•晶体管光耦：将从晶体管光耦拓展至高放大倍数光耦，并根据客户的具体需求定制化光耦产品；•高速光耦：不断提升传输速率，将从10M以下逐步提升至15，25MHZ，并向百兆级通讯光耦迈进；•高压光耦：不断提升电压，将从400V/800V逐步提升至1200V，并在2023-2024年达到1500V及以上；•门驱动光耦：电流将从0.6A-2.5A提升至4A，并逐步升级为智能门驱动光耦与高隔离门驱动光耦；•光继电器：优化灵敏度,提高电压值及开关速度等性能指标。利用线性光耦合器可构成光耦反馈，通过调节控制端电流来改变占空比，达到精密稳压目的，实现信号接收转移。福建IPM光耦群芯微代理原厂
智能型栅极驱动光耦指的是在一般驱动光耦具备栅极驱动功能以外，还具有欠压闭锁反馈、退饱和检测、以及反馈等功能。IGBT/SiC的功率越来越大，其驱动、保护到反馈等环节的重要性越来越强。智能栅极驱动光耦用于在控制电路和高压之间提供增强的电绝缘。智能栅极驱动光耦为**型光耦（比如变频器、逆变器IGBT栅极驱动的隔离，变频器电机电流检测的隔离）。在强弱电隔离、通信、过程控制等传统领域都会用到的光隔离器件，如汽车电子、高速铁路和新能源等新的领域也都有需求。产品特点：l在传统的栅极驱动器上增加了保护电路。l可编程故障传感l去饱和检测lIGBT软断开l欠压锁定l输出电压轨到轨摆动l低功耗l负栅级驱动电压能力lCMR:>15kV/μsl平面型光耦l采用推挽式结构输出，l输出峰值电流高江西隔离运算放大器群芯微代理原厂光电耦合器可作为线性耦合器使用。
光耦合器的输出特性实际也就是其内部光敏三极管的特性，与普通的三极管类似。常见的参数有：1.集电极电流Ic（CollectorCurrent）光敏三极管集电极所流过的电流，通常表示其最大值。2.集电极-发射极电压Vceo（C-EVoltage）集电极-发射极所能承受的电压。3.发射极-集电极电压Veco（E-CVoltage）发射极-集电极所能承受的电压4.反向截止电流Iceo5.C-E饱和电压Vce(sat)（C-ESaturationVoltage）四、传输特性：1．电流传输比CTR（CurrentTransferRadio）2．上升时间Tr（RiseTime）&下降时间Tf（FallTime）其它参数诸如工作温度、耗散功率等不再一一敷述。三、隔离特性1．入出间隔离电压Vio（IsolationVoltage）光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。2．入出间隔离电容Cio（IsolationCapacitance）：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值3．入出间隔离电阻Rio：（IsolationResistance）
输入特性光耦合器的输入特性实际也就是其内部发光二极管的特性。常见的参数有：1.正向工作电压Vf（ForwardVoltage）Vf是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。常见的小功率LED通常以If=20mA来测试正向工作电压，当然不同的LED，测试条件和测试结果也会不一样。2.反向电压Vr（ReverseVoltage）是指LED所能承受的比较大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。在使用交流脉冲驱动LED时，要特别注意不要超过反向电压。3.反向电流Ir（ReverseCurrent）通常指在比较大反向电压情况***过LED的反向电流。4.允许功耗Pd（MaximumPowerDissipation）LED所能承受的最大功耗值。超过此功耗，可能会损坏LED。5.中心波长λp（PeakWaveLength）是指LED所发出光的中心波长值。波长直接决定光的颜色，对于双色或多色LED，会有几个不同的中心波长值。6.正向工作电流If（ForwardCurrent）If是指LED正常发光时所流过的正向电流值。不同的LED，其允许流过的最大电流也会不一样。7.正向脉冲工作电流Ifp（PeakForwardCurrent）Ifp是指流过LED的正向脉冲电流值。为保证寿命，通常会采用脉冲形式来驱动LED，通常LED规格书中给中的Ifp是以0.1ms脉冲宽度,占空比为1/10的脉冲电流来计算的。 今后, 光电耦合器将向高速化、高性能, 小体积, 轻重量的方向发展。
智能功率模块（IPM）由高速，低功耗的IGBT芯片和优化的栅极驱动电路及多种保护电路集成在同一模块内。IPM的通态损耗和开关损耗都比较低，散热器的尺寸小，故整个系统的尺寸更小。智能功率模块接口光耦，内置一个砷化镓光电二极管和集成高增益光电探测器，具有较低的传输延迟时间及**小化脉冲失真宽度，从而有利于提升转换电路效率，减少切换的死区时间。智能功率模块接口光耦具有开路集电极输出、反相和同相的图腾柱配置。IPM控制输入会随着dv/dt的大小而变，所以用于直接驱动的光耦要求共模抑制高于10KV/μs。在输入和输出电压间增加屏蔽和将电流接地可改进光耦的共模抑制。群芯可提供高于15KV/μs的共模抑制产品。***用于IGBT/MOSFET驱动、IPM隔离驱动、交流/直流无刷电机驱动、变频器、工业逆变器等。线性光耦一般价格比普通光耦高，但是使用方便，设计简单；福建IPM光耦群芯微代理原厂
就抗干扰设计而言，很多场合下，既能采用光电耦合器隔离驱动，也能采用继电器隔离驱动。福建IPM光耦群芯微代理原厂
光电耦合器的输入端是发光二极管，因此，它的输入特性可用发光二极管的伏安特性来表示；输出端是光敏三极管，因此光敏三极管的伏安特性就是它的输出特性。由此可见，光电耦合器存在着非线性工作区域，直接用来传输模拟量时精度较差。解决方法之一，利用2个具有相同非线性传输特性的光电耦合器，T1和T2，以及2个射极跟随器A1和A2组成。如果T1和T2是同型号同批次的光电耦合器，可以认为他们的非线性传输特性是完全一致的，即K1(I1)=K2(I1），则放大器的电压增益G=Uo/U1=I3R3/I2R2=(R3/R2)[K1(I1)/K2(I1)]=R3/R2。由此可见，利用T1和T2电流传输特性的对称性，利用反馈原理，可以很好的补偿他们原来的非线性。 福建IPM光耦群芯微代理原厂
互勤(深圳)科技有限公司是一家从事电源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片研发、生产、销售及售后的贸易型企业。公司坐落在光明街道东周社区高新路研祥科技工业园二栋研发大楼1007，成立于2019-11-11。公司通过创新型可持续发展为重心理念，以客户满意为重要标准。主要经营电源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片等产品服务，现在公司拥有一支经验丰富的研发设计团队，对于产品研发和生产要求极为严格，完全按照行业标准研发和生产。互勤(深圳)科技有限公司每年将部分收入投入到电源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片产品开发工作中，也为公司的技术创新和人材培养起到了很好的推动作用。公司在长期的生产运营中形成了一套完善的科技激励政策，以激励在技术研发、产品改进等。电源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片产品满足客户多方面的使用要求，让客户买的放心，用的称心，产品定位以经济实用为重心，公司真诚期待与您合作，相信有了您的支持我们会以昂扬的姿态不断前进、进步。
