降压非隔离电源芯片220V转5V，KP320X集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护(UVLO)、逐周期电流限制(OCP)、输出过压保护(OVP)、FB异常保护、过载保护(OLP)和过热保护等(OTP)。主要特点•固定5V输出•集成650V高压MOSFET和高压启动电路•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•待机功耗低于100mW•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•FB异常保护•异常过流保护(AOCP)•过热保护(OTP)•封装类型SOP-8优化轻载噪音、提升系统抗干扰能力。江...

交流高压AC220降压12VDC电压电源芯片，KP1505X高性能、低成本离线式PWM控制功率开关KP1505X系列是一款高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP1505X内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外，芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。KP1505X集...

在轻载工作条件下自动进入脉冲频率调制模式(PFM)，以保持轻载高效率。当负载电流逐渐减小时，电感电流纹波的波谷逐渐下降，直至电感电流波谷为0A，此时即为电感电流连续导通模式和不连续导通模式的临界——电感电流临界导通模式。继续降低负载电流，当检测到电感电流过零时，将会关闭低侧MOSFET (LSF)，从而电感电流保持为零。在这种情况下，输出电容只被负载电流放电，输出电压下降速度变慢，从而开关频率将会降低。由于开关频率的降低，轻载时的开关损耗也将降低，从而提高了系统的轻载效率。当 CS 电压高于该阈值时，内部功率MOSFET 即刻关 断并保持关断状态持续3 个PWM 周期.。北京低功耗100V降压...

220V交流降压3.3V100mA电流，给蓝牙提供稳定的电压及各种保护功能，KP35062是一款高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP35062内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。较大的UVLO 迟 滞可以确保VDD 足够长的维持时间，因此可以使 用很小的VDD 电容，缩短系统启动时间。江西交流高压220V转5V...

输出电容选择：对于常规的5V-100mA规格，输出电容根据实际纹波电压需求选择100uF-220uF即可。假负载选择：需在空载输出电压和待机损耗上折中：即过大的假负载可以压制空载输出上飘电压，但系统待机损耗也随之加大；而过小的假负载则反之。一般而言，芯片系统推荐假负载阻值范围在1-2k范围内(随输出电压调整)，假负载损耗控制在10-15mW左右即可。内集成有4ms(典型值)周期的软启动功能，当芯片***次启动时过流保护阈值逐渐增加，而且每次系统的重新启动都会伴随着一次软启动过程。；当工作 于空载附近时，系统将重新进入调频模式以降低待 机损耗。重庆大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片加工40V...

VIN 欠压锁定功能(UVLO) 禁止芯片在输入供电电压过低时工作。UVLO 比较器监测内部稳压电源VCC 的输出电压大小。当VIN 下降到VUVLO(F) 以下时，芯片停止开关工作，禁止使能。当VIN 上升到VUVLO(R) 以上时，如果此时VEN 也大于VEN(R)，则芯片使能，开始软启动恢复正常工作。芯片的 VIN UVLO 的上升和下降阈值为固定值，且典型迟滞电压为400mV。如果实际应用中需要设置更高的阈值和迟滞电压，芯片支持在EN 引脚外接分压电阻实现VIN UVLO 上升阈值和VIN UVLO 下降阈值自定义设置，从而避免芯片在开关机时刻由于VIN 的尖峰噪声和纹波导致芯片反复重...

同步降压变换器的输出级主要由电感和电容组成，通过内部集成的功率MOSFET管的开关切换，将能量存储并传递给负载，并形成二阶低通滤波器平滑开关节点电压，得到稳定的输出直流电压。本节基于设计实例主要描述详细的设计过程。芯片可以通过使用外部分压电阻连接到FB引脚来设置不同的输出电压。输出电压与外部分压电阻的公式如下：+×=FB(B)FB(T)REFOUTRR1VV其中VREF=0.768V推荐从分压下电阻RFB(B)开始设计。过大的RFB(B)会导致FB引脚更容易收到外界噪声干扰，而过小的RFB(B)会增大分压电阻的功率损耗。综合考虑二者，推荐选择RFB(B)=10kΩ~50kΩ。则...

