同步降压变换器的输出级主要由电感和电容组成，通过内部集成的功率MOSFET管的开关切换，将能量存储并传递给负载，并形成二阶低通滤波器平滑开关节点电压，得到稳定的输出直流电压。本节基于设计实例主要描述详细的设计过程。芯片可以通过使用外部分压电阻连接到FB引脚来设置不同的输出电压。输出电压与外部分压电阻的公式如下：+×=FB(B)FB(T)REFOUTRR1VV其中VREF=0.768V推荐从分压下电阻RFB(B)开始设计。过大的RFB(B)会导致FB引脚更容易收到外界噪声干扰，而过小的RFB(B)会增大分压电阻的功率损耗。综合考虑二者，推荐选择RFB(B)=10kΩ~50kΩ。则分压上电阻RFB(T)可由如下公式计算得到：−×=1REFOUTFB(B)FB(T)VVRR其中VREF=0.768V通过芯片内部数字计数器对振荡周 期的计数，当振荡周期数超过200 次时芯片退出保 护模式并重新开始工作。浙江AC高压220V降48V非隔离BUCK电源芯片定制
在轻载工作条件下自动进入脉冲频率调制模式(PFM)，以保持轻载高效率。当负载电流逐渐减小时，电感电流纹波的波谷逐渐下降，直至电感电流波谷为0A，此时即为电感电流连续导通模式和不连续导通模式的临界——电感电流临界导通模式。继续降低负载电流，当检测到电感电流过零时，将会关闭低侧MOSFET (LSF)，从而电感电流保持为零。在这种情况下，输出电容只被负载电流放电，输出电压下降速度变慢，从而开关频率将会降低。由于开关频率的降低，轻载时的开关损耗也将降低，从而提高了系统的轻载效率。低功耗150V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片技术支持内部集成的平均电流反馈环路可以确保高输出电流 精度。
固定5V输出、高性能低成本离线式PWM控制功率KP320X是一款系列化的高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP320X内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外，芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。
另外为了优化芯片的 EMI 性能和保证芯片的可靠稳定运行，在使用陶瓷电容作为输入电容 CIN 外，推荐另外再添加一个 0.1μF 的陶瓷电容(0603/0402 封装) 尽可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引脚旁。需要注意的是，虽然陶瓷电容具有优良的高频性能和稳定的使用寿命，但是在某些输入电压热插拔的使用场景下，实际VIN 引脚上的电压可能会由于陶瓷电容的低ESR 特性出现振荡，**恶劣时甚至会振荡到2 倍的 VIN 电压，从而过压击穿芯片。此时，推荐在输入电压端额外并联加入一颗具有较大ESR 的电解电容或者在输入电压端添加一颗TVS 二极管以限制输入过压的情况。芯片工作在准谐振工作模式下，可有 效降低开关损耗，提高系统效率。
高性能、低成本离线式PWM控制功率开关KP3112是一款高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP3112内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外，芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。KP3112集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、过热保护、过载保护等。主要特点•集成700V高压MOSFET和高压启动电路•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•支持**压输入(>20V)•空载功耗低于100mW•支持比较高30kHz开关频率•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•过温保护(OTP)•封装类型SOT23-5工作在强制脉宽调制模式(FPWM) 下以实现全负载电流下固定的开关频率和低输出纹波。浙江AC高压220V降48V非隔离BUCK电源芯片定制
良好的线性调整率和负载调整率，集成软启动电路。浙江AC高压220V降48V非隔离BUCK电源芯片定制
芯片在轻载条件下工作在FPWM 模式，从而允许低侧MOSFET 通过反向电流。在FPWM 模式下，如果输出端由于意外被连接到外部电源上，芯片可能工作在反向升压模式，产生很高的反向电流以至损坏芯片。芯片 内部集成低侧MOSFET 电流检测电路，当检测到低侧MOSFET反向电流大于反向限流阈值(NOC) 时，立即关闭低侧MOSFET，然后打开高侧MOSFET 将输出电感的能量泄放出去。此功能可以限制反向电流保持在NOC 阈值以上，从而保护低侧MOSFET。另外，NOC 限流在**小关断时间内不生效。浙江AC高压220V降48V非隔离BUCK电源芯片定制
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