非隔离BUCK电源芯片基本参数
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非隔离BUCK电源芯片企业商机

18V低功耗DCDC降压芯片,主要特点•宽输入电压范围:4.5Vto17V•输出电压范围:0.768Vto7V•支持2A持续输出电流•电感电流连续模式下600kHz的开关频率•内部集成低导通电阻的MOSFET开关管•低静态工作电流:190μA(无开关动作,典型值)•低关断电流:2.5μA(典型值)•采用恒定导通时间控制实现超快速的动态响应•两种轻载工作模式:•KP522201A:脉冲频率调制模式(PFM)•KP522208A:强制脉宽调制模式(FPWM)•高参考电压精度:0.768V±1.5%@25℃•集成完善的保护功能:•精确的使能控制和可调欠压锁定功能•内部1ms软启动时间,避免过冲电压和电流•逐周期谷底限流保护(OCL)•非闭锁的输入欠压保护(UVLO)、输出欠压保护(UVP)、输出过压保护(OVP)和过温保护(OTP)•紧凑的解决方案尺寸:•支持使用MLCC陶瓷电容,且支持低输出电容数量•无需外部补偿•小封装类型:SOT23-6在芯片内部,振荡器频率 固定为31kHz且带有抖频功能,在保证输出功率的 条件下优化了EMI效果。AC高压降12V供电非隔离BUCK电源芯片原厂

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芯片内部集成有AC同步检测电路,该电路通过Drain端对地内置的分压电阻检测AC信号。当芯片检测到Drain端电压低于VAC_sync_OFF以后,内部功率MOSFET随即打开对VDD电容进行充电。由于芯片Drain端对地存在寄生电容,导致Drain端电压可能过高,芯片将一直无法进入充电窗口。针对该问题,芯片内部设计了主动式泄放电路:该泄放电路在VDD电压低于VDD_OVP_hys后打开内部Drain-VDD的高压电流源泄放通道,并在VDD电压达到VDD_OVP以后关闭该泄放通道。通过对芯片Drain端寄生电容的主动式泄放控制,确保了足够的输入能量可以在充电窗口期间对VDD进行充电。此外,当各种保护(UVP,OLPorOTP)发生时,主动式泄放电路也将打开,对VDD电容进行充电,同时对Drain端寄生电容进行放电,以此确保后续保护逻辑的顺利展开和自恢复重启的顺利进行。重庆低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片型号AC交流输入,输出12V/500mA电流的低成本BUCK降压芯片。

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芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节,可以有效降低空载情况下的待机功耗。KP35064集成有完备的带自恢复功能的保护功能:VDD欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、过热保护、过载保护和VDD过压保护等。主要特点•集成500V高压MOSFET和高压启动电路•集成续流二极管•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•支持**压输入(>20V)•空载功耗低于100mW•支持比较高30kHz开关频率•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能:•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•过温保护(OTP)•封装类型SOP-8

BUCK降压芯片,小封装输出5V100mA,低功耗、高效率、线路简单,在某些情况下(如重载或者输出短路等),系统的电感电流峰值将上升过于剧烈。为避免电感峰值电流过大对系统元器件造成损坏,芯片内部设计有异常过流检测模块(AOCP,典型阈值为250mA)。当CS电压高于该阈值时,内部功率MOSFET即刻关断并保持关断状态持续2个周期。芯片内部集成的过热保护电路会检测芯片的芯片结温,当芯片结温超过155度(典型值)时系统进入到自动重启模式。COT 控制利用输出电压谷底纹波基于比较器和导通时间定时器实现输出电压调控的目的。

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另外为了优化芯片的 EMI 性能和保证芯片的可靠稳定运行,在使用陶瓷电容作为输入电容 CIN 外,推荐另外再添加一个 0.1μF 的陶瓷电容(0603/0402 封装) 尽可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引脚旁。需要注意的是,虽然陶瓷电容具有优良的高频性能和稳定的使用寿命,但是在某些输入电压热插拔的使用场景下,实际VIN 引脚上的电压可能会由于陶瓷电容的低ESR 特性出现振荡,**恶劣时甚至会振荡到2 倍的 VIN 电压,从而过压击穿芯片。此时,推荐在输入电压端额外并联加入一颗具有较大ESR 的电解电容或者在输入电压端添加一颗TVS 二极管以限制输入过压的情况。内部功率MOSFET 漏极,当输入电压下降至充电窗口区间 时向后级提供能量。辽宁AC高压降15V供电非隔离BUCK电源芯片库存

;当工作 于空载附近时,系统将重新进入调频模式以降低待 机损耗。AC高压降12V供电非隔离BUCK电源芯片原厂

降压非隔离电源芯片220V转5V,KP320X集成有完备的带自恢复功能的保护功能:VDD欠压保护(UVLO)、逐周期电流限制(OCP)、输出过压保护(OVP)、FB异常保护、过载保护(OLP)和过热保护等(OTP)。主要特点•固定5V输出•集成650V高压MOSFET和高压启动电路•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•待机功耗低于100mW•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能:•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•FB异常保护•异常过流保护(AOCP)•过热保护(OTP)•封装类型SOP-8AC高压降12V供电非隔离BUCK电源芯片原厂

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