集成了输出过压保护(OVP) 功能，以减小输出电压过冲，并保护下游用电设备免受在输出故障条件或者突减负载时可能出现的高压尖峰的损坏。OVP 电路通过监测反馈电压(VFB) 检测过压条件。当VFB 超过 OVP 阈值 (VOVP) 时，OVP 比较器输出置高，内置高侧和低侧MOSFET 都将关闭，以避免VOUT 进一步升高。一旦VOUT 低于 VOVP，芯片开始再次工作。输出过压保护功能为非锁存功能。IC内部集成了纹波注入电路来模拟输出电压纹波从而实现了在低ESR 的陶瓷输出电容(MLCC) 的低输出纹波条件下的稳定工作。另外，内部还集成了一个斜坡信号产生电路，以减少开关抖动。较大的UVLO 迟...

集成了内部软启动功能，以减小芯片启动上电过程中的冲击电流和保证输出电压平稳上升。当VIN 高于 UVLO 阈值时，输出电压从EN上升沿延迟440μs (典型值) 后开始上升。当芯片启动时，内部的软启动电路产生一个从0V 开始上升的软启动电压(SS)。当SS 低于内部参考电压(VREF) 时，SS 覆盖 VREF，因此电压误差积分器和控制比较器使用SS 作为参考电压，输出电压跟随SS 平稳上升。当SS 升到 VREF 电压时，VREF 重新获得控制，参考电压稳定为VREF，输出电压随之稳定在设定值VOUT，软启动结束。该系列产品支持离线式非隔 离降压和升降压型拓扑电路，适用于小家电电源和 线性电...

高性能、低成本离线式PWM控制开关KP3501A是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关，适用于降压型电路。KP3501A采用高压单晶圆工艺，在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流模式控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的5V默认输出。在芯片内部，芯片内部**小Toff时间固定为20μs且带有抖频功能，在保证输出功率的条件下优化了EMI效果。同时，芯片设计有轻重载模式，可轻松获得低于50mW的待机功耗。KP3501A集成有完备的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、异常过流保护、过热保护、过载保护和短路保护等。主要特点•高精度5V默认输出•集成...

高性能、低成本离线式PWM控制开关KP3501A是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关，适用于降压型电路。KP3501A采用高压单晶圆工艺，在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流模式控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的5V默认输出。在芯片内部，芯片内部**小Toff时间固定为20μs且带有抖频功能，在保证输出功率的条件下优化了EMI效果。同时，芯片设计有轻重载模式，可轻松获得低于50mW的待机功耗。KP3501A集成有完备的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、异常过流保护、过热保护、过载保护和短路保护等。主要特点•高精度5V默认输出•集成...

高性能、低成本离线式PWM控制开关KP3501A是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关，适用于降压型电路。KP3501A采用高压单晶圆工艺，在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流模式控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的5V默认输出。在芯片内部，芯片内部**小Toff时间固定为20μs且带有抖频功能，在保证输出功率的条件下优化了EMI效果。同时，芯片设计有轻重载模式，可轻松获得低于50mW的待机功耗。KP3501A集成有完备的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、异常过流保护、过热保护、过载保护和短路保护等。主要特点•高精度5V默认输出•集成...

18V低功耗DCDC降压芯片，主要特点•宽输入电压范围：4.5Vto17V•输出电压范围：0.768Vto7V•支持2A持续输出电流•电感电流连续模式下600kHz的开关频率•内部集成低导通电阻的MOSFET开关管•低静态工作电流：190μA(无开关动作，典型值)•低关断电流：2.5μA(典型值)•采用恒定导通时间控制实现超快速的动态响应•两种轻载工作模式：•KP522201A：脉冲频率调制模式(PFM)•KP522208A：强制脉宽调制模式(FPWM)•高参考电压精度：0.768V±1.5%@25℃•集成完善的保护功能：•精确的使能控制和可调欠压锁定功能•内部1ms软启动时间，避免过冲电压和...

