非隔离BUCK电源芯片基本参数
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非隔离BUCK电源芯片企业商机

另外为了优化芯片的 EMI 性能和保证芯片的可靠稳定运行,在使用陶瓷电容作为输入电容 CIN 外,推荐另外再添加一个 0.1μF 的陶瓷电容(0603/0402 封装) 尽可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引脚旁。需要注意的是,虽然陶瓷电容具有优良的高频性能和稳定的使用寿命,但是在某些输入电压热插拔的使用场景下,实际VIN 引脚上的电压可能会由于陶瓷电容的低ESR 特性出现振荡,**恶劣时甚至会振荡到2 倍的 VIN 电压,从而过压击穿芯片。此时,推荐在输入电压端额外并联加入一颗具有较大ESR 的电解电容或者在输入电压端添加一颗TVS 二极管以限制输入过压的情况。当过流或者过热故障发生时,芯片进入到自动重启 和VDD 振荡模式中。福建AC高压降12V供电非隔离BUCK电源芯片技术支持

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40V低功耗降压DCDC电源芯片,40V,1A易用高性能同步降压转换器KP52140X(A)是一款简单易用的同步降压直流/直流转换器,能够驱动高达1A的负载电流。它具有6V至40V的宽输入范围,因此适用于工业领域中非稳压电源的电源调节。KP52140X(A)内部集成低导通电阻的P型高侧MOSFET和N型低侧MOSFET,省掉了外部自举电容和肖特基二极管。在内部实现了软启动和补偿电路减少了**元器件的数量,固定5V或3.3V的输出方式可进一步减少**元器件数量,从而轻松实现单层PCB布局。KP52140X(A)典型开关频率为100kHz,采用低开关速率设计适用于有EMI要求的应用场合。KP52140X(A)内置有完善的保护功能:输入过压保护(VINOVP)、输入欠压锁定(UVLO)、逐周期电流限制(OCL)、输出过压保护(VOUTOVP)、输出欠压保护(VOUTUVP),和过温保护(OTP),以确保其在不同的工作条件下保持安全、可靠运行。KP52140X(A)采用TSOT23-5和TSOT23-6封装,可节约布局空间。北京AC高压降3.3V蓝牙WIFI供电非隔离BUCK电源芯片型号集成 500V 高压 MOSFET 和高压启动电路。

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持续的研发是保持产品竞争力的关键,而模拟芯片的研发与设计需要电子、材料、半导体等跨学科知识的积累和跨行业技术的整合,且对研发人员的专业水平和工作经验要求较高。必易微的**研发团队均具备国内外名校的学历背景,并曾在国内外**科技企业担任高层研发和管理职务,拥有丰富的行业经验,对模拟集成电路设计有着深刻的理解。必易微在市场开拓的进程中专注客户服务,对客户的需求能够快速响应,以解决客户痛点、**市场潮流为市场价值导向,取得了行业头部客户的认可和采用,推动了公司产品打破国外厂商对市场的垄断地位,为公司新产品、新业务的发展提供了***辽阔的市场空间。

芯片内部集成有AC同步检测电路,该电路通过Drain端对地内置的分压电阻检测AC信号。当芯片检测到Drain端电压低于VAC_sync_OFF以后,内部功率MOSFET随即打开对VDD电容进行充电。由于芯片Drain端对地存在寄生电容,导致Drain端电压可能过高,芯片将一直无法进入充电窗口。针对该问题,芯片内部设计了主动式泄放电路:该泄放电路在VDD电压低于VDD_OVP_hys后打开内部Drain-VDD的高压电流源泄放通道,并在VDD电压达到VDD_OVP以后关闭该泄放通道。通过对芯片Drain端寄生电容的主动式泄放控制,确保了足够的输入能量可以在充电窗口期间对VDD进行充电。此外,当各种保护(UVP,OLPorOTP)发生时,主动式泄放电路也将打开,对VDD电容进行充电,同时对Drain端寄生电容进行放电,以此确保后续保护逻辑的顺利展开和自恢复重启的顺利进行。较大的UVLO 迟 滞可以确保VDD 足够长的维持时间,因此可以使 用很小的VDD 电容,缩短系统启动时间。

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在轻载工作条件下自动进入脉冲频率调制模式(PFM),以保持轻载高效率。当负载电流逐渐减小时,电感电流纹波的波谷逐渐下降,直至电感电流波谷为0A,此时即为电感电流连续导通模式和不连续导通模式的临界——电感电流临界导通模式。继续降低负载电流,当检测到电感电流过零时,将会关闭低侧MOSFET (LSF),从而电感电流保持为零。在这种情况下,输出电容只被负载电流放电,输出电压下降速度变慢,从而开关频率将会降低。由于开关频率的降低,轻载时的开关损耗也将降低,从而提高了系统的轻载效率。芯片供电管脚,同时作为输出电压反馈端 (FB 悬空时)。典型应用 中 VDD 电容推荐采用 1uF 陶瓷电容。重庆低功耗18V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片

为了降低系统损 耗,随着负载的降低芯片会自动降低峰值电流 基准以满足**待机的要求。福建AC高压降12V供电非隔离BUCK电源芯片技术支持

KP52220XA采用内置电压误差积分器的恒定导通时间控制(COT)策略。COT控制利用输出电压谷底纹波基于比较器和导通时间定时器实现输出电压调控的目的。在每个周期的开始,每当反馈引脚FB上的电压低于内部参考电压时,芯片内置高侧MOSFET(HSF)被打开,并且持续开通固定的导通时间后关闭,此开通时间由导通时间定时器确定。该导通时间定时器由输出电压和输入电压共同决定,以使开关频率在全输入电压范围内保持接近恒定。当导通时间定时器定时完毕后,HSF将会保持关闭至少200ns(**小关断时间)。**小关断时间后,如果反馈引脚FB上的电压低于内部参考电压,则HSF将再次打开一个固定导通时间。福建AC高压降12V供电非隔离BUCK电源芯片技术支持

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