的标称容量。第二、附加工作电压,电力电容器在电源电路中能够长期稳定、牢固工作,所接纳的较大交流电压,又称之为耐压。第三、温度系数,在必然溫度规模内,溫度每改变1℃,容量的相对改变值,温度系数越低越好。第四、绝缘电阻,用于说明漏电大小的。小容积的电容器,绝缘电阻很大电解电容的绝缘电阻比较小。对比之下,绝缘电阻越大越好,漏电机滤也会小。第五、关于损耗,在电场作用下,贴片式电容器在单位时间内加热所消耗的能量。第六、频率特点,贴片电容的电主要参数随电场頻率而转变的特性。1206 1UF 贴片电容现货。太诱贴片电容1210

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MLCC虽然是比较简单的,但是,也是失效率相对较高的一种器件。失效率高,一方面是MLCC结构固有的可靠性问题,另外还有选型问题以及应用问题。由于电容算是“简单”的器件,所以有的设计工程师由于不够重视,从而对MLCC的独有特性不了解。在理想化的情况下,电容选型时,主要考虑容量及耐压两个参数就够了。但是对于MLCC,**考虑这两个参数是远远不够的。那对于MLCC,工程师该如何选型呢?「工程师必备」MLCC贴片电容该如何选型!使用MLCC,不能不了解MLCC的不同材质和这些材质对应的性能。MLCC的材质有很多种,每种材质都有自身的独特性能特点。不了解这些,所选用的电容就很有可能满足不了电路要求。举例来说,MLCC常见的有C0G(也称NP0)材质,X7R材质,Y5V材质。C0G的工作温度范围和温度系数好,在-55°C至+125°C的工作温度范围内时温度系数为0±30ppm/°C.X7R次之,在-55°C至+125°C的工作温度范围内时容量变化为±15%.Y5V的工作温度*为-30°C至+85°C,在这个工作温度范围内时其容量变化可达-22%至+82%.当然,C0G、X7R、Y5V的成本也是依次减低的。在选型时,如果对工作温度和温度系数要求很低,可以考虑用Y5V的,但是一般情况下要用X7R的,要求更高时必须选择COG的。太诱贴片电容12060805 22UF 贴片电容现货。

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SMD电容器的介电强度是指介电材料承受**度电场而不发生击穿的能力,当外部电场强度达到某一临界值时,通常用伏特/密耳(V/密耳)或伏特/厘米(V/cm)表示,材料晶格中的电子克服电荷恢复力的约束,产生场致电子发射,导致足够多的自由电子相互碰撞,产生雪崩效应,进而导致突然击穿电流击穿介质,使其失效,还有另一种介电故障模式。高压负载下产生的热量会在一定程度上降低介电材料的电阻率。如果这种程度持续足够长的时间,将在介质**薄弱的部分产生泄漏电流。这种模式与温度密切相关,介质强度随着温度的升高而降低由于材料微观结构中存在物理缺陷,任何绝缘体的固有介电强度都会降低,与绝缘电阻一样,介电强度也与几何尺寸密切相关,因为材料体积的增加会增加随机缺陷的概率,介质的强度与介质层的厚度成反比,同样地,在设计片式电容器的边缘余量时,介电强度与内部电极层的数量及其物理尺寸成反比,必须确保在使用期间和耐压试验期间(通常为其工作电压的2.5倍)中等强度时没有击穿故障在正确选择片式电容器时除了提供其规格和容量外还必须特别注意电路对贴片电容器的温度系数额定电压和其他参数的要求。片式电容器的标准命名方法和定义。

贴片陶瓷电阻(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件,有取代钽电容之势,有NPO(COG)、X7R、X5R、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。就常用的NPO、X7R、X5R和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项。NPO、X7R、X5R和Y5V是电容的温度特性代号,主要因电容填充介质不同而引起。不同填充介质的电容器的容量、介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。一温度补偿型NPO(COG)电容器NPO是一种**常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗**稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了常用封装NPO电容器可选取的容量范围。samsung三星0.1UF贴片电容现货。

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华新贴片电容是指中国台湾华新科(WALSIN)科技公司所自制生产以品牌命名一款电容器,简称:华新科贴片电容、WALSIN贴片电容。华新科技成立于1992年,研发总部位于高雄;现今拥有六个主要R&D中心,分别位在北中国台湾、中国与日本,专业研发团队超过280人,在被动组件材料、制程、相关产品应用及射频装置业已取得超过194项**。主要产品线有积层陶瓷晶片电容(MLCC)、晶片排容(MLCCArray)、晶片电阻(Chip-R)、晶片排阻(Chip-RArray)、射频元件(RFComponents)、圆板电容(DISC)、氧化锌变阻器(Varistor)、电感(Inductor)、晶片保险丝(ChipFuse)等。而深圳顺海科技是中国台湾华新科(WALSIN)品牌电容器代理分销商,主营华新科品牌的普通电容、低压贴片电容、中压贴片电容、高压贴片电容、高压高容、积层陶瓷电容、三端子贯通型MLCC电容、积层贴片陶瓷片式电容等全系列规格产品,封装体积可选01005、0201、0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812等等;我司有海量华新科电容器现货库存,贴片电容代理销售商。信昌贴片电容特性

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