重庆专业特种封装方案

封装基板的主流生产技术，主要的积层精细线路制作方法，半导体封装基板层间互联、积层精细线路制作方法是从高密度互联/积层多层（High Density Interconnection/Build up Multilayer，HDI/BUM）衍生而来，HDI/BUM板制造工艺技术种类繁多，通过可生产性、可靠性和成本等各方面的优胜劣汰和市场选择，目前比较成熟的工艺集中在3-5种。早期的集成电路封装基板由于封装芯片I/O数有限，其主流制作技术是印制电路板制造通用技术—蚀刻铜箔制造电子线路技术，属于减成法。金属封装的种类有光电器件封装包括带光窗型、带透镜型和带光纤型。重庆专业特种封装方案

TO 封装。TO 封装是典型的金属封装。TO 封装具有高速、高导热的优良性能。对于光通信中的高速器件，使用金属 TO 外壳封装可实现 25Gbit/s 以上传输速率；对于需要散热效率高的电子器件或模块，使用高导热 TO 外壳封装能够达到更好的散热效果，该类外壳以无氧铜代替传统可伐合金，导热速率是传统外壳的 10 倍以上。常见的TO规格有TO-18、TO-46、TO-56、TO-8、TO-9、TO-10等，如图1所示为多种规格型号的TO元器件。上述各类TO元器件的封装，可采用储能式封焊机进行封装，例如北京科信机电技术研究所（以下简称北京科信）生产的FHJ-3自动储能式封焊机。储能式封焊机，其工作原理主要是采用一定的充电电路对电容进行充电，由电容先将能量储存起来，当储存的能量达到可以使被焊接器件接触面焊点熔化的能量值时，控制系统控制电容瞬时放电，向焊接区提供集中能量，从而得到表面质量好、变形小的焊件。湖北芯片特种封装供应商LGA封装为底部方形焊盘，区别于QFN封装，在芯片侧面没有焊点，焊盘均在底部。

PQFN封装，PQFN是一种无引脚封装，呈正方形或矩形，封装底部中间位置有一个大面积裸露焊盘，提高了散热性能。围绕大焊盘的封装外部四周有实现电气连接的导电焊盘。由于PQFN封装不像SOP、QFP等具有翼形引脚，其内部引脚与焊盘之间的导电路径短，自感系数及封装体内的布线电阻很低，所以它能提供良好的电性能。由于PQFN具有良好的电性能和热性能，体积小、质量小，因此已经成为许多新应用的理想选择。PQFN非常适合应用在手机、数码相机、PDA、DV、智能卡及其他便携式电子设备等高密度产品中。

SMD封装，SMD封装是表面贴装技术（SMT）中较常用的封装形式，它是将元件直接粘贴在印制电路板的表面。SMD封装尺寸小、重量轻、性能优异、可自动化生产等特点，适用于通信、计算机、汽车电子等高密度集成电路。如图4所示为几种尺寸的SMD封装示例。一些尺寸较小的SMD元器件，为防止其在封装过程中底座和盖板产生相对位移，可采用先预焊再滚焊的方式进行封装。如使用图5所示北京科信的YHJ-1预焊机，利用视觉系统高精度定位功能进行定位及点焊实现器件盖板与底座的固定，防止封装过程中底座和盖板产生相对位移；然后再使用图6所示的GHJ-1平行焊机完成然后的封装。大模块金属封装的逐步普及和应用，为工业自动化和能源节约提供了可靠的技术支持。

按基板的基体材料，基板可分为有机系（树脂系）、无机系（陶瓷系、金属系）及复合系三大类。一般来说，无机系基板材料具有较低的热膨胀系数，以及较高的热导率，但是具有相对较高的介电常数，因此具有较高的可靠性，但是不适于高频率电路中使用；有机系基板材料热膨胀率稍高，散热较差，但是具有更低的介电常数，且质轻，便于加工，便于薄型化。同时由于近几十年内聚合物材料的不断发展，有机系基板材料的可靠性有极大提升，因此己经被普遍应用。陶瓷封装的种类有DIP和SIP;对大规模集成电路封装包括PGA,QFP,PLCC和BGA。湖北芯片特种封装供应商

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cpu有两种封装形式？包括两种封装形式DIP封装和BGA封装。DIP封装，DIP封装（Dual In-line Package），又称双列直接包装技术，是指采用双列直接包装的集成电路芯片，绝大多数中小型集成电路采用这种包装形式，其引脚数量一般不超过 100。DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入DIP芯片插座上的结构。当然，也可以直接插在电路板上进行焊接，具有相同的焊孔数和几何排列。DIP从芯片插座上插入封装芯片时要特别小心，以免损坏管脚。DIP封装结构有:多层陶瓷双排直插式DIP，双列直插式单层陶瓷DIP，引线框架式DIP(包括玻璃陶瓷封接式、塑料封接式、陶瓷低熔玻璃封接式)等。重庆专业特种封装方案