芯片在轻载条件下工作在FPWM 模式，从而允许低侧MOSFET 通过反向电流。在FPWM 模式下，如果输出端由于意外被连接到外部电源上，芯片可能工作在反向升压模式，产生很高的反向电流以至损坏芯片。芯片 内部集成低侧MOSFET 电流检测电路，当检测到低侧MOSFET反向电流大于反向限流阈值(NOC) 时，立即关闭低侧MOSFET，然后打开高侧MOSFET 将输出电感的能量泄放出去。此功能可以限制反向电流保持在NOC 阈值以上，从而保护低侧MOSFET。另外，NOC 限流在**小关断时间内不生效。芯片供电管脚，用于能量存储，串接一电容到地后将输入能 量传递至LDO 输出级。江西低功耗18V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片资料
30V降压DCDC电源转换芯片，低待机功耗。提供一个芯片外部使能控制引脚(EN) 以使能或禁止芯片工作。当EN 引脚电压高于EN 上升阈值电压(VEN(R)) 且 VIN 电压高于VIN 欠压锁定阈值(VUVLO(R)) 时，芯片使能开始正常工作。如果EN 引脚电压被拉低到阈值电压(VEN(F)) 以下，则芯片停止开关动作并进入关机模式，即使VIN 电压高于VIN 欠压锁定阈值(VUVLO(R))，芯片也被禁用，开关动作停止。在关机模式下，芯片的输入电流降低到比较低的关断电流(典型值为2.5μA)。吉林大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片代理支持使用MLCC 陶瓷电容，且支持低输出电容数量。
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高效率低功耗30V降压DCDC电源芯片，30V3A，500kHz同步降压转换器KP52330X是一款简单易用高效率的同步降压直流/直流转换器，它具有4.5V至30V的宽输入电压范围，能够驱动高达3A的负载电流，非常适合用于12V和24V等常见的输入电源轨。KP523302轻载下工作在脉冲频率调制模式(PFM)以维持高轻载效率；KP523308轻载下工作在强制脉宽调制模式(FPWM)以实现全负载电流下固定的开关频率和低输出纹波。通过集成MOSFET并采用TSOT23-6封装，该器件可实现高功率密度，并且在印刷电路板(PCB)上的占用空间非常小。采用具有内部补偿的峰值电流模式控制架构，用于维持稳定运行和超小的输出电容。借助EN精密使能功能，可对器件启动和关断进行精确控制。内置有完善的保护功能：输入欠压锁定(UVLO)、逐周期电流限制(OCL)、输出过压保护(VOUTOVP)、输出欠压保护(VOUTUVP)，和过温保护(OTP)，以确保其在不同的工作条件下保持安全、可靠运行。这款芯片是一种简单易用、高效集成的同步降压转换器。
芯片内部集成有AC同步检测电路，该电路通过Drain端对地内置的分压电阻检测AC信号。当芯片检测到Drain端电压低于VAC_sync_OFF以后，内部功率MOSFET随即打开对VDD电容进行充电。由于芯片Drain端对地存在寄生电容，导致Drain端电压可能过高，芯片将一直无法进入充电窗口。针对该问题，芯片内部设计了主动式泄放电路：该泄放电路在VDD电压低于VDD_OVP_hys后打开内部Drain-VDD的高压电流源泄放通道，并在VDD电压达到VDD_OVP以后关闭该泄放通道。通过对芯片Drain端寄生电容的主动式泄放控制，确保了足够的输入能量可以在充电窗口期间对VDD进行充电。此外，当各种保护（UVP,OLPorOTP）发生时，主动式泄放电路也将打开，对VDD电容进行充电，同时对Drain端寄生电容进行放电，以此确保后续保护逻辑的顺利展开和自恢复重启的顺利进行。芯片工作在准谐振工作模式下，可有 效降低开关损耗，提高系统效率。四川低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片原厂
芯片静态工作电流典型值为 200uA。如此 低的工作电流降低了对于 VDD 电容大小的要求， 同时也可以提高系统效率。江西低功耗18V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片资料
PCB设计对芯片的稳定可靠工作至关重要，请遵循以下指南设计以获得比较好的电路工作性能：1.输入陶瓷电容尽可能靠近VIN和GND引脚放置。2.功率回路CIN→L→COUT→GND的走线应该尽可能短和宽以减小回路压降，提高转换效率。3.SW节点的电压波形为高频方波，适当减小SW节点的铺铜可以改善EMI性能，另一方面适当增大SW节点的铺铜可以优化散热性能，可根据实际情况适当折衷考虑。4.FB引脚的走线尽可能远离噪声源，比如SW节点和BST节点。5.输出电压VOUT的采样点靠近输出电容末端放置，且分压采样电阻靠近FB引脚放置。6.VIN和GND的走线和铺铜尽可能宽以帮助散热。在多层板的PCB设计中，推荐为GND引脚设置一个完整的GND层，并在GND层和芯片层间增加足够多的过孔。江西低功耗18V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片资料
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