18V低功耗DCDC降压芯片，主要特点•宽输入电压范围：4.5Vto17V•输出电压范围：0.768Vto7V•支持2A持续输出电流•电感电流连续模式下600kHz的开关频率•内部集成低导通电阻的MOSFET开关管•低静态工作电流：190μA(无开关动作，典型值)•低关断电流：2.5μA(典型值)•采用恒定导通时间控制实现超快速的动态响应•两种轻载工作模式：•KP522201A：脉冲频率调制模式(PFM)•KP522208A：强制脉宽调制模式(FPWM)•高参考电压精度：0.768V±1.5%@25℃•集成完善的保护功能：•精确的使能控制和可调欠压锁定功能•内部1ms软启动时间，避免过冲电压和电流•逐周期谷底限流保护(OCL)•非闭锁的输入欠压保护(UVLO)、输出欠压保护(UVP)、输出过压保护(OVP)和过温保护(OTP)•紧凑的解决方案尺寸：•支持使用MLCC陶瓷电容，且支持低输出电容数量•无需外部补偿•小封装类型：SOT23-6该芯片通过智能控制交流能 量输入以减小系统损耗，提高系统效率，同时有效 降低系统待机。辽宁低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片库存
芯片BST 引脚和 SW 引脚间需要加入一颗陶瓷电容以稳定支撑芯片内部高侧N-MOSFET 的驱动电源。此处推荐使用不低于10V 耐压的 X5R 或者 X7R 的 0.1μF 陶瓷电容(0603 封装)。采用 COT 控制架构可以实现超快的负载瞬态响应性能。在某些对负载瞬态响应要求更高的应用条件下，还可以通过在输出反馈分压电阻上添加前馈电阻RFF 和电容CFF 来进一步提升瞬态响应性能。考虑到噪声耦合影响，推荐使用RFF = 2 kΩ~10kΩ，另外不要使用高于100pF 的 CFF。注意，实际RFF 和 CFF 为可选器件，推荐以实测负载瞬态响应和输出调整率的结果优化选取。吉林交流高压220V转3.3V供电蓝牙非隔离BUCK电源芯片技术支持可给蓝牙芯片提供稳定客户的电压。
设计在 4.5V 到 17V 范围内工作，BUCK 降压变换器要求输入电压高于输出电压才能正常工作，建议比较大工作占空比为75%，则建议的**小输入电压为VOUT/0.75。芯片不允许输出电压高于输入电压，这种情况下输出电压通过高侧功率体二极管向输入电源放电，由此产生的反向电流可能导致不可预测的行为。如果有这种应用条件出现，可以添加串联二极管等方式以阻断此反向电流。电感的选型关系到芯片方案的体积、成本、效率和暂态响应性能。主要考虑电感的3 个关键参数：电感量(L)，电感饱和电流(ISAT) 和电感直流电阻(DCR)。
集成了逐周期谷底限流保护(OCL) 功能。每当内部低侧MOSFET 导通时，芯片检测电感电流，当电感电流大于电流限流阈值(ILS(OC)) 时，限流比较器翻转，芯片 进入 OCL模式。此时，芯片内部高侧MOSFET 保持关断状态，直到电感电流下降小于电流限流阈值(ILS(OC)) 后才会再次开启。如果芯片的负载电流超过电感电流(电感电流被OCL 钳位)，则输出电容需要提供额外的电流，从而输出电容放电，输出电压开始下降。当输出电压低于输出欠压保护阈值(VUVP) 时，芯片将停止工作，进入到UVP 打嗝模式，以避免温升过高的情况出现。这款芯片适用于WIFI模块供电。
芯片在轻载条件下工作在FPWM 模式，从而允许低侧MOSFET 通过反向电流。在FPWM 模式下，如果输出端由于意外被连接到外部电源上，芯片可能工作在反向升压模式，产生很高的反向电流以至损坏芯片。芯片 内部集成低侧MOSFET 电流检测电路，当检测到低侧MOSFET反向电流大于反向限流阈值(NOC) 时，立即关闭低侧MOSFET，然后打开高侧MOSFET 将输出电感的能量泄放出去。此功能可以限制反向电流保持在NOC 阈值以上，从而保护低侧MOSFET。另外，NOC 限流在**小关断时间内不生效。在此过程中高压MOSFET 不 允许导通，同时VDD 电容上电压持续在6.2V 和 7V 之间振荡。湖北交流高压220V转5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片价格
；当工作 于空载附近时，系统将重新进入调频模式以降低待 机损耗。辽宁低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片库存
芯片内部**小Toff时间固定为32us，同时为了优化系统EMI系统还带有±5%范围的抖频功能。在实际工作中，系统开关频率取决于负载状态以及VDD电压与输出电压基准的高低，所以系统工作在调频模式中。芯片内部差分采样电路采样流经高压MOS电流的压差作为内部过流比较器的输入。当过流比较器翻转时高压MOSFET关断直至下一个周期重新开通。为了避免开通瞬间的干扰，芯片内设计有前沿消隐电路(典型值400ns)，在此时间内过流比较器不翻转且高压MOSFET不允许关断。辽宁低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片库存
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