光耦合器的电流传输比（CTR）的允许范围是50%～200%。这是因为当CTR<50%时，光耦中的LED就光纤耦合器需要较大的工作电流（IF>5.0mA），才能正常控制单片开关电源IC的占空比，这会增大光耦的功耗。若CTR>200%，在启动电路或者当负载发生突变时，有可能将单片开关电源误触发，影响正常输出。2、若用放大器电路去驱动光电耦合器，必须精心设计，保证它能够补偿耦合器的温度不稳定性和漂移。2、推荐采用线性光耦合器，其特点是CTR值能够在一定范围内做线性调整。 线性光耦一般价格比普通光耦高，但是使用方便，设计简单；山东高速光耦群芯微代理库存
⑶按封装形式分，可分为同轴型，双列直插型，TO封装型，扁平封装型，贴片封装型，以及光纤传输型光耦等。⑷按传输信号分，可分为数字型光电耦合器（OC门输出型，图腾柱输出型及三态门电路输出型等）和线性光电耦合器（可分为低漂移型，高线性型，宽带型，单电源型，双电源型等）。⑸按速度分，可分为低速光电耦合器（光敏三极管、光电池等输出型）和高速光电耦合器（光敏二极管带信号处理电路或者光敏集成电路输出型）。⑹按通道分，可分为单通道，双通道和多通道光电耦合器。⑺按隔离特性分，可分为普通隔离光电耦合器（一般光学胶灌封低于5000V，空封低于2000V）和高压隔离光电耦合器（可分为10kV，20kV，30kV等）。⑻按工作电压分，可分为低电源电压型光电耦合器（一般5～15V）和高电源电压型光电耦合器（一般大于30V）。 山东高速光耦群芯微代理库存这种耦合的缺点是会在变压器铁芯片中损耗掉一部分功率，并可能造成某些失真。
由于光电耦合器的品种和类型非常多，在光电子DATA手册中，其型号超过上千种，通常可以按以下方法进行分类：⑴按光路径分，可分为外光路光电耦合器（又称光电断续检测器）和内光路光电耦合器。外光路光电耦合器又分为透过型和反射型光电耦合器。⑵按输出形式分，可分为：a、光敏器件输出型，其中包括光敏二极管输出型，光敏三极管输出型，光电池输出型，光可控硅输出型等。b、NPN三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型，互补输出型等。c、达林顿三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型。d、逻辑门电路输出型，其中包括门电路输出型，施密特触发输出型，三态门电路输出型等。e、低导通输出型（输出低电平毫伏数量级）。f、光开关输出型（导通电阻小于10Ω）。g、功率输出型（IGBT/MOSFET等输出）。h,光敏电阻型（通过光，控制输出电阻，输出电阻可以双向，可以交流，改变了PC817之类只能一个方向的不便，纯电阻材料，无极性输出，如LCR－0202）
高压可控硅输出光耦适合用于控制交流负载。这种光耦，既有双向可控硅输出，也有单向可控硅输出。过零型双向可控硅输出光耦，内置过零检测模块，它在收到输入端的控制信号时，并不是马上开启双向可控硅模块，而是等到“过零”后才触发双向可控硅进行导通，这是在零点附近进行启动，能有效地防止对负载和电网的冲击，减少电磁干扰。可控硅具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制。可控硅光耦被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频、可控硅调功器、电机控制与驱动、以及家用电器等产品。采用光电耦合器作固体继电器具有体积小、耦合密切、驱动功率小、动作速度快、工作温度范围宽等优点。
1.汽车电驱部分常应用到智能栅极驱动光耦QX33xJ，智能栅极驱动光耦为**型光耦，在强弱电隔离、通信、过程控制等传统领域都会用到，如汽车电子领域就有应用智能栅极驱动光耦的需求。QX33xJ峰值电流更高、抗扰能力更强，具有可编程故障检测、欠压锁定的特点。2.汽车电控系统由传感器、控制器和执行器组成。传感器主要是收集控制器所需要的各部分的信号，为控制器指挥执行器提供数据支持。电控系统运用到的光耦类型较***，如晶体管光耦(QX8801)、高速光耦(QX6N137,QX074L,QX0631)、(智能)栅极驱动光耦(QX343,QX33xJ)、IPM接口光耦(QX480)、光隔运放(QXC87,QXC790)。3.QX174、QX224、QXV258、QXS258常应用于汽车电池管理系统，由系统控制和驱动。光继电器由小电压小电流控制大电压大电流，内部分为线圈控制端和负荷端，当给线圈控制端施加一个驱动电压时，负荷端就能发生闭合或者断开的动作，QX品牌的常开型光继电器在没有施加驱动电压时保持负荷端开路，施加驱动电压时负荷端立刻闭合，接通主回路。光耦合器是70年代发展起来产新型器件。山东高速光耦群芯微代理库存
光电耦合器还可应用于高压控制，取代变压器，代替触点继电器以及用于A/D电路等多种场合。山东高速光耦群芯微代理库存
栅极驱动光耦包含一个GaAsPLED，LED光耦合到一个集成电路的功率输出级。这些光耦比较适合驱动功率IGBT和Mosfet的栅极，较高的输出电压能达到功率器件的栅级电压驱动要求。电压和电流由这些光耦提供，使他们能直接驱动高达1200V/100A的IGBT。栅极驱动光耦用于在控制电路和高压之间提供增强的电绝缘。其抑制高共模噪声的能力可防止在高频开关期间功率半导体的误动作。其共模瞬态耐久性比较高等级为35kV/μs，可用于逆变器、伺服系统等噪声环境恶劣的工业产品应用。山东高速光耦群芯微代理库存
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