非隔离BUCK电源芯片基本参数
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非隔离BUCK电源芯片企业商机

在轻载条件下,系统工作在断续模式下。故实际输入功率取决于电感电流峰值大小。为了降低系统损耗,随着负载的降低会自动降低峰值电流基准以满足**待机的要求。内集成有4ms(典型值)周期的软启动功能,当芯片***次启动时过流保护阈值逐渐增加,而且每次系统的重新启动都会伴随着一次软启动过程。当过流或短路情况发生时,输出电压和VDD将降低,如果在128ms(典型值)的时间内每次振荡器的周期里高压MOSFET都被开通,则芯片识别此情况为过流或短路故障已发生,并停止开关动作之后进入自动重启模式(如下描述)。。内置开关频率限制 (16kHz-125kHz),可以有效抑制音频噪声和降 低开关损耗。江苏大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片样品

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220V降压非隔离固定12V输出、高性能低成本离线式PWM控制功率开关KP322X系列是一款高性能低成本PWM控制功率开关,适用于离线式小功率降压型应用场合,外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同,KP322X内部无固定时钟驱动MOSFET,系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术,有效简化了外围电路设计,提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外,芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节,可以有效降低空载情况下的待机功耗。KP322X集成有完备的带自恢复功能的保护功能:VDD欠压保护、逐周期电流限制、过热保护、过载保护和VDD过压保护等江苏大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片样品较大的UVLO 迟 滞可以确保VDD 足够长的维持时间,因此可以使 用很小的VDD 电容,缩短系统启动时间。

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30V降压DCDC电源转换芯片,低待机功耗。提供一个芯片外部使能控制引脚(EN) 以使能或禁止芯片工作。当EN 引脚电压高于EN 上升阈值电压(VEN(R)) 且 VIN 电压高于VIN 欠压锁定阈值(VUVLO(R)) 时,芯片使能开始正常工作。如果EN 引脚电压被拉低到阈值电压(VEN(F)) 以下,则芯片停止开关动作并进入关机模式,即使VIN 电压高于VIN 欠压锁定阈值(VUVLO(R)),芯片也被禁用,开关动作停止。在关机模式下,芯片的输入电流降低到比较低的关断电流(典型值为2.5μA)。

同步降压变换器的输出级主要由电感和电容组成,通过内部集成的功率MOSFET管的开关切换,将能量存储并传递给负载,并形成二阶低通滤波器平滑开关节点电压,得到稳定的输出直流电压。本节基于设计实例主要描述详细的设计过程。芯片可以通过使用外部分压电阻连接到FB引脚来设置不同的输出电压。输出电压与外部分压电阻的公式如下:+×=FB(B)FB(T)REFOUTRR1VV其中VREF=0.768V推荐从分压下电阻RFB(B)开始设计。过大的RFB(B)会导致FB引脚更容易收到外界噪声干扰,而过小的RFB(B)会增大分压电阻的功率损耗。综合考虑二者,推荐选择RFB(B)=10kΩ~50kΩ。则分压上电阻RFB(T)可由如下公式计算得到:−×=1REFOUTFB(B)FB(T)VVRR其中VREF=0.768VAC 同步检测及主动泄放电路。

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220V交流降压3.3V100mA电流,给蓝牙提供稳定的电压及各种保护功能,KP35062是一款高性能低成本PWM控制功率开关,适用于离线式小功率降压型应用场合,外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同,KP35062内部无固定时钟驱动MOSFET,系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术,有效简化了外围电路设计,提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。精确的使能控制和可调欠压锁定功能。吉林AC高压降5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片加工

AC交流输入,输出12V/500mA电流的低成本BUCK降压芯片。江苏大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片样品

我们芯片采用高压集成工艺,内部集成有500V高压MOSFET,适用于小家电和辅助电源应用场合所需的离线式降压电路和升降压电路,也可用于线性电源的替代型电源。芯片采用开关式峰值电流模式控制,默认5V高精度输出时很大程度降低了系统成本。此外,芯片经过内部优化,可兼容**压输入(15Vdc以上)应用。IC芯片的静态工作电流典型值为150uA。如此低的工作电流降低了对于VDD电容大小的要求,同时也可以帮助系统降低成本。通常条件下建议使用0.1-1uF瓷片电容。江苏大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片样品

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