另外为了优化芯片的 EMI 性能和保证芯片的可靠稳定运行，在使用陶瓷电容作为输入电容 CIN 外，推荐另外再添加一个 0.1μF 的陶瓷电容(0603/0402 封装) 尽可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引脚旁。需要注意的是，虽然陶瓷电容具有优良的高频性能和稳定的使用寿命，但是在某些输入电压热插拔的使用场景下，实际VIN 引脚上的电压可能会由于陶瓷电容的低ESR 特性出现振荡，**恶劣时甚至会振荡到2 倍的 VIN 电压，从而过压击穿芯片。此时，推荐在输入电压端额外并联加入一颗具有较大ESR 的电解电容或者在输入电压端添加一颗TVS 二极管以限制输入过压的情况。在芯片内部，振荡器频率 ...

集成了输出过压保护(OVP) 功能，以减小输出电压过冲，并保护下游用电设备免受在输出故障条件或者突减负载时可能出现的高压尖峰的损坏。OVP 电路通过监测反馈电压(VFB) 检测过压条件。当VFB 超过 OVP 阈值 (VOVP) 时，OVP 比较器输出置高，内置高侧和低侧MOSFET 都将关闭，以避免VOUT 进一步升高。一旦VOUT 低于 VOVP，芯片开始再次工作。输出过压保护功能为非锁存功能。IC内部集成了纹波注入电路来模拟输出电压纹波从而实现了在低ESR 的陶瓷输出电容(MLCC) 的低输出纹波条件下的稳定工作。另外，内部还集成了一个斜坡信号产生电路，以减少开关抖动。COT 控制利用输...

集成了逐周期谷底限流保护(OCL) 功能。每当内部低侧MOSFET 导通时，芯片检测电感电流，当电感电流大于电流限流阈值(ILS(OC)) 时，限流比较器翻转，芯片 进入 OCL模式。此时，芯片内部高侧MOSFET 保持关断状态，直到电感电流下降小于电流限流阈值(ILS(OC)) 后才会再次开启。如果芯片的负载电流超过电感电流(电感电流被OCL 钳位)，则输出电容需要提供额外的电流，从而输出电容放电，输出电压开始下降。当输出电压低于输出欠压保护阈值(VUVP) 时，芯片将停止工作，进入到UVP 打嗝模式，以避免温升过高的情况出现。高压启动电路和**待机功耗 (

在轻载条件下工作在强制脉宽调制模式(FPWM)，以保持开关频率的恒定和维持低的输出电压纹波。当HSF 处于关断状态时，LSF 将在 10ns 后的死区时间后被强制打开，直到在下一个周期HSF 打开前关闭。这种工作模式不检测电感电流过零点，允许电感电流通过LSF 的漏-源极从输出电容流到开关节点，称为反向电流。在这种情况下，开关频率在整个负载电流范围内几乎保持恒定，实现低轻载输出电压波纹。低功耗DCDC降压转换器，低纹波，高效率，电路简洁。良好的线性调整率和负载调整率，集成软启动电路。江西AC高压降12V供电非隔离BUCK电源芯片资料KP52220XA采用内置电压误差积分器的恒定导通时间控制(C...

高效率低功耗30V降压DCDC电源芯片，30V3A，500kHz同步降压转换器KP52330X是一款简单易用高效率的同步降压直流/直流转换器，它具有4.5V至30V的宽输入电压范围，能够驱动高达3A的负载电流，非常适合用于12V和24V等常见的输入电源轨。KP523302轻载下工作在脉冲频率调制模式(PFM)以维持高轻载效率；KP523308轻载下工作在强制脉宽调制模式(FPWM)以实现全负载电流下固定的开关频率和低输出纹波。通过集成MOSFET并采用TSOT23-6封装，该器件可实现高功率密度，并且在印刷电路板(PCB)上的占用空间非常小。采用具有内部补偿的峰值电流模式控制架构，用于维持稳定...

在轻载条件下，系统工作在断续模式下。故实际输入功率取决于电感电流峰值大小。为了降低系统损耗，随着负载的降低会自动降低峰值电流基准以满足**待机的要求。内集成有4ms(典型值)周期的软启动功能，当芯片***次启动时过流保护阈值逐渐增加，而且每次系统的重新启动都会伴随着一次软启动过程。当过流或短路情况发生时，输出电压和VDD将降低，如果在128ms(典型值)的时间内每次振荡器的周期里高压MOSFET都被开通，则芯片识别此情况为过流或短路故障已发生，并停止开关动作之后进入自动重启模式(如下描述)。系列是一款高性能低成本 PWM 控制功 率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，**电路简单、器件个数...

VIN 欠压锁定功能(UVLO) 禁止芯片在输入供电电压过低时工作。UVLO 比较器监测内部稳压电源VCC 的输出电压大小。当VIN 下降到VUVLO(F) 以下时，芯片停止开关工作，禁止使能。当VIN 上升到VUVLO(R) 以上时，如果此时VEN 也大于VEN(R)，则芯片使能，开始软启动恢复正常工作。芯片的 VIN UVLO 的上升和下降阈值为固定值，且典型迟滞电压为400mV。如果实际应用中需要设置更高的阈值和迟滞电压，芯片支持在EN 引脚外接分压电阻实现VIN UVLO 上升阈值和VIN UVLO 下降阈值自定义设置，从而避免芯片在开关机时刻由于VIN 的尖峰噪声和纹波导致芯片反复重...

220V转5V电源芯片高压BUCK电路，给MCU提供稳定的5V电压。高性能、低成本离线式PWM功率开关KP311A是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关，适用于降压型和升降压型电路。KP311A采用高压单晶圆工艺，在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流模式控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的5V默认输出。在芯片内部，芯片内部**小Toff时间固定为32μs且带有抖频功能，在保证输出功率的条件下优化了EMI效果。同时，芯片设计有轻重载模式，可轻松获得低于50mW的待机功耗。提升线性调整 率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。四川低功耗30V降...

在轻载条件下，系统工作在断续模式下。故实际输入功率取决于电感电流峰值大小。为了降低系统损耗，随着负载的降低会自动降低峰值电流基准以满足**待机的要求。内集成有4ms(典型值)周期的软启动功能，当芯片***次启动时过流保护阈值逐渐增加，而且每次系统的重新启动都会伴随着一次软启动过程。当过流或短路情况发生时，输出电压和VDD将降低，如果在128ms(典型值)的时间内每次振荡器的周期里高压MOSFET都被开通，则芯片识别此情况为过流或短路故障已发生，并停止开关动作之后进入自动重启模式(如下描述)。在此过程中高压MOSFET 不 允许导通，同时VDD 电容上电压持续在6.2V 和 7V 之间振荡。中国...

芯片BST 引脚和 SW 引脚间需要加入一颗陶瓷电容以稳定支撑芯片内部高侧N-MOSFET 的驱动电源。此处推荐使用不低于10V 耐压的 X5R 或者 X7R 的 0.1μF 陶瓷电容(0603 封装)。采用 COT 控制架构可以实现超快的负载瞬态响应性能。在某些对负载瞬态响应要求更高的应用条件下，还可以通过在输出反馈分压电阻上添加前馈电阻RFF 和电容CFF 来进一步提升瞬态响应性能。考虑到噪声耦合影响，推荐使用RFF = 2 kΩ~10kΩ，另外不要使用高于100pF 的 CFF。注意，实际RFF 和 CFF 为可选器件，推荐以实测负载瞬态响应和输出调整率的结果优化选取。在此过程中高压MO...