主要特点•集成500V高压MOSFET和高压启动电路•优化轻载噪音、提升系统抗干扰能力•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•默认12V输出(FB脚悬空)•待机功耗<50mW•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•VDD过压、欠压和电压箝位保护•封装类型SOP-8，可以满足客户不同电压需求：220V交流转12V，220V交流转5V，220V交流转15V，220V交流转24V。芯片采用了多模式 PWM 控 制技术，有效简化了外围电路设计。四川低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片资料在轻...

EN 引脚有一个内部上拉电流源，从而允许用户保持EN 引脚悬空来使能芯片。另外根据实际应用需要，EN 引脚可以接在外部逻辑控制接口上以实现芯片的使能控制。EN 引脚内部集成了一个5V 的稳压二极管(典型的击穿电压为6.9V) 以保护内部电路受到过压风险。在将EN 引脚外接到高于6V的电压比如VIN 电压时，串联加入上拉电阻(不小于100kΩ) 以限制EN 引脚的输入电流，防止损坏齐纳二极管。芯片内部集成了纹波注入电路来模拟输出电压纹波从而实现了在低ESR 的陶瓷输出电容(MLCC) 的低输出纹波条件下的稳定工作。另外，内部还集成了一个斜坡信号产生电路，以减少开关抖动。非隔离降压芯片低成本、线路...

集成了逐周期谷底限流保护(OCL) 功能。每当内部低侧MOSFET 导通时，芯片检测电感电流，当电感电流大于电流限流阈值(ILS(OC)) 时，限流比较器翻转，芯片 进入 OCL模式。此时，芯片内部高侧MOSFET 保持关断状态，直到电感电流下降小于电流限流阈值(ILS(OC)) 后才会再次开启。如果芯片的负载电流超过电感电流(电感电流被OCL 钳位)，则输出电容需要提供额外的电流，从而输出电容放电，输出电压开始下降。当输出电压低于输出欠压保护阈值(VUVP) 时，芯片将停止工作，进入到UVP 打嗝模式，以避免温升过高的情况出现。这款芯片是一种简单易用、高效集成的同步降压转换器。山东低功耗40...

在轻载工作条件下自动进入脉冲频率调制模式(PFM)，以保持轻载高效率。当负载电流逐渐减小时，电感电流纹波的波谷逐渐下降，直至电感电流波谷为0A，此时即为电感电流连续导通模式和不连续导通模式的临界——电感电流临界导通模式。继续降低负载电流，当检测到电感电流过零时，将会关闭低侧MOSFET (LSF)，从而电感电流保持为零。在这种情况下，输出电容只被负载电流放电，输出电压下降速度变慢，从而开关频率将会降低。由于开关频率的降低，轻载时的开关损耗也将降低，从而提高了系统的轻载效率。良好的线性调整率和负载调整率，集成软启动电路。广东非隔离BUCK电源芯片加工220V降压非隔离固定12V输出、高性能低成本...

深圳市必易微电子股份有限公司（股票代码：688045）拥有半导体领域的*****和高效的管理团队，主要从事高性能模拟及数模混合集成电路的研发和销售，在杭州、厦门、上海、成都、中山等地设有研发中心及分支机构。必易微高度重视知识产权的开发和保护，已拥有多项集成电路和系统应用的国际、国内**。主营产品包括AC-DC、DC-DC、驱动IC、线性稳压、保护芯片、电池管理等，为消费电子、工业、通讯、计算机等领域客户提供完整电源解决方案和系统集成。科技改善生活。必易微尊重人才、重用人才，以客户为中心，始终坚持“独特创新、易于使用”的公司理念，创新芯领域，**芯发展，力争成为全球***的芯片设计企业。在芯片内...

降压非隔离电源芯片220V转5V，KP320X集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护(UVLO)、逐周期电流限制(OCP)、输出过压保护(OVP)、FB异常保护、过载保护(OLP)和过热保护等(OTP)。主要特点•固定5V输出•集成650V高压MOSFET和高压启动电路•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•待机功耗低于100mW•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•FB异常保护•异常过流保护(AOCP)•过热保护(OTP)•封装类型SOP-8为了降低系统损 耗，随着负载的降低芯...

