非隔离BUCK电源芯片基本参数
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非隔离BUCK电源芯片企业商机

集成了输出过压保护(OVP) 功能,以减小输出电压过冲,并保护下游用电设备免受在输出故障条件或者突减负载时可能出现的高压尖峰的损坏。OVP 电路通过监测反馈电压(VFB) 检测过压条件。当VFB 超过 OVP 阈值 (VOVP) 时,OVP 比较器输出置高,内置高侧和低侧MOSFET 都将关闭,以避免VOUT 进一步升高。一旦VOUT 低于 VOVP,芯片开始再次工作。输出过压保护功能为非锁存功能。IC内部集成了纹波注入电路来模拟输出电压纹波从而实现了在低ESR 的陶瓷输出电容(MLCC) 的低输出纹波条件下的稳定工作。另外,内部还集成了一个斜坡信号产生电路,以减少开关抖动。芯片内置OTP当芯片温度低于 140℃,芯片进入自恢复重启过程。湖北非隔离BUCK电源芯片型号

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设计在 4.5V 到 17V 范围内工作,BUCK 降压变换器要求输入电压高于输出电压才能正常工作,建议比较大工作占空比为75%,则建议的**小输入电压为VOUT/0.75。芯片不允许输出电压高于输入电压,这种情况下输出电压通过高侧功率体二极管向输入电源放电,由此产生的反向电流可能导致不可预测的行为。如果有这种应用条件出现,可以添加串联二极管等方式以阻断此反向电流。电感的选型关系到芯片方案的体积、成本、效率和暂态响应性能。主要考虑电感的3 个关键参数:电感量(L),电感饱和电流(ISAT) 和电感直流电阻(DCR)。湖北非隔离BUCK电源芯片型号内部功率MOSFET 漏极,当输入电压下降至充电窗口区间 时向后级提供能量。

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如果输出电容在芯片启动时已经处于预偏置电压状态,芯片*在内部参考电压SS 大于反馈电压VFB 后才启动开关,VOUT 开始上升。该预偏置软启动方案保证了芯片输出电压平稳地上升进入稳定状态。集成了输出欠压打嗝保护(UVP) 功能,通过不断监测反馈电压VFB 防止芯片输出过载或短路。如果VFB 低于输出欠压保护阈值(VUVP) (典型值为内部反馈参考电压的65%),欠压比较器的输出将会置高,以关闭内部高侧和低侧MOSFET 开关管,阻止芯片继续开关工作。

芯片内部**小Toff时间固定为32us,同时为了优化系统EMI系统还带有±5%范围的抖频功能。在实际工作中,系统开关频率取决于负载状态以及VDD电压与输出电压基准的高低,所以系统工作在调频模式中。芯片内部差分采样电路采样流经高压MOS电流的压差作为内部过流比较器的输入。当过流比较器翻转时高压MOSFET关断直至下一个周期重新开通。为了避免开通瞬间的干扰,芯片内设计有前沿消隐电路(典型值400ns),在此时间内过流比较器不翻转且高压MOSFET不允许关断。设计的软驱动功能的驱动电路优化了系统 EMI 性能。

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18V低功耗DCDC降压芯片,主要特点•宽输入电压范围:4.5Vto17V•输出电压范围:0.768Vto7V•支持2A持续输出电流•电感电流连续模式下600kHz的开关频率•内部集成低导通电阻的MOSFET开关管•低静态工作电流:190μA(无开关动作,典型值)•低关断电流:2.5μA(典型值)•采用恒定导通时间控制实现超快速的动态响应•两种轻载工作模式:•KP522201A:脉冲频率调制模式(PFM)•KP522208A:强制脉宽调制模式(FPWM)•高参考电压精度:0.768V±1.5%@25℃•集成完善的保护功能:•精确的使能控制和可调欠压锁定功能•内部1ms软启动时间,避免过冲电压和电流•逐周期谷底限流保护(OCL)•非闭锁的输入欠压保护(UVLO)、输出欠压保护(UVP)、输出过压保护(OVP)和过温保护(OTP)•紧凑的解决方案尺寸:•支持使用MLCC陶瓷电容,且支持低输出电容数量•无需外部补偿•小封装类型:SOT23-6这款芯片适用于WIFI模块供电。辽宁非隔离BUCK电源芯片库存

AC交流输入,输出3.3V/400mA.湖北非隔离BUCK电源芯片型号

另外为了优化芯片的 EMI 性能和保证芯片的可靠稳定运行,在使用陶瓷电容作为输入电容 CIN 外,推荐另外再添加一个 0.1μF 的陶瓷电容(0603/0402 封装) 尽可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引脚旁。需要注意的是,虽然陶瓷电容具有优良的高频性能和稳定的使用寿命,但是在某些输入电压热插拔的使用场景下,实际VIN 引脚上的电压可能会由于陶瓷电容的低ESR 特性出现振荡,**恶劣时甚至会振荡到2 倍的 VIN 电压,从而过压击穿芯片。此时,推荐在输入电压端额外并联加入一颗具有较大ESR 的电解电容或者在输入电压端添加一颗TVS 二极管以限制输入过压的情况。湖北非隔离BUCK电源芯片型号

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