降压非隔离电源芯片220V转5V，KP320X集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护(UVLO)、逐周期电流限制(OCP)、输出过压保护(OVP)、FB异常保护、过载保护(OLP)和过热保护等(OTP)。主要特点•固定5V输出•集成650V高压MOSFET和高压启动电路•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•待机功耗低于100mW•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•FB异常保护•异常过流保护(AOCP)•过热保护(OTP)•封装类型SOP-8为了降低系统损 耗，随着负载的降低芯片会自动降低峰值电流 基准以满足**待机的要求。四川低功耗150V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片技术支持
同步降压变换器的输出级主要由电感和电容组成，通过内部集成的功率MOSFET管的开关切换，将能量存储并传递给负载，并形成二阶低通滤波器平滑开关节点电压，得到稳定的输出直流电压。本节基于设计实例主要描述详细的设计过程。芯片可以通过使用外部分压电阻连接到FB引脚来设置不同的输出电压。输出电压与外部分压电阻的公式如下：+×=FB(B)FB(T)REFOUTRR1VV其中VREF=0.768V推荐从分压下电阻RFB(B)开始设计。过大的RFB(B)会导致FB引脚更容易收到外界噪声干扰，而过小的RFB(B)会增大分压电阻的功率损耗。综合考虑二者，推荐选择RFB(B)=10kΩ~50kΩ。则分压上电阻RFB(T)可由如下公式计算得到：−×=1REFOUTFB(B)FB(T)VVRR其中VREF=0.768V安徽低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片加工芯片供电管脚，用于能量存储，串接一电容到地后将输入能 量传递至LDO 输出级。
高性能、低成本离线式PWM控制功率开关KP3112是一款高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP3112内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外，芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。KP3112集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、过热保护、过载保护等。主要特点•集成700V高压MOSFET和高压启动电路•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•支持**压输入(>20V)•空载功耗低于100mW•支持比较高30kHz开关频率•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•过温保护(OTP)•封装类型SOT23-5
集成了输出过压保护(OVP) 功能，以减小输出电压过冲，并保护下游用电设备免受在输出故障条件或者突减负载时可能出现的高压尖峰的损坏。OVP 电路通过监测反馈电压(VFB) 检测过压条件。当VFB 超过 OVP 阈值 (VOVP) 时，OVP 比较器输出置高，内置高侧和低侧MOSFET 都将关闭，以避免VOUT 进一步升高。一旦VOUT 低于 VOVP，芯片开始再次工作。输出过压保护功能为非锁存功能。IC内部集成了纹波注入电路来模拟输出电压纹波从而实现了在低ESR 的陶瓷输出电容(MLCC) 的低输出纹波条件下的稳定工作。另外，内部还集成了一个斜坡信号产生电路，以减少开关抖动。采用恒定导通时间控制实现超快速的动态响应。
芯片引脚内部有一个上拉电流源(IEN(P))，使得芯片在EN 引脚外部悬空时处于使能状态。同时，上拉电流源同样也可被用于设置外部VIN UVLO 功能的电压阈值和迟滞。引脚EN 引脚电压 VEN 由 VIN 分压得到，当VEN 随着 VIN 上升而大于VEN(R) 时，额外的一个上拉迟滞电流源(IEN(H)) 会被打开从而改变VEN 的电压比，实现上升和下降阈值分别自定义配置的功能。使用如下公式9-1 和公式9-2 可以计算得到指定VIN UVLO 阈值的REN(TOP) 和 REN(BOT) 配置，其中VIN(START) 和 VIN(STOP) 为自定义配置的输入启动电压和关闭电压值。非隔离降压芯片低成本、线路简洁、性能可靠。四川低功耗150V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片技术支持
这款芯片适用于WIFI模块供电。四川低功耗150V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片技术支持
BUCK降压芯片，小封装输出5V100mA，低功耗、高效率、线路简单，在某些情况下(如重载或者输出短路等)，系统的电感电流峰值将上升过于剧烈。为避免电感峰值电流过大对系统元器件造成损坏，芯片内部设计有异常过流检测模块(AOCP，典型阈值为250mA)。当CS电压高于该阈值时，内部功率MOSFET即刻关断并保持关断状态持续2个周期。芯片内部集成的过热保护电路会检测芯片的芯片结温，当芯片结温超过155度(典型值)时系统进入到自动重启模式。四川低功耗150V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片技术支持
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