KP52220XA采用内置电压误差积分器的恒定导通时间控制(COT)策略。COT控制利用输出电压谷底纹波基于比较器和导通时间定时器实现输出电压调控的目的。在每个周期的开始，每当反馈引脚FB上的电压低于内部参考电压时，芯片内置高侧MOSFET(HSF)被打开，并且持续开通固定的导通时间后关闭，此开通时间由导通时间定时器确定。该导通时间定时器由输出电压和输入电压共同决定，以使开关频率在全输入电压范围内保持接近恒定。当导通时间定时器定时完毕后，HSF将会保持关闭至少200ns(**小关断时间)。**小关断时间后，如果反馈引脚FB上的电压低于内部参考电压，则HSF将再次打开一个固定导通时间。集成式线电...

40V降压DCDC低功耗电源芯片，主要特点•用于条件严苛的工业应用•输入电压范围：6V~40V•1A持续输出电流•100%比较大占空比可实现**压降•支持预偏置输出软启动•输出过压/欠压保护•输入过压保护/欠压锁定•过温保护•±1%输出电压精度•方案小巧且易于使用•集成270mΩP型高侧MOSFET•集成135mΩN型低侧MOSFET•内置补偿电路•内置软启动电路•固定5V输出(KP521405,KP521405A)•固定3.3V输出(KP521403,KP521403A)•为家电应用优化设计•可实现单层PCB布局•低开关速率减轻EMI问题典型应用•白电，小家电•电动工具•智能照明•通用宽输入...

如果输出电容在芯片启动时已经处于预偏置电压状态，芯片*在内部参考电压SS 大于反馈电压VFB 后才启动开关，VOUT 开始上升。该预偏置软启动方案保证了芯片输出电压平稳地上升进入稳定状态。集成了输出欠压打嗝保护(UVP) 功能，通过不断监测反馈电压VFB 防止芯片输出过载或短路。如果VFB 低于输出欠压保护阈值(VUVP) (典型值为内部反馈参考电压的65%)，欠压比较器的输出将会置高，以关闭内部高侧和低侧MOSFET 开关管，阻止芯片继续开关工作。当过流或者过热故障发生时，芯片进入到自动重启 和VDD 振荡模式中。重庆交流高压220V转3.3V供电WIFI非隔离BUCK电源芯片低功耗18V降...

30V降压DCDC电源转换芯片，低待机功耗。提供一个芯片外部使能控制引脚(EN) 以使能或禁止芯片工作。当EN 引脚电压高于EN 上升阈值电压(VEN(R)) 且 VIN 电压高于VIN 欠压锁定阈值(VUVLO(R)) 时，芯片使能开始正常工作。如果EN 引脚电压被拉低到阈值电压(VEN(F)) 以下，则芯片停止开关动作并进入关机模式，即使VIN 电压高于VIN 欠压锁定阈值(VUVLO(R))，芯片也被禁用，开关动作停止。在关机模式下，芯片的输入电流降低到比较低的关断电流(典型值为2.5μA)。芯片采用管脚复用技术，内部差分采样电路采样 VDD 管脚与CS 管脚之间的压差作为内部过流比较 ...

持续的研发是保持产品竞争力的关键，而模拟芯片的研发与设计需要电子、材料、半导体等跨学科知识的积累和跨行业技术的整合，且对研发人员的专业水平和工作经验要求较高。必易微的**研发团队均具备国内外名校的学历背景，并曾在国内外**科技企业担任高层研发和管理职务，拥有丰富的行业经验，对模拟集成电路设计有着深刻的理解。必易微在市场开拓的进程中专注客户服务，对客户的需求能够快速响应，以解决客户痛点、**市场潮流为市场价值导向，取得了行业头部客户的认可和采用，推动了公司产品打破国外厂商对市场的垄断地位，为公司新产品、新业务的发展提供了***辽阔的市场空间。优化轻载噪音、提升系统抗干扰能力。北京AC高压降12V...

