非隔离BUCK电源芯片基本参数
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非隔离BUCK电源芯片企业商机

EN 引脚有一个内部上拉电流源,从而允许用户保持EN 引脚悬空来使能芯片。另外根据实际应用需要,EN 引脚可以接在外部逻辑控制接口上以实现芯片的使能控制。EN 引脚内部集成了一个5V 的稳压二极管(典型的击穿电压为6.9V) 以保护内部电路受到过压风险。在将EN 引脚外接到高于6V的电压比如VIN 电压时,串联加入上拉电阻(不小于100kΩ) 以限制EN 引脚的输入电流,防止损坏齐纳二极管。芯片内部集成了纹波注入电路来模拟输出电压纹波从而实现了在低ESR 的陶瓷输出电容(MLCC) 的低输出纹波条件下的稳定工作。另外,内部还集成了一个斜坡信号产生电路,以减少开关抖动。非隔离降压芯片低成本、线路简洁、性能可靠。安徽大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片加工

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如果输出电容在芯片启动时已经处于预偏置电压状态,芯片*在内部参考电压SS 大于反馈电压VFB 后才启动开关,VOUT 开始上升。该预偏置软启动方案保证了芯片输出电压平稳地上升进入稳定状态。集成了输出欠压打嗝保护(UVP) 功能,通过不断监测反馈电压VFB 防止芯片输出过载或短路。如果VFB 低于输出欠压保护阈值(VUVP) (典型值为内部反馈参考电压的65%),欠压比较器的输出将会置高,以关闭内部高侧和低侧MOSFET 开关管,阻止芯片继续开关工作。中国香港AC高压220V降30V非隔离BUCK电源芯片价格该芯片通过智能控制交流能 量输入以减小系统损耗,提高系统效率,同时有效 降低系统待机。

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芯片在轻载条件下工作在FPWM 模式,从而允许低侧MOSFET 通过反向电流。在FPWM 模式下,如果输出端由于意外被连接到外部电源上,芯片可能工作在反向升压模式,产生很高的反向电流以至损坏芯片。芯片 内部集成低侧MOSFET 电流检测电路,当检测到低侧MOSFET反向电流大于反向限流阈值(NOC) 时,立即关闭低侧MOSFET,然后打开高侧MOSFET 将输出电感的能量泄放出去。此功能可以限制反向电流保持在NOC 阈值以上,从而保护低侧MOSFET。另外,NOC 限流在**小关断时间内不生效。

PCB设计对芯片的稳定可靠工作至关重要,请遵循以下指南设计以获得比较好的电路工作性能:1.输入陶瓷电容尽可能靠近VIN和GND引脚放置。2.功率回路CIN→L→COUT→GND的走线应该尽可能短和宽以减小回路压降,提高转换效率。3.SW节点的电压波形为高频方波,适当减小SW节点的铺铜可以改善EMI性能,另一方面适当增大SW节点的铺铜可以优化散热性能,可根据实际情况适当折衷考虑。4.FB引脚的走线尽可能远离噪声源,比如SW节点和BST节点。5.输出电压VOUT的采样点靠近输出电容末端放置,且分压采样电阻靠近FB引脚放置。6.VIN和GND的走线和铺铜尽可能宽以帮助散热。在多层板的PCB设计中,推荐为GND引脚设置一个完整的GND层,并在GND层和芯片层间增加足够多的过孔。PWM控制电路、**的过零检测电 路以及各种保护电路,用以实现临界导通驱动控制。

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设计在 4.5V 到 17V 范围内工作,BUCK 降压变换器要求输入电压高于输出电压才能正常工作,建议比较大工作占空比为75%,则建议的**小输入电压为VOUT/0.75。芯片不允许输出电压高于输入电压,这种情况下输出电压通过高侧功率体二极管向输入电源放电,由此产生的反向电流可能导致不可预测的行为。如果有这种应用条件出现,可以添加串联二极管等方式以阻断此反向电流。电感的选型关系到芯片方案的体积、成本、效率和暂态响应性能。主要考虑电感的3 个关键参数:电感量(L),电感饱和电流(ISAT) 和电感直流电阻(DCR)。优化轻载噪音、提升系统抗干扰能力。北京低功耗30V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片加工

为了避免开通瞬间的 干扰, 芯片内设计有前沿消隐电路( 典型值 300ns)。安徽大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片加工

持续的研发是保持产品竞争力的关键,而模拟芯片的研发与设计需要电子、材料、半导体等跨学科知识的积累和跨行业技术的整合,且对研发人员的专业水平和工作经验要求较高。必易微的**研发团队均具备国内外名校的学历背景,并曾在国内外**科技企业担任高层研发和管理职务,拥有丰富的行业经验,对模拟集成电路设计有着深刻的理解。必易微在市场开拓的进程中专注客户服务,对客户的需求能够快速响应,以解决客户痛点、**市场潮流为市场价值导向,取得了行业头部客户的认可和采用,推动了公司产品打破国外厂商对市场的垄断地位,为公司新产品、新业务的发展提供了***辽阔的市场空间。安徽大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片加工

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