IXYS艾赛斯MDMA65P1600TG

在医疗设备领域，对电气设备的稳定性、可靠性和安全性要求极高，Ixys 艾赛斯 IGBT 模块恰好满足了这些严格要求。例如在一些大型医疗影像设备中，如磁共振成像（MRI）设备和计算机断层扫描（CT）设备，需要高精度、高稳定性的电源供应来保证设备的正常运行和图像质量。Ixys 艾赛斯 IGBT 模块能够精确控制电源的输出，为设备提供稳定的电力，确保成像过程的顺利进行，帮助医生获取清晰、准确的影像信息，从而为疾病诊断提供有力依据。在生命支持设备中，其可靠性更是关乎患者的生命安全，保障了设备的不间断运行。Ixys艾赛斯MOS管兼具高击穿电压与大电流容量，是大功率电子设备的重要器件之选。IXYS艾赛斯MDMA65P1600TG

Ixys 艾赛斯 IGBT 模块拥有极为丰富的产品系列，涵盖了***的电压和电流等级。电压方面，从标准的 0.6 - 1.2kV，到高电压的 1.2 - 1.7kV，甚至超高电压的 2.5 - 4kV，能够满足不同应用场景对耐压的需求。在电流等级上，集电极电流从 21A 到 200A 不等，脉冲集电极电流*高可达 1.5kA。这种多样化的电压与电流组合，无论是小型的电子设备，还是大型的工业装置，都能找到合适的 Ixys 艾赛斯 IGBT 模块，为各种电力电子系统的设计提供了极大的灵活性，确保系统在不同工况下都能稳定、高效运行。IXYS艾赛斯MDMA65P1600TGIxys艾赛斯整流桥封装内置高效散热结构，结温耐受度高，可在高温工业环境长期稳定工作。

Ixys 艾赛斯肖特基整流桥模块基于金属 - 半导体接触的肖特基势垒原理，具备零反向恢复电荷、低正向导通电压的**优势，从根本上消除了反向恢复损耗，开关速度远超传统 PN 结整流桥。模块采用贵金属（如铂、钯）接触与沟槽结构设计，提升了电流密度与耐高温性能，正向导通电压可低至 0.4V，反向耐压覆盖 50V-1200V，电流等级可达 300A。封装采用紧凑的表面贴装或 MODULE 形式，适配低压大电流场景的小型化设计需求。在 DC-DC 转换器、锂电池充电器、新能源汽车低压电源等场景中，肖特基整流桥模块能***降低电源损耗，提升能量转换效率，是实现高效电源设计的关键器件。

整流桥模块是将多颗整流二极管按特定拓扑结构集成封装的功率半导体器件，**功能是实现交流电向直流电的转换，是电力电子系统的 “电能转换门户”。Ixys 艾赛斯作为功率半导体领域的**企业，其整流桥模块以高集成度、高可靠性和低损耗为**优势，通过优化的芯片匹配与封装设计，解决了分立二极管组合电路中电流不均、散热不佳的痛点。产品电压等级覆盖 50V-6500V，电流范围从 10A 至 3000A，可适配从家用小功率设备到工业大功率系统的全场景整流需求，在电源设备、工业驱动、新能源等领域发挥着不可替代的作用，为后续电路提供稳定的直流电能支撑。Ixys艾赛斯可控硅模块通过UL认证，质量可靠，符合严格的安全标准。

高压整流桥模块是 Ixys 艾赛斯针对高电压应用开发的**产品，通过强化的芯片结构与封装工艺，实现了超高反向耐压特性，电压等级覆盖 3000V-6500V，电流范围从 50A 到 2000A。模块内部采用串联芯片堆叠技术，配合精确的电压均衡设计，确保各芯片承受的电压均匀分配，避免局部过压击穿。封装采用平板型（Press-Pack）或高压 MODULE 形式，绝缘性能优异，爬电距离符合国际高压标准，且具备良好的散热性能。在高压直流输电（HVDC）换流站、高压电机励磁电源、工业高频加热设备等高压场景中，高压整流桥模块作为**整流器件，实现了高电压交流电向直流电的稳定转换，保障了高压系统的可靠运行。IXYS艾赛斯模块整流桥模块集成桥式结构，简化AC-DC转换电路设计。IXYS艾赛斯MDMA65P1600TG

于照明控制系统中，Ixys艾赛斯可控硅模块可对灯光亮度进行高效调节，满足不同场景需求。IXYS艾赛斯MDMA65P1600TG

快恢复整流桥模块是 Ixys 艾赛斯面向高频电力电子系统的特色产品，内部集成快恢复二极管（FRD）芯片，反向恢复时间短至几十纳秒，能快速响应高频交流电的极性变化，有效抑制开关过程中的浪涌电压与电磁干扰。其采用薄晶圆与 trench 工艺，在实现快速恢复特性的同时，兼顾低正向导通电压与高反向耐压，电压等级覆盖 200V-3000V，电流从 20A 到 800A。封装采用直接铜键合（DCB）载板，散热效率优异，可适应高频工况下的温升需求。在高频开关电源、光伏逆变器、不间断电源（UPS）等高频应用场景中，快恢复整流桥模块***降低了开关损耗，提升了系统整体效率。IXYS艾赛斯MDMA65P1600TG