VIN 欠压锁定功能(UVLO) 禁止芯片在输入供电电压过低时工作。UVLO 比较器监测内部稳压电源VCC 的输出电压大小。当VIN 下降到VUVLO(F) 以下时，芯片停止开关工作，禁止使能。当VIN 上升到VUVLO(R) 以上时，如果此时VEN 也大于VEN(R)，则芯片使能，开始软启动恢复正常工作。芯片的 VIN UVLO 的上升和下降阈值为固定值，且典型迟滞电压为400mV。如果实际应用中需要设置更高的阈值和迟滞电压，芯片支持在EN 引脚外接分压电阻实现VIN UVLO 上升阈值和VIN UVLO 下降阈值自定义设置，从而避免芯片在开关机时刻由于VIN 的尖峰噪声和纹波导致芯片反复重...

如果输出电容在芯片启动时已经处于预偏置电压状态，芯片*在内部参考电压SS 大于反馈电压VFB 后才启动开关，VOUT 开始上升。该预偏置软启动方案保证了芯片输出电压平稳地上升进入稳定状态。集成了输出欠压打嗝保护(UVP) 功能，通过不断监测反馈电压VFB 防止芯片输出过载或短路。如果VFB 低于输出欠压保护阈值(VUVP) (典型值为内部反馈参考电压的65%)，欠压比较器的输出将会置高，以关闭内部高侧和低侧MOSFET 开关管，阻止芯片继续开关工作。精确的使能控制和可调欠压锁定功能。湖南低功耗100V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片定制在轻载工作条件下自动进入脉冲频率调制模式(PFM)，以保...

VIN 欠压锁定功能(UVLO) 禁止芯片在输入供电电压过低时工作。UVLO 比较器监测内部稳压电源VCC 的输出电压大小。当VIN 下降到VUVLO(F) 以下时，芯片停止开关工作，禁止使能。当VIN 上升到VUVLO(R) 以上时，如果此时VEN 也大于VEN(R)，则芯片使能，开始软启动恢复正常工作。芯片的 VIN UVLO 的上升和下降阈值为固定值，且典型迟滞电压为400mV。如果实际应用中需要设置更高的阈值和迟滞电压，芯片支持在EN 引脚外接分压电阻实现VIN UVLO 上升阈值和VIN UVLO 下降阈值自定义设置，从而避免芯片在开关机时刻由于VIN 的尖峰噪声和纹波导致芯片反复重...

持续的研发是保持产品竞争力的关键，而模拟芯片的研发与设计需要电子、材料、半导体等跨学科知识的积累和跨行业技术的整合，且对研发人员的专业水平和工作经验要求较高。必易微的**研发团队均具备国内外名校的学历背景，并曾在国内外**科技企业担任高层研发和管理职务，拥有丰富的行业经验，对模拟集成电路设计有着深刻的理解。必易微在市场开拓的进程中专注客户服务，对客户的需求能够快速响应，以解决客户痛点、**市场潮流为市场价值导向，取得了行业头部客户的认可和采用，推动了公司产品打破国外厂商对市场的垄断地位，为公司新产品、新业务的发展提供了***辽阔的市场空间。该系列产品支持离线式非隔 离降压和升降压型拓扑电路，适...

输出电压可调，高压交流220V非隔离BUCK电路芯片，非常适用于智能照明，智能家电控制产品。KP35064是一款高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP35064内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。芯片工作在准谐振工作模式下，可有 效降低开关损耗，提高系统效率。四川交流高压220V转5V供电MCU非隔离BUCK电源...

在轻载工作条件下自动进入脉冲频率调制模式(PFM)，以保持轻载高效率。当负载电流逐渐减小时，电感电流纹波的波谷逐渐下降，直至电感电流波谷为0A，此时即为电感电流连续导通模式和不连续导通模式的临界——电感电流临界导通模式。继续降低负载电流，当检测到电感电流过零时，将会关闭低侧MOSFET (LSF)，从而电感电流保持为零。在这种情况下，输出电容只被负载电流放电，输出电压下降速度变慢，从而开关频率将会降低。由于开关频率的降低，轻载时的开关损耗也将降低，从而提高了系统的轻载效率。在实际 工作中，系统开关频率取决于负载状态以及VDD 电压与输出电压基准的高低，所以系统工作在调频 模式中。重庆低功耗40...