输出端为光敏晶体管直接输出的光电耦合器称为晶体管光耦。晶体管光耦输出端一般常用的晶体管有：光电二极管、光敏三极管、光敏型达林顿管。光电二极管线性特性好；光敏三极管有线性特性，在一定范围内具有电流放大能力；光敏型达林顿管具有更高的放大倍数，可以在小电流输入状态下，驱动更大的输出电流。晶体管光耦通常在电源电路中做电压反馈，在控制电路中做信号检测、信号控制等功能。交直流并用的半导体继电器，是一种发光器件和受光器件一体化的器件，是光电耦合器的一种，由一个MOSFET耦合的LED组成。光继电器具有体积小、无机械触点、长寿命、低动作电流、高隔离电压、高速切换、低泄漏电流、支持热开关的优点。光继电器可广泛应用于测试系统、量测仪器仪表、通信设备、保全设备、医疗设备等。光电耦合器可作为线性耦合器使用。PS2562-1型号光耦国产品牌替代
光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat）。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离，在设计电路时，必须遵循下列原则：所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准；由英国埃索柯姆（Isocom）公司、美国FAIRCHILD生产的4N××系列（如4N25、4N26、4N35）光耦合器，在国内应用地十分普遍。可以用于单片机的输出隔离；所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。 福建智能功率模块接口光耦群芯微代理定制同时由于该电路还具有消噪功能，因此避免了信号的失真。
智能型栅极驱动光耦指的是在一般驱动光耦具备栅极驱动功能以外，还具有欠压闭锁反馈、退饱和检测、以及反馈等功能。IGBT/SiC的功率越来越大，其驱动、保护到反馈等环节的重要性越来越强。智能栅极驱动光耦用于在控制电路和高压之间提供增强的电绝缘。智能栅极驱动光耦为**型光耦（比如变频器、逆变器IGBT栅极驱动的隔离，变频器电机电流检测的隔离）。在强弱电隔离、通信、过程控制等传统领域都会用到的光隔离器件，如汽车电子、高速铁路和新能源等新的领域也都有需求。产品特点：l在传统的栅极驱动器上增加了保护电路。l可编程故障传感l去饱和检测lIGBT软断开l欠压锁定l输出电压轨到轨摆动l低功耗l负栅级驱动电压能力lCMR:>15kV/μsl平面型光耦l采用推挽式结构输出，l输出峰值电流高
由于光电耦合器的品种和类型非常多，在光电子DATA手册中，其型号超过上千种，通常可以按以下方法进行分类：⑴按光路径分，可分为外光路光电耦合器（又称光电断续检测器）和内光路光电耦合器。外光路光电耦合器又分为透过型和反射型光电耦合器。⑵按输出形式分，可分为：a、光敏器件输出型，其中包括光敏二极管输出型，光敏三极管输出型，光电池输出型，光可控硅输出型等。b、NPN三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型，互补输出型等。c、达林顿三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型。d、逻辑门电路输出型，其中包括门电路输出型，施密特触发输出型，三态门电路输出型等。e、低导通输出型（输出低电平毫伏数量级）。f、光开关输出型（导通电阻小于10Ω）。g、功率输出型（IGBT/MOSFET等输出）。h,光敏电阻型（通过光，控制输出电阻，输出电阻可以双向，可以交流，改变了PC817之类只能一个方向的不便，纯电阻材料，无极性输出，如LCR－0202）就抗干扰设计而言，很多场合下，既能采用光电耦合器隔离驱动，也能采用继电器隔离驱动。
光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离，光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏（三极）管封装在一起。发光二极管把输入的电信号转换为光信号传给光敏管转换为电信号输出，由于没有直接的电气连接，这样既耦合传输了信号，又有隔离作用。只要光耦合器质量好，电路参数设计合理，一般故障少见。如果系统中出现异常，使输入、输出两侧的电位差超过光耦合器所能承受的电压，就会使之被击穿损坏。可以认为是一个发光二极管和一个光电二极管或三极管封装到一起。可以实现信号的完全电气隔离。在信号采集系统中***采用。光耦是通电使发光二极管发光，光敏二极管接受光导通的器件。其好处输入和输出是隔离的，就象变压器一样。6N137和6N138是光耦8脚IC，具体参数搜索一下即可光偶隔离器的缺点是尺寸太大。 光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离，光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏（三极）管封装在一起。湖北栅极驱动光耦群芯微代理代理
光耦隔离传输数字量时，要考虑光耦的响应速度问题。PS2562-1型号光耦国产品牌替代
以下为光电耦合器的常用参数：反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。 PS2562-1型号光耦国产品牌替代
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