30V降压DCDC电源转换芯片，低待机功耗。提供一个芯片外部使能控制引脚(EN) 以使能或禁止芯片工作。当EN 引脚电压高于EN 上升阈值电压(VEN(R)) 且 VIN 电压高于VIN 欠压锁定阈值(VUVLO(R)) 时，芯片使能开始正常工作。如果EN 引脚电压被拉低到阈值电压(VEN(F)) 以下，则芯片停止开关动作并进入关机模式，即使VIN 电压高于VIN 欠压锁定阈值(VUVLO(R))，芯片也被禁用，开关动作停止。在关机模式下，芯片的输入电流降低到比较低的关断电流(典型值为2.5μA)。AC交流输入，输出3.3V/400mA.福建AC高压降15V供电非隔离BUCK电源芯片技术支持
220V交流降压3.3V100mA电流，给蓝牙提供稳定的电压及各种保护功能，KP35062是一款高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP35062内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。福建AC高压降15V供电非隔离BUCK电源芯片技术支持PWM控制电路、**的过零检测电 路以及各种保护电路，用以实现临界导通驱动控制。
芯片内部**小Toff时间固定为32us，同时为了优化系统EMI系统还带有±5%范围的抖频功能。在实际工作中，系统开关频率取决于负载状态以及VDD电压与输出电压基准的高低，所以系统工作在调频模式中。芯片内部差分采样电路采样流经高压MOS电流的压差作为内部过流比较器的输入。当过流比较器翻转时高压MOSFET关断直至下一个周期重新开通。为了避免开通瞬间的干扰，芯片内设计有前沿消隐电路(典型值400ns)，在此时间内过流比较器不翻转且高压MOSFET不允许关断。
高性能、低成本离线式PWM控制开关KP3501A是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关，适用于降压型电路。KP3501A采用高压单晶圆工艺，在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流模式控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的5V默认输出。在芯片内部，芯片内部**小Toff时间固定为20μs且带有抖频功能，在保证输出功率的条件下优化了EMI效果。同时，芯片设计有轻重载模式，可轻松获得低于50mW的待机功耗。KP3501A集成有完备的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、异常过流保护、过热保护、过载保护和短路保护等。主要特点•高精度5V默认输出•集成500V高压MOSFET和高压启动电路•集成续流二极管•集成采样电阻，**系统成本•支持**压输入(15V以上)应用•支持降压电路•开关式峰值电流模式控制•**待机功耗小于50Mw•比较高45kHz开关频率•**工作电流，支持小VDD电容•集成软启动电路•集成式保护功能:•过载保护(OLP)•过热保护(OTP)•逐周期电流限制(OCP)•异常过流保护(AOCP)•前沿消隐(LEB)•VDD欠压保护•封装类型SOP-4芯片采用管脚复用技术，内部差分采样电路采样 VDD 管脚与CS 管脚之间的压差作为内部过流比较 器的输入。
芯片BST 引脚和 SW 引脚间需要加入一颗陶瓷电容以稳定支撑芯片内部高侧N-MOSFET 的驱动电源。此处推荐使用不低于10V 耐压的 X5R 或者 X7R 的 0.1μF 陶瓷电容(0603 封装)。采用 COT 控制架构可以实现超快的负载瞬态响应性能。在某些对负载瞬态响应要求更高的应用条件下，还可以通过在输出反馈分压电阻上添加前馈电阻RFF 和电容CFF 来进一步提升瞬态响应性能。考虑到噪声耦合影响，推荐使用RFF = 2 kΩ~10kΩ，另外不要使用高于100pF 的 CFF。注意，实际RFF 和 CFF 为可选器件，推荐以实测负载瞬态响应和输出调整率的结果优化选取。集成式线电压和输出电压补偿优化调整率。福建AC高压降15V供电非隔离BUCK电源芯片技术支持
良好的线性调整率和负载调整率，集成软启动电路。福建AC高压降15V供电非隔离BUCK电源芯片技术支持
我们芯片采用高压集成工艺，内部集成有500V高压MOSFET，适用于小家电和辅助电源应用场合所需的离线式降压电路和升降压电路，也可用于线性电源的替代型电源。芯片采用开关式峰值电流模式控制，默认5V高精度输出时很大程度降低了系统成本。此外，芯片经过内部优化，可兼容**压输入(15Vdc以上)应用。IC芯片的静态工作电流典型值为150uA。如此低的工作电流降低了对于VDD电容大小的要求，同时也可以帮助系统降低成本。通常条件下建议使用0.1-1uF瓷片电容。福建AC高压降15V供电非隔离BUCK电源芯片技术支持
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