芯片在轻载条件下工作在FPWM 模式，从而允许低侧MOSFET 通过反向电流。在FPWM 模式下，如果输出端由于意外被连接到外部电源上，芯片可能工作在反向升压模式，产生很高的反向电流以至损坏芯片。芯片 内部集成低侧MOSFET 电流检测电路，当检测到低侧MOSFET反向电流大于反向限流阈值(NOC) 时，立即关闭低侧MOSFET，然后打开高侧MOSFET 将输出电感的能量泄放出去。此功能可以限制反向电流保持在NOC 阈值以上，从而保护低侧MOSFET。另外，NOC 限流在**小关断时间内不生效。较大的UVLO 迟 滞可以确保VDD 足够长的维持时间，因此可以使 用很小的VDD 电容，缩短系统启动时间。湖南AC高压降5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片技术支持
主要特点•集成500V高压MOSFET和高压启动电路•优化轻载噪音、提升系统抗干扰能力•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•默认12V输出(FB脚悬空)•待机功耗<50mW•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•VDD过压、欠压和电压箝位保护•封装类型SOP-8，可以满足客户不同电压需求：220V交流转12V，220V交流转5V，220V交流转15V，220V交流转24V。北京AC高压降15V供电非隔离BUCK电源芯片资料我们提供可靠质量的非隔离BUCK电源降压芯片。
EN 引脚有一个内部上拉电流源，从而允许用户保持EN 引脚悬空来使能芯片。另外根据实际应用需要，EN 引脚可以接在外部逻辑控制接口上以实现芯片的使能控制。EN 引脚内部集成了一个5V 的稳压二极管(典型的击穿电压为6.9V) 以保护内部电路受到过压风险。在将EN 引脚外接到高于6V的电压比如VIN 电压时，串联加入上拉电阻(不小于100kΩ) 以限制EN 引脚的输入电流，防止损坏齐纳二极管。芯片内部集成了纹波注入电路来模拟输出电压纹波从而实现了在低ESR 的陶瓷输出电容(MLCC) 的低输出纹波条件下的稳定工作。另外，内部还集成了一个斜坡信号产生电路，以减少开关抖动。
同步降压变换器的输出级主要由电感和电容组成，通过内部集成的功率MOSFET管的开关切换，将能量存储并传递给负载，并形成二阶低通滤波器平滑开关节点电压，得到稳定的输出直流电压。本节基于设计实例主要描述详细的设计过程。芯片可以通过使用外部分压电阻连接到FB引脚来设置不同的输出电压。输出电压与外部分压电阻的公式如下：+×=FB(B)FB(T)REFOUTRR1VV其中VREF=0.768V推荐从分压下电阻RFB(B)开始设计。过大的RFB(B)会导致FB引脚更容易收到外界噪声干扰，而过小的RFB(B)会增大分压电阻的功率损耗。综合考虑二者，推荐选择RFB(B)=10kΩ~50kΩ。则分压上电阻RFB(T)可由如下公式计算得到：−×=1REFOUTFB(B)FB(T)VVRR其中VREF=0.768V为了降低系统损 耗，随着负载的降低芯片会自动降低峰值电流 基准以满足**待机的要求。
输出电容选择：对于常规的5V-100mA规格，输出电容根据实际纹波电压需求选择100uF-220uF即可。假负载选择：需在空载输出电压和待机损耗上折中：即过大的假负载可以压制空载输出上飘电压，但系统待机损耗也随之加大；而过小的假负载则反之。一般而言，芯片系统推荐假负载阻值范围在1-2k范围内(随输出电压调整)，假负载损耗控制在10-15mW左右即可。内集成有4ms(典型值)周期的软启动功能，当芯片***次启动时过流保护阈值逐渐增加，而且每次系统的重新启动都会伴随着一次软启动过程。这款芯片适用于MUC供电，线路简单。广东AC高压220V降30V非隔离BUCK电源芯片代理
在芯片内部，振荡器频率 固定为31kHz且带有抖频功能，在保证输出功率的 条件下优化了EMI效果。湖南AC高压降5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片技术支持
220V交流降压3.3V100mA电流，给蓝牙提供稳定的电压及各种保护功能，KP35062是一款高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP35062内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。湖南AC高压降5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片技术支持
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