群芯微电子有限公司目前的产品包括：晶体管光耦、高速光耦、高压光耦、栅极驱动光耦、光继电器、MCU、电源管理芯片、MOSFET等产品，有自己的晶元封装工厂，广泛应用于家电，工控，光伏储能和新能源汽车。群芯微电子有着技术共享、平台开放、合作创新、共同发展的经营理念，推进各行业电子产品向高度智能化方向发展。在应用上可以根据客户的产品进行功能定义、系统集成、技术创新，并提供方案参考。让我们携起手来，共建美好的未来!光耦合器（opticalcoupler equipment，英文缩写为OCEP）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。TLP228G型号光耦国产品牌替代
1.汽车电驱部分常应用到智能栅极驱动光耦QX33xJ，智能栅极驱动光耦为**型光耦，在强弱电隔离、通信、过程控制等传统领域都会用到，如汽车电子领域就有应用智能栅极驱动光耦的需求。QX33xJ峰值电流更高、抗扰能力更强，具有可编程故障检测、欠压锁定的特点。2.汽车电控系统由传感器、控制器和执行器组成。传感器主要是收集控制器所需要的各部分的信号，为控制器指挥执行器提供数据支持。电控系统运用到的光耦类型较***，如晶体管光耦(QX8801)、高速光耦(QX6N137,QX074L,QX0631)、(智能)栅极驱动光耦(QX343,QX33xJ)、IPM接口光耦(QX480)、光隔运放(QXC87,QXC790)。北京IPM光耦群芯微代理样品通过一个频率电压转换电路将脉冲序列还原成模拟信号。
以下为光电耦合器的常用参数：反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。
安防摄像头是以安全防范视频监控为目的，将图像传感器靶面上从可见光到近红外光谱范围内的光图像转换为视频图像信号的采集装置。光继电器用来控制照明输出和摄像头模组声音输出的开关。例：隔离>2kV，60V／2A光继电器，用于摇头电机、红外光、报警器的开关。使用光耦型号：1.晶体管光耦：QX817、QX357、QX3H7；2.光继电器：QX21x、QX22x、QX17x当烟雾传感器检测到燃烧物产生的烟雾时，报警信号通过光耦隔离发送到终端设备，同时打开蜂鸣器发出报警音。使在计算机数字通信及实时控制中作为信号隔离的接口器件，可以**提高计算机工作的可靠性。
光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不适合于传输模拟量。常用的4N系列光耦属于非线性光耦。线性光耦的电流传输特性曲线接近直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。常用的线性光耦是PC817A—C系列。开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。常用的4脚线性光耦有PC817A----C。PC111TLP521等常用的六脚线性光耦有：LP632TLP532PC614PC714PS2031等。常用的4N254N264N354N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。而如果选用光电耦合器来代替音频变压器就可以克服上述这些缺点。山东高电压可控硅光耦群芯微代理价格
如果系统中出现异常，使输入、输出两侧的电位差超过光耦合器所能承受的电压，就会使之被击穿损坏。TLP228G型号光耦国产品牌替代
多路输出式电源变换器电路如图2所示。其输入电压为36V到90V的准方波电压，三路输出分别为：UO1=+5V(2A），UO2=+15V(0.17A），UO3=－15V(0.17A）。现将UO1定为主输出，其电压调整率SV=±0.4%；UO2和UO3为辅输出，总电源效率可达75%～80%。电路中采用一片***04Y型三端单片开关电源集成电路。主输出绕组电压经过VD2、C2、L1和C3整流滤波后，得到+5V电压。VD2采用MBR735型35V/7.5A肖特基二极管。两个辅输出绕组及输出电路完全呈对称结构。因为±15V输出电流较小，故整流管VD4和VD5均采用UF4002型100V/1A的超快恢复二极管。由线性光耦CNY17-2和可调式精密并联稳压器TL431C构成光耦反馈式精密开关电源，可以对+5V电压进行精密调整。反馈绕组电压通过VD3、C4整流滤波后，得到12V反馈电压。由P6KE120型瞬态电压抑制器和UF4002型超快恢复二极管构成的漏极钳位保护电路，能吸收由高频变压器漏感形成的尖峰电压，保护芯片内部的功率场效应管MOSFET不受损坏。TLP228G型号光耦国产品牌替代
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