持续的研发是保持产品竞争力的关键，而模拟芯片的研发与设计需要电子、材料、半导体等跨学科知识的积累和跨行业技术的整合，且对研发人员的专业水平和工作经验要求较高。必易微的**研发团队均具备国内外名校的学历背景，并曾在国内外**科技企业担任高层研发和管理职务，拥有丰富的行业经验，对模拟集成电路设计有着深刻的理解。必易微在市场开拓的进程中专注客户服务，对客户的需求能够快速响应，以解决客户痛点、**市场潮流为市场价值导向，取得了行业头部客户的认可和采用，推动了公司产品打破国外厂商对市场的垄断地位，为公司新产品、新业务的发展提供了***辽阔的市场空间。；当工作 于空载附近时，系统将重新进入调频模式以降低待 机损耗。中国香港低功耗40V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片代理
30V降压DCDC电源转换芯片，低待机功耗。提供一个芯片外部使能控制引脚(EN) 以使能或禁止芯片工作。当EN 引脚电压高于EN 上升阈值电压(VEN(R)) 且 VIN 电压高于VIN 欠压锁定阈值(VUVLO(R)) 时，芯片使能开始正常工作。如果EN 引脚电压被拉低到阈值电压(VEN(F)) 以下，则芯片停止开关动作并进入关机模式，即使VIN 电压高于VIN 欠压锁定阈值(VUVLO(R))，芯片也被禁用，开关动作停止。在关机模式下，芯片的输入电流降低到比较低的关断电流(典型值为2.5μA)。山东低功耗18V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片样品这款芯片适用于WIFI模块供电。
芯片内部集成有AC同步检测电路，该电路通过Drain端对地内置的分压电阻检测AC信号。当芯片检测到Drain端电压低于VAC_sync_OFF以后，内部功率MOSFET随即打开对VDD电容进行充电。由于芯片Drain端对地存在寄生电容，导致Drain端电压可能过高，芯片将一直无法进入充电窗口。针对该问题，芯片内部设计了主动式泄放电路：该泄放电路在VDD电压低于VDD_OVP_hys后打开内部Drain-VDD的高压电流源泄放通道，并在VDD电压达到VDD_OVP以后关闭该泄放通道。通过对芯片Drain端寄生电容的主动式泄放控制，确保了足够的输入能量可以在充电窗口期间对VDD进行充电。此外，当各种保护（UVP,OLPorOTP）发生时，主动式泄放电路也将打开，对VDD电容进行充电，同时对Drain端寄生电容进行放电，以此确保后续保护逻辑的顺利展开和自恢复重启的顺利进行。
给蓝牙模块供电，220V降压3.3V，输出可调，电路简单。芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。KP35062集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、过热保护、过载保护等。主要特点•集成500V高压MOSFET和高压启动电路•集成续流二极管•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•支持**压输入(>20V)•空载功耗低于100mW•支持比较高30kHz开关频率•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•过温保护(OTP)•封装类型SOP-8内部集成门极驱动电路、频率限制电路、 差分放大电路。
输出电压可调，高压交流220V非隔离BUCK电路芯片，非常适用于智能照明，智能家电控制产品。KP35064是一款高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP35064内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。我们提供可靠质量的非隔离BUCK电源降压芯片。山东低功耗18V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片样品
芯片供电管脚，同时作为输出电压反馈端 (FB 悬空时)。典型应用 中 VDD 电容推荐采用 1uF 陶瓷电容。中国香港低功耗40V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片代理
高性能、低成本离线式PWM控制开关KP3501A是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关，适用于降压型电路。KP3501A采用高压单晶圆工艺，在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流模式控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的5V默认输出。在芯片内部，芯片内部**小Toff时间固定为20μs且带有抖频功能，在保证输出功率的条件下优化了EMI效果。同时，芯片设计有轻重载模式，可轻松获得低于50mW的待机功耗。KP3501A集成有完备的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、异常过流保护、过热保护、过载保护和短路保护等。主要特点•高精度5V默认输出•集成500V高压MOSFET和高压启动电路•集成续流二极管•集成采样电阻，**系统成本•支持**压输入(15V以上)应用•支持降压电路•开关式峰值电流模式控制•**待机功耗小于50Mw•比较高45kHz开关频率•**工作电流，支持小VDD电容•集成软启动电路•集成式保护功能:•过载保护(OLP)•过热保护(OTP)•逐周期电流限制(OCP)•异常过流保护(AOCP)•前沿消隐(LEB)•VDD欠压保护•封装类型SOP-4中国香港低功耗40V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片代理
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