在轻载条件下，系统工作在断续模式下。故实际输入功率取决于电感电流峰值大小。为了降低系统损耗，随着负载的降低会自动降低峰值电流基准以满足**待机的要求。内集成有4ms(典型值)周期的软启动功能，当芯片***次启动时过流保护阈值逐渐增加，而且每次系统的重新启动都会伴随着一次软启动过程。当过流或短路情况发生时，输出电压和VDD将降低，如果在128ms(典型值)的时间内每次振荡器的周期里高压MOSFET都被开通，则芯片识别此情况为过流或短路故障已发生，并停止开关动作之后进入自动重启模式(如下描述)。在此过程中高压MOSFET 不 允许导通，同时VDD 电容上电压持续在6.2V 和 7V 之间振荡。中国香港低功耗150V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片资料
主要特点•集成500V高压MOSFET和高压启动电路•优化轻载噪音、提升系统抗干扰能力•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•默认12V输出(FB脚悬空)•待机功耗<50mW•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•VDD过压、欠压和电压箝位保护•封装类型SOP-8，可以满足客户不同电压需求：220V交流转12V，220V交流转5V，220V交流转15V，220V交流转24V。中国台湾低功耗100V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片型号可调输出电压，比较高输出电流限制的特 点，适用于非隔离型AC-DC。
集成了内部软启动功能，以减小芯片启动上电过程中的冲击电流和保证输出电压平稳上升。当VIN 高于 UVLO 阈值时，输出电压从EN上升沿延迟440μs (典型值) 后开始上升。当芯片启动时，内部的软启动电路产生一个从0V 开始上升的软启动电压(SS)。当SS 低于内部参考电压(VREF) 时，SS 覆盖 VREF，因此电压误差积分器和控制比较器使用SS 作为参考电压，输出电压跟随SS 平稳上升。当SS 升到 VREF 电压时，VREF 重新获得控制，参考电压稳定为VREF，输出电压随之稳定在设定值VOUT，软启动结束。
输出电压可调，高压交流220V非隔离BUCK电路芯片，非常适用于智能照明，智能家电控制产品。KP35064是一款高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP35064内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。工作在强制脉宽调制模式(FPWM) 下以实现全负载电流下固定的开关频率和低输出纹波。
芯片内部集成有AC同步检测电路，该电路通过Drain端对地内置的分压电阻检测AC信号。当芯片检测到Drain端电压低于VAC_sync_OFF以后，内部功率MOSFET随即打开对VDD电容进行充电。由于芯片Drain端对地存在寄生电容，导致Drain端电压可能过高，芯片将一直无法进入充电窗口。针对该问题，芯片内部设计了主动式泄放电路：该泄放电路在VDD电压低于VDD_OVP_hys后打开内部Drain-VDD的高压电流源泄放通道，并在VDD电压达到VDD_OVP以后关闭该泄放通道。通过对芯片Drain端寄生电容的主动式泄放控制，确保了足够的输入能量可以在充电窗口期间对VDD进行充电。此外，当各种保护（UVP,OLPorOTP）发生时，主动式泄放电路也将打开，对VDD电容进行充电，同时对Drain端寄生电容进行放电，以此确保后续保护逻辑的顺利展开和自恢复重启的顺利进行。芯片采用准谐 振开关技术，可获得优越的EMI 性能和较高的系统 效率。低功耗150V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片型号
当过流或者过热故障发生时，芯片进入到自动重启 和VDD 振荡模式中。中国香港低功耗150V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片资料
集成了逐周期谷底限流保护(OCL) 功能。每当内部低侧MOSFET 导通时，芯片检测电感电流，当电感电流大于电流限流阈值(ILS(OC)) 时，限流比较器翻转，芯片 进入 OCL模式。此时，芯片内部高侧MOSFET 保持关断状态，直到电感电流下降小于电流限流阈值(ILS(OC)) 后才会再次开启。如果芯片的负载电流超过电感电流(电感电流被OCL 钳位)，则输出电容需要提供额外的电流，从而输出电容放电，输出电压开始下降。当输出电压低于输出欠压保护阈值(VUVP) 时，芯片将停止工作，进入到UVP 打嗝模式，以避免温升过高的情况出现。中国香港低功耗150V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片